存储器2

2的10次方等于1024 即1K(看做是数量单位),主要用来表示地址线的所有组合数量

半导体存储器的结构:

    

片选信号的作用:可以让某个芯片或者某些芯片同时进行工作

半导体芯片的译码驱动方式:

    解决的问题是:如何根据给定的地址信号获得对应的存储单元

    1)线选法,将存储单元的地址像一位数组那样编址,不适用与容量大的存储器,因为容量过大时,地址线就要很多很多

    2)重合法,相比线选法,多了行地址和列地址的概念,将存储单元像二维矩阵那样编址,同时行地址和列地址某个时刻只能有一个有效。适用于大容量的存储器

    

---------有了以上基本呢知识就可以针对每一种存储器进行分析了

随机存取存储器(RAM)

      静态RAM(SRAM):基本单元电路(只能存储1为数据,实际使用需要多个基本单元电路组合起来)如图,主要存储数据的是双稳态触发器

      

            静态RAM基本单元电路的读操作:

          

    

            静态RAM基本单元电路的写操作:需要在T1-T4构成的电路的A端和A‘端写入相反的数据(要求)

          

     动态RAM(DRAM):基本单元电路(只能存储1为数据,实际使用需要多个基本单元电路组合起来)如图,主要存储数据的是利用电容的充电房放电。读取的数据和存储的数据相反,所以需要在读数据线上加上非门,图下是三管的,还有单管的

            

         由于DRAM是由电容来存储数据,具有易失性,所以使用的时候需要刷新,且刷新只与行地址有关,与列地址无关,也就是说刷新是一次性刷新一行的存储单元的数据。由于DRAM的行列地址可以缓存起来,所有DRAM的引脚数相比SRAM更少。具体的DRAM和SRAM的对比如下图:

      

    所以一般的内存用的是DRAM,而内存与cpu之间的高速缓存用的是SRAM

      

      

 

转载于:https://www.cnblogs.com/wanjn/p/7795733.html

相关资源:存储器代码 vhdl
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