之前做项目一直没有留意NAND的写保护问题,一般就随便找个IO来
控制,最近几个项目口线比较紧张,于是将WP拉到电源上了,于是...
出问题了.....
先是客户反应文件会在使用过程中损坏,(怎么可能?在这个过程中
并没有任何的写动作,当然,正常情况下没有写动作)而且几率很高,
常温下老化一段时间就会出问题,天哪,这在以前可是从来没碰到,
这可是致命的问题.问了另外几家客户,并没有发现此类问题,
他们使用SAMSUNG的居多,也有几家使用Hynix的,都很正常.初步判断
和系统软硬件环境有关,于是针对这个问题做了2组测试:
1. 在系统软件中,将擦写NAND的各个函数都设置断点,追踪写操作
2. 仔细分析PCB,发现RE,WE易受TFT LCD的干扰,将WP接地测试
经过1天的老化测试,发现出问题后并没有发生写操作,也就是说可以
排除软件的问题,和Layout有关.
教训: Layout时要注意WE, RE走线, 尽可能远离干扰源, WP一定要
受控,这样才能保证NAND的安全. FK Hynix!
控制,最近几个项目口线比较紧张,于是将WP拉到电源上了,于是...
出问题了.....
先是客户反应文件会在使用过程中损坏,(怎么可能?在这个过程中
并没有任何的写动作,当然,正常情况下没有写动作)而且几率很高,
常温下老化一段时间就会出问题,天哪,这在以前可是从来没碰到,
这可是致命的问题.问了另外几家客户,并没有发现此类问题,
他们使用SAMSUNG的居多,也有几家使用Hynix的,都很正常.初步判断
和系统软硬件环境有关,于是针对这个问题做了2组测试:
1. 在系统软件中,将擦写NAND的各个函数都设置断点,追踪写操作
2. 仔细分析PCB,发现RE,WE易受TFT LCD的干扰,将WP接地测试
经过1天的老化测试,发现出问题后并没有发生写操作,也就是说可以
排除软件的问题,和Layout有关.
教训: Layout时要注意WE, RE走线, 尽可能远离干扰源, WP一定要
受控,这样才能保证NAND的安全. FK Hynix!