从SSD角度学习NAND Flash(四)

前面有讲到cell的概念，然后通过一系列操作从cell中读出是1还是0。
我们先看看一下cell的电压分布图，横轴表示阈值电压，竖轴表示存储单元电压分布:

cell的编码，好像这个跟每家的NAND设计有关系，MLC的编码
L0: 11
L1: 01
L2: 00
L3: 10
这个是采用格雷码编码的方式得出的编码值，格雷码与二进制编码不同的地方就是格雷码相邻的编码只有一个bit不一样。

这样有的好处:当某L1和L2的电压区间由于使用次数增加，导致电压区域出现交叠现象的话，格雷码只会有一位出现问题(01----00)，而二进制就会有两个bit出现不一样（10—01)
TLC的格雷码编码(低位为Lp的编码)

根据第一幅图的电压分布(横轴是阈值电压，图上标Lp指的是LowPage的Vref read电压),可以看出Lp要读两次，upper page要读3次，extra page要读2次，才能确定各个page中的cell对应的值是0还是1.这个也说明upper page读起来是最慢的。
可能这边看着有点迷糊，我再尝试解读一下。
1.读这个cell，目的就是判断当前这个TLC的cell，Lower page/upper page /extra page 3个page中的bit是1还是0.这个时候实际操作就需要用到Lp要读(这个读是指Vref要调节)两次，upper page要读3次，extra page要读2次。
2.电压分布图和TLC的格雷码编码是对应的。只不过这个时候就没有上面读几次的说法了，就相当于完成读几次之后，判断当前cell在电压分布图的哪一个正弦函数上，这样就能知道3个page的bit对应的值了。