# 课堂测试（CH6）20155218

课堂测试（CH6）

1. 下面代码中，对数组x填充后，采用直接映射高速缓存，所有对x和y引用的命中率为（D）

A .
1
B .
1/4
C .
1/2
D .
3/4

解析：在x[0],y[0]时发生强制不命中，在x[4],y[4]时发生冲突不命中。1-4/16=3/4

2. 有关高速缓存的说法正确的是（ACD）

A .
高速缓存的容量可以用C=SEB 来计算

B .
高速缓存容量为2048，高速缓存结构为（ 32 ，8，8，32）

C .
直接映射高速缓存要：组选择、行匹配、字抽取

D .
当程序访问大小为2的幂的数组时，直接映射高带缓存中常发生冲突不命中

解析：高速缓存结构可以用元组（S,E,B,m）来描述。C＝SEB;但是不知道B哪里错了。查看别人的博客里面写的是因为（（32），8，8，32）；

3. 下面说法正确的是（ABC）

A .
存储层次结构中最小的缓存是寄存器
B .
存储层次结构的中心思想是每一层都缓存来自较低一层的数据对象
C .
L4主存可以看作是L5：本地磁盘的缓存
D .
L4主存可以看作是L6的缓存

解析：对于每个k，位于k层的更快更小的存储设备作为位于k+1层的更大更慢的存储设备的缓存，即层次结构中的每一层都缓存来自较低一层的数据结构。位于顶端的cpu寄存器组必然是最小的缓存，则L4主存为下一级L5的缓存。

4. 有关缓存的说法，正确的是（AC）

A .
LRU策略指的是替换策略的缓存会选择最后被访问时间距现在最远的块

B .
不同层之间以字节为传送单元来回复制

C .
缓存不命时，决定哪个块是牺牲块由替换策略来控制

D .
空缓存的不命中叫冲突不命中

解析：不同层的数据以块大小为传送单位；空缓存的不命中称为强制不命中和冷不命中。

5. 程序中（C）语句具有良好的局部性

:
A .
顺序

B .
分支

C .
循环

D .
以上都是

6.有关局部性原理，说法正确的是（）

:
A .
程序访问一个向量，步长越小或短，空间局部性越好

B .
局部性有两种形式：空间局部性，时间局部性

C .
程序访问一个向量，步长越大空间局部性越好。

D .
硬件、OS，应用程序都会用到局部性原理

解析：程序访问一个向量，步长越小空间局部性越好。

7.下面说法正确的是（ABCD）

:
A .
CPU通过内存映射I/O向I/O设备发命令

B .
DMA传送不需要CPU的干涉

C .
SSD是一种基于闪存或Flash的存储技术

D .
逻辑磁盘块的逻辑块号可以翻译成一个（盘面，磁道，扇区 ）三元组。

8.有关磁盘操作，说法正确的是（ACD）

:
A .
对磁盘扇区的访问时间包括三个部分中，传送时间最小。

B .
磁盘以字节为单位读写数据

C .
磁盘以扇区为单位读写数据

D .读写头总处于同一柱面

解析：磁盘以扇区为单位读写数据

9.下面代码的步长是（C）

A .

1
B .

N
C .

N*N
D .

NNN

解析：假设N为2，则内容依次为000，001，010，011，100，101，110，111.由此可见步长为4.

10.下面（B）是I/O总线

A .
USB

B .
PCI

C .
网卡

D .
图形卡

解析：输入输出设备都是通过I/O总线，例如intel的外围设备互联（Peripheral Component Interconnect,PCI）总线连接到CPU和主存的。

11. 计算下面磁盘的容量（C）：4个盘片，100000个柱面，每条磁道400个扇区，每个扇区512个字节

A .
81.92GB
B .
40.96GB
C .
163.84
D .
327.68GB

解析： n×t×s×b；其中n为保存数据的总盘面数；t为每面磁道数；s为每道的扇区数；b为每个扇区存储的字节数。而题目中为4个盘片，所以应有8个盘面；容量=2x4x100000x400x512=16384000000字节=163.84G

12.有关RAM的说法，正确的是（ADEG ）

A .
SRAM和DRAM掉电后均无法保存里面的内容。

B .
DRAM将一个bit存在一个双稳态的存储单元中

C .
一般来说，SRAM比DRAM快

D .
SRAM常用来作高速缓存

E .
DRAM将每一个bit存储为对一个电容充电

F .
SRAM需要不断刷新

G .
DRAM被组织为二维数组而不是线性数组

### 解析：在p400页课本上，“SRAM的存取比DRAM快”，不知道选项C哪里错了。

转载于:https://www.cnblogs.com/xzh1996/p/7898353.html