- 博客(163)
- 收藏
- 关注
原创 【DRAM存储器七十二】DDR5介绍--RFM——防御“行锤”攻击的护城河
简述DDR5 Refresh Management (RFM) 刷新管理功能工作原理及其应用
2026-07-14 16:50:52
57
原创 【DRAM存储器七十一】DDR5介绍--On-Die ECC—藏在颗粒内部的“数字保险库”
DDR5内置On-Die ECC系统通过SEC(单错误纠正)和ECS(错误清除)机制提升数据可靠性。SEC作为基础功能默认启用,自动纠正读写中的单比特错误;ECS则通过定期扫描预防错误累积,支持手动/自动两种模式。专用模式寄存器(MR16~MR20)记录错误热点,帮助定位硬件故障。这种多层保护体系显著提升了DDR5的数据稳定性,尤其适用于服务器等高可靠性场景。
2026-06-25 10:52:42
57
原创 【DRAM存储器七十】DDR5介绍--Write Pattern Command— 一块“定制印章”的妙用
简述DDR5 Write Pattern Command原理与应用场景
2026-06-22 10:35:23
75
原创 【DRAM存储器六十九】DDR5介绍--2N mode 和 CS Geardown mode
摘要: DDR5内存速率提升至8400MT/s以上时,信号完整性成为关键挑战。JEDEC在JESD79-5B标准中引入2N Mode和CS Geardown Mode两项技术,通过“时间换稳定性”优化时序裕量。2N Mode默认启用,将命令周期延长至两倍时钟周期,增强全局命令稳定性;CS Geardown Mode则针对片选信号(CS_n)降低采样频率,提升局部信号容错能力。两者均需通过特定寄存器配置,适用于高频场景下的性能与稳定性平衡。这些技术为DDR5在高频运行中提供了可靠的时序保障。
2026-06-01 10:13:55
103
原创 【DRAM存储器六十八】DDR5介绍--DQS Interval Oscillator—动态时序校准利器
DDR5内存采用DQS间隔振荡器(DQSIntervalOscillator)技术应对高速数据传输中的时序漂移问题。该技术通过测量DQS信号在可编程时间窗口内的振荡次数(16位计数值),动态监测温度/电压变化导致的DQS-DQ延迟偏移。控制器通过MPC命令启停振荡器,读取MR46/MR47寄存器获取计数值,并与基准值对比来调整DQS相位,确保数据采样窗口始终处于最佳位置。该机制使DDR5在8400MT/s高速率下仍能保持数据可靠性,有效补偿±0.48tCK的时序偏移。
2026-05-27 09:54:01
86
原创 【DRAM存储器六十五】DDR5介绍--训练相关之MPC、Read Training Pattern、Read Preamble Training Mode
简述DDR5 MPC操作和读训练时颗粒输出pattern的配置
2026-03-03 17:07:35
279
原创 【DRAM存储器六十四】DDR5介绍--preamble、postamble、interamble、刷新、power down、MPSM
简述DDR5 reamble、postamble、interamble、刷新、power down、MPSM的功能定义
2026-02-26 18:26:26
267
原创 【DRAM存储器六十一】LPDDR5介绍--LPDDR5/5X/4/4X IO结构
简述LPDDR5/5X/4/4X IO结构及等效电路下的VREF理论值计算
2025-12-12 15:48:34
416
原创 【DRAM存储器五十八】LPDDR5介绍--IO结构,VREF和ODT有什么关系?
详述LPDDR5/5x的IO结构,计算VREF理论值与ODT值的关系
2025-09-30 15:57:26
528
原创 【DRAM存储器五十七】LPDDR5介绍--read DQ training和WCK DQ training
简述LPDDR5训练中的读写DQ训练
2025-08-27 10:34:33
464
原创 【DRAM存储器五十六】LPDDR5介绍--WCK2CK Leveling和Read gate training
简述LPDDR5 WCK2CK leveling和read gate traning基本原理与操作步骤
2025-08-05 16:51:04
8620
原创 【DRAM存储器五十五】LPDDR5介绍--command bus training
本文详细介绍了LPDDR5命令总线训练(CBT)的两种模式操作流程。在启用ODT进行高频/中频操作前,必须对命令总线进行训练,包括调整VREF(CA)电压和CA/CS信号时序。两种模式的主要区别在于VREF(CA)设置方式:模式1通过MR12直接设置,模式2通过DMI[0]引脚捕获DQ[6:0]数据更新MR12。训练流程涉及频率切换、模式寄存器配置、pattern发送及结果采样等步骤,最终确定最佳VREF(CA)和时序参数。文章还分析了不同PHY实现可能存在的差异,如训练pattern生成方式和采样次数等。
2025-07-29 19:52:57
579
原创 【DRAM存储器五十二】LPDDR5介绍--CK、WCK、RDQS单端模式、Thermal Offset、Temperature Sensor
首先,介绍了在速率低于1600Mbps时,可以通过特定寄存器设置启用CK、WCK、RDQS单端模式以节省功耗,并详细说明了模式切换的方法。其次,讨论了ThermalOffset问题,即由于内存颗粒靠近CPU导致的温度不均匀现象,以及如何通过设置MR13的bit[1:0]来调整温度偏移梯度,确保TCSR(温度补偿自刷新)功能的准确性。最后,文章介绍了LPDDR5内部的温度传感器及其通过MR4寄存器获取温度状态的方法,强调了温度对刷新间隔的影响及控制器在温度管理中的重要性。
2025-05-14 20:23:00
963
原创 【DRAM存储器四十九】LPDDR5介绍--LPDDR5的低功耗技术之power down、deep sleep mode
简述LPDDR5的power down和deep sleep mode
2025-04-02 19:50:13
1115
原创 【DRAM存储器四十八】LPDDR5介绍--LPDDR5的低功耗技术之Data copy、write X
简述LPDDR5的Data copy和write X功能
2025-04-02 19:40:00
834
原创 【DRAM存储器四十五】LPDDR5介绍--WCK operation,WCK和CK如何达成sync?
简述LPDDR5的WCK2CK sync操作命令和操作时序
2025-02-07 16:32:31
874
原创 【DRAM存储器四十二】LPDDR5介绍--LPDDR5的bank架构还能配,为什么8B模式只支持BL32?
简述LPDDR5的三种bank架构及其特点
2024-12-11 20:23:10
1147
原创 【DRAM存储器四十】LPDDR4/DDR4的时序训练相关内容之command bus training,为什么LPDDR4的DQ线序调整要告诉CPU,而DDR4调DQ则不用?
简述LPDDR4 command bus training相关内容
2024-09-14 17:43:38
863
SFP+光模块低速和高速接口电气特性规范 SFF-8431
2023-09-20
DDR5 UDIMM、SODIMM PMIC规范,JESD301-2
2023-04-24
DDR5 UDIMM Raw Card Annex ,DDR5 UDIMM规范附录A~E
2023-04-24
DDR5 UDIMM Common Standard,JESD308
2023-04-24
cadance allegro 17.4软件操作保姆级教程
2023-03-27
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人
RSS订阅
1