本文深入探讨NAND Flash的存储机制，包括SLC、TLC类型的Cell，以及如何通过Data Sheet理解其组织架构。介绍了Lun、Plan、Block和Page的概念，并解析了NAND Flash的地址格式和访问方式，同时概述了内部单元结构，如I/O控制单元、逻辑控制单元等在数据存取过程中的作用。
第一篇文章主要介绍了一些概念(CH CE Lun Plan Block Page Cell)，这些概念也是行业内的统一的。NAND Flash的主要作用就是存储,存储就存在Cell(有SLC、TLC的cell)中，拿SLC来说，一个cell就存一个bit，那么大家可以想象以计算机的庞大数据量来讲，一个操作系统就算一个G（1024M=8589934592bit）,那都已经超过一个32位unsigned int型的范围了，所以计算机也不会傻到一个bit一个bit去计算位置，然后存起来。就想你家的米仓库一样，你也不会一粒一粒去存，都是一袋一袋去存，这也是分化打包的方法。我觉得NAND 存储的原理也差不多。言归正传，下面讲一下NAND Flash的data sheet中的一些信息:
NAND 是个存储的器件，对于使用者来说要考虑的就是，我把数据存进去，然后能完好的拿出来就行，存进去就需要考虑存到哪里(访问地址)。
从Data sheet来看第一看这个闪存的组织架构:
1.得了解你手上的NAND Flash有多大，能存多少数据：以下面一个Lun的TLC mode为例:
一个Lun有4个Plan,一个Plan有552个block，一个Block有2112个Page，一个Page能存16384+1968Byte个数据
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