大二下 · 笔记
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BUAA电子信息大二在读
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【模电笔记(4)】基本放大电路(构成原理、性能指标、三种组态、两种分析方法)
MOS JFET期中不考,就不写了:):温度影响的三个指标βcβ1dTdβ≈0.5∼1.0∘CVBEΔTΔVBE≈−2.1mT∘CICBOICBOTICBOT0∗210T−T0。原创 2024-05-07 15:10:11 · 2524 阅读 · 0 评论 -
【模电笔记(2)】半导体基础(三极管BJT)
上篇补充:【模电笔记(1)】PN结、二极管、错题整理目录1 常用半导体器件1.3 双极结型三极管(BJT)1.3.1 结构及类型1.3.2 电流放大的工作原理1.3.3 BJT伏安特性特性曲线1.3.4 BJT主要参数1.3.5 BJT大信号模型1.3.6 BJT小信号模型1.3.7 频率特性1 常用半导体器件1.3 双极结型三极管(BJT)思路:【组成、工作原理(定性)】⟶定性到定量\stackrel{定性到定量}{\longrightarrow}⟶定性到定量【伏安特性曲线(测量法)】⟶器件建原创 2024-05-05 17:01:35 · 2234 阅读 · 3 评论 -
【模电笔记(1)】半导体基础(PN结、二极管、错题整理)
网课:b站郑益慧模电校内教材:电子线路基础(张晓林,张凤言)原创 2024-03-07 23:37:21 · 2028 阅读 · 0 评论 -
【信号与系统】笔记一(1分类2基本信号)
冲激函数的描述性定义δt0t≠0∫−∞∞δtdt1⎩⎨⎧δt0∫−∞∞δtdt1t0冲激函数的广义函数定义∫−∞∞δtφtdtφ0∫−∞∞δtφtdtφ0广义函数【概念】定义在一类“性质很好”的函数空间上的连续线性泛函。Ngφt∫−∞∞gtφtdtNgφt)]∫−∞∞gtφtdt公式所需对应部分检验函数φt。原创 2024-02-21 20:35:26 · 1337 阅读 · 1 评论