SSD及其在数据库中的应用 （一）技术介绍

1. SSD卡内部结构

    为什么SSD比传统的HDD快很多? 

    首先，它没有寻道等机械操作的时间，另外一个重要因素，是因为，NAND芯片之间是并行的读写。

    这也就是为什么么，同一系列的SSD，容量更大的读写速度更快，容量大，芯片多，并行度高，当然更快。

    不过，速度的增长还是要受到接口标准极限的限制。

2. 单元结构

  下面图中，是NAND芯片内实际的存储单元：浮栅二级管；

   在字符线上加上20V的电压后，电子通过 “隧穿效应” 穿过了绝缘层，到达浮置栅极；

   当电子数量超过一定的阈值，即达到了一定的电压标准后，就表示一个bit的0，我们说它被编程了；

   在位线上加20V电压，电子回到基地，表示一个bit的1，叫做被擦除；

   SSD的特性之一：修改数据前必须做擦除。从它的原理图可以看出，如果不擦除，那么电子就一直呆在浮置栅极中了，没法表示0。而擦除的操作是非常耗时的，SSD就把一定量的存储单元的位线并联到一块，同时擦除，保证擦除时间在可接受的范围之内。

3. 存储结构

   SSD的存储结构，有小及大为：

   page→block→plane→die→闪存片→SSD

   Page（4K）是最小的读写单元；

   Block（由多个Page组成，例如：256个Page），它是SSD最小的擦除单元；

4. 闪存类型

   上面的浮栅二极管为单层结构，由它组成的SSD我们成为SLC（Single-Leve Cell）类型。

    生产商还制造出了两层（MLC，multi-level Cell）及三层（TLC，Triple-level Cell）类型的存储单元。

    随着层数的增多，能否表示的位数增加了，可制造的容量就增加了，例如，TLC有1TB的SSD。

    但相应的，P/E（可擦写次数）及稳定性却降低了。下面给出了各自的例子。大家感受一下。

     注释：E-MLC，即，企业级MLC。

   

   

    如果单纯从P/E来考量，SLC的性价比占优。

5. 防止SSD很快被玩坏（Wear out）的技术

   TLC的P/E，即，可擦写次数，才1000次，OMG，哪不是很快就坏了？

    供应商当然不会制造这样的挨骂产品，SSD的控制器使用了多种技术来保证存储单元的到均衡的擦写，避免不必要的P/E消耗。

     例如：Wear leveing（磨损均衡技术）。可以这样简单的理解，当SSD需要修改某个块的内容的时候，会先把块的内存取出修改，然后找到一个当前P/E次数少的块写入。避免了某些块反复擦写，很快被击穿无法再使用。

     再例如，用TRIM机制，及时通知SSD，让被删除的文件所在的块及早进入GC状态。

     通常，消费级的SSD能达到的效果， 128G SSD，每天写35GB，正常使用3年左右。这是用P/E公式算出来的理论值，哈哈，如果你的SSD不幸提前被终结，只能怪内什么哈。

6. 接口类型
     支持的接口类型不同，主要影响了带宽，读取速度。当前消费级SSD的接口，多为SATAIII

     

      用软件测试接口类型，常常会乌龙。所以最直接的方式，还是自己去开机箱看看，接口旁边的标识。

       SATA3G 就是 SATA2.0，SATA6G就是 SATA3.0。两个的速度可是翻倍的关系，一定看清。

       

       下一节我们来聊聊SSD的装配优化及使用维护。