第一篇文章主要介绍了一些概念(CH CE Lun Plan Block Page Cell),这些概念也是行业内的统一的。NAND Flash的主要作用就是存储,存储就存在Cell(有SLC、TLC的cell)中,拿SLC来说,一个cell就存一个bit,那么大家可以想象以计算机的庞大数据量来讲,一个操作系统就算一个G(1024M=8589934592bit),那都已经超过一个32位unsigned int型的范围了,所以计算机也不会傻到一个bit一个bit去计算位置,然后存起来。就想你家的米仓库一样,你也不会一粒一粒去存,都是一袋一袋去存,这也是分化打包的方法。我觉得NAND 存储的原理也差不多。言归正传,下面讲一下NAND Flash的data sheet中的一些信息:
NAND 是个存储的器件,对于使用者来说要考虑的就是,我把数据存进去,然后能完好的拿出来就行,存进去就需要考虑存到哪里(访问地址)。
从Data sheet来看第一看这个闪存的组织架构:
1.得了解你手上的NAND Flash有多大,能存多少数据:以下面一个Lun的TLC mode为例:
一个Lun有4个Plan,一个Plan有552个block,一个Block有2112个Page,一个Page能存16384+1968Byte个数据