一、Q-lens技术解决什么问题
前文谈到,决定图像传感器性能的最大的因素是单像素点的有效进光量。从FSI到BSI,从BSI到ISOCELL的技术改进,核心问题也是如此。今天给大家介绍一项Q-lens技术,可有效提升单像素有效进光量,提升图像传感器的感光性能。
Q-lens是由SK Hynix独创的一项技术,官方信息称,在其40纳米工艺的13M像素的BSI感光芯片中加入Q-lens技术,可使感光芯片效率提升至少5%。在Pixsize不断减小的时代,要确保或提升芯片的整体性能和最终画质,Q-lens无疑是一项新兴的有效方法。
二、Q-lens技术原理
传统的BSI感光芯片共四层,自上而下分别是微透镜层、滤色片层、感光元件层、线路层。Q-lens技术即在滤色片层和感光元件层之间加了一层特别的Lens,这层Lens用以聚光,使光线能更有效落在感光元件上,从而提升图像传感器的感光效率。
三、市场需求在哪里
众所周知,单像素尺寸(Pixsize)加大,单像素的物理入光量就增加,其感光能力就更强,整体成像效果也更优秀。但随之像素的不断拉高,从5M到8M,到如今的20M甚至42M,像素数量的增加以致芯片面积的不断加大,手机摄像头模组的体积不断加大。在此环境下单像素尺寸只能减小,从1.4微米减小到1.12微米,甚至1.1微米。但单像素减小换来的是芯片感光能力的下降,画质的下降。
为此业界一直有二种路线之争:一种是以苹果为代表的大像素路线,单像素去到1.5微米,单像素数量只有800万,这个路线在美国以外的市场似乎并不太受欢迎。另一种是以三星为代表的高像素路线,把像素数做到1600万、2000万甚至4200万个,单像素(Pixsize)就不得已要减小到1.12微米甚至更小,如此单像素感光效率大大下降了,整体画质表现下滑。因此在小Pixsize普及的时代,Q-len技术加入可有效的提升感光效率,提升画质效果,该技术普及应指日可待。