hermit256的博客

国外头部MCU厂家一直都是这么几个：英飞凌（德国），瑞萨（日本），NXP（恩智浦，荷兰），ST（意法半导体），微芯（Microchip，美国），TI（德州仪器，美国）。

可以考虑的一种做法是，PCB上做一个正方形或长宽比小于3：1的长方形地平面，与结构地连接，高频信号通过这个连接了结构地的地平面进行滤波。母线回线：母线电压的基准地，可以理解为各种电源地。这个回线要求最后单点接入结构地，对接入的阻抗也是有要求的，不可以太大，否则会使结构地与回线之间压差过大。提供基准是各种电源地的工作，最终的结构地为所有的电源地提供最终汇聚点或者说最低基准。结构地：航天器跟地面最大的不同，是航天器没有大地这个等势体，因此将航天器的结构外壳视同大地，作为整个航天器的等势体，也就是电位最低点。

LVDS本身是电流型的接口，即输出为3.5mA左右的电流，当外部通信线路上提供合适的RL（一般为100Ω~120Ω）时，形成导通环路，整个环路上挂接的接收端会有合适的差分电平VID（350mV左右）。之前用LVDS的时候，我还是习惯一对一的用法，不过芯片手册里面一般都会提到LVDS可以允许一发挂多收的情况。3）选择接收器时，需选择允许总线高阻抗模式的接收器，以满足部分节点可能会断电的情况。2）且中间其他接收器的分支要尽量短，以减少线路上的反射噪声。4）允许接入接收器的上限，需查看发送器手册确定。

SSD硬盘就是一整片的NAND FLASH加一个存储管理芯片，目前常用的NAND有TCL跟QCL两种颗粒，一般来讲，状态越多可靠性越低，所以有说法是QCL寿命更短一些，前一阵子看有人建议SSD尽量选TCL颗粒的，理由是现在的多层技术已经可以做到整盘用TCL颗粒存储密度跟用QCL差不多，但TCL寿命更长一点。另外，前一阵子跟EVERSPIN的技术人员交流，听说EVERSPIN正在努力研发大容量的非易失型MRAM，以MRAM存储的灵活性，如果存储容量可以提升，则采用大容量的MRAM会是更好的存储方案。

对M-LVDS接口，本身总线驱动电流已经增强，为12mA左右，选取50Ω终端电阻，则差分电压为±600mV，器件正常工作；而传统LVDS电平标准中，一般共模电压在1.2V左右，差模电压范围在±100mV~±600mV之间，一般典型值为350mV，对应总线上电流为3.5mA，选取终端电阻为100Ω。因此对传统LVDS而言，假设选取终端电阻为100Ω，一旦线路上同时两路发送，则线路电流为7mA，差分电压达到±700mV，已经超过器件允许范围了。这年头，真的是只有用户想不到的，没有芯片厂家做不出来的。

输入芯片丝印，查询对应型号。

最近需要用到多路RS422接口挂接设备，但CPU的接口数量有限，因此需要进行接口扩展。