一些常识
文章平均质量分 63
篷篙人
这个作者很懒,什么都没留下…
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上下拉电阻总结
上拉电阻:1、当TTL电路驱动COMS电路时,如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平(一般为3.5V),这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。2、OC门电路必须加上拉电阻,才能使用。3、为加大输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。4、在COMS芯片上,为了防止静电造成损坏,不用的管脚不能悬空,一般接上拉电阻产生降低输转载 2009-02-05 20:06:00 · 607 阅读 · 0 评论 -
EEPROM工作原理是怎样的?
PROM是可编程器件,主流产品是采用双层栅(二层poly)结构,其中有EPROM和EEPROM等,工作原理 大体相同,主要结构如图所示: 浮栅中没有电子注入时,在控制栅加电压时,浮栅中的电子跑到上层,下层出现空穴。 由于感应,便会吸引电子,并开启沟道。 如果浮栅中有电子的注入时,即加大的管子的阈值电压, 沟道处于关闭状态。这样就达成了开关功能。 如图2所示,这是转载 2009-06-22 09:00:00 · 15240 阅读 · 2 评论 -
FLASH存储器和EEPROM存储器的区别
FLASH存储器和EEPROM存储器的区别1、首先从IO引脚占用方面比较,EEPROM只需占用两个IO引脚,时钟(clk)和数据(data)引脚,外加电源三个引脚即可,符合I2C通讯协议。而FLASH需要占用更多IO引脚,有并行和串行的,串行的需要一个片选(cs)引脚(可用作节电功耗控制),一个时钟(clk)引脚,FLASH读出和写入引脚各一个,也就是四个。并行的需要8转载 2009-06-19 11:23:00 · 9967 阅读 · 2 评论 -
CRC校验原理
1、循环校验码(CRC码):是数据通信领域中最常用的一种差错校验码,其特征是信息字段和校验字段的长度可以任意选定。2、生成CRC码的基本原理:任意一个由二进制位串组成的代码都可以和一个系数仅为‘0’和‘1’取值的多项式一一对应。例如:代码1010111对应的多项式为x6+x4+x2+x+1,而多项式为x5+x3+x2+x+1对应的代码101111。3、CRC码集选择的原则:若设码转载 2009-06-12 20:38:00 · 1196 阅读 · 0 评论 -
最全面的网络协议图
最全面的网络协议图,确实不错,值得学习!希望和大家分享!转载 2009-04-09 21:37:00 · 892 阅读 · 0 评论 -
rfid的防冲撞功能到底是什么含义呢?
rfid的防冲撞功能到底是什么含义呢?1、当多个标签同时收到命令,又同时发出信息,给READER造成信息的交叉干扰,以致分不清谁是谁,这就是冲突。2、微观上‘同时读取天线范围内的多个标签’是不可能的,宏观上是可以的。即标签是分时识别的,但人感觉不到,认为是同时。3、因为如果同时拿两张射频卡--距离很近,就提示‘防冲撞失败’,每次只能读一个标签。并不能同时读取,这是对的!但可以通过命令,让一张先说原创 2009-04-13 19:14:00 · 8514 阅读 · 2 评论 -
我国将对部分信息安全产品强制认证 智能卡COS
近日,国家认监委(国家认证认可监督管理委员会)发布公告,决定对部分信息安全产品实施强制性认证,从2009年5月1日起,未获认证产品不得出厂、销售、进口或使用。 公告说,根据《产品质量法》、《标准化法》、《进出口商品检验法》、《认证认可条例》、《强制性产品认证管理规定》和《关于建立安全产品认证认可体系的通知》,将对边界安全、通信安全、身份鉴别与访问控制、数据安全、基础平台、内容安全、评估审计与监控原创 2009-04-13 18:19:00 · 1475 阅读 · 0 评论 -
什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别
ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设转载 2009-03-26 20:38:00 · 659 阅读 · 0 评论 -
DRAM SRAM SDRAM区别
刚才看了书,对sram dram的理解加深了一些,下面这个说法其实很不全面,推荐看看书来了解一下为什么dram要刷新,sram不需要这个是由于ram的设计类型决定的,dram用了一个t和一个rc电路,导致电容毁漏电和缓慢放电。所以需要经常的刷新来保持数据 DRAM,动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据。 而且是行列地址复用的,许多都有页模式。 SRAM,静态的随机存取转载 2009-03-19 21:16:00 · 1153 阅读 · 0 评论 -
数据通信基础
一、数据通信的构成原理、交换方式及适用范围1.数据通信的构成原理 DTE是数据终端。数据终端有分组型终端(PT)和非分组型终端(NPT)两大类。分组型终端有计算机、数字传真机、智能用户电报终端(TeLetex)、用户分组装拆设备(PAD)、用户分组交换机、专用电话交换机(PABX)、可视图文接入设备(VAP)、局域网(LAN)等各种专用终端设备;非分组型终端有个人计算机终端、可视图文终端、用户转载 2009-02-11 12:22:00 · 1205 阅读 · 0 评论 -
数字信号的载波调制
摘要:由于数字电视系统采用数字传输,而在传输系统中都使用到了数字调制技术,本文就对ASK、FSK、PSK、QAM等数字调制方法进行详细的介绍。 1934年美国学者李佛西提出脉冲编码调制(PCM)的概念,从此之后通信数字化的时代应该说已经开始了,但是数字通信的高速发展却是20世纪70年代以来的事情。随着时代的发展,用户不再满足于听到声音,而且还要看到图像;通信终端也不局限于单一的电转载 2009-02-11 12:13:00 · 17276 阅读 · 2 评论 -
CAN、I2S、I2C、SPI、SSP总线简介
一、SPI总线说明 串行外围设备接口SPI(serial peripheral interface)总线技术是Motorola公司推出的一种同步串行接口,Motorola公司生产的绝大多数MCU(微控制器)都配有SPI硬件接口,如68系列MCU。SPI 用于CPU与各种外围器件进行全双工、同步串行通讯。SPI可以同时发出和接收串行数据。它只需四条线就可以完成MCU与各种外围器件的通讯,这四转载 2009-02-06 22:51:00 · 5436 阅读 · 4 评论 -
NOR Flash 和 NAND Flash比较
NOR Flash 生产厂商有 Intel和ST, Nand Flash厂商有Hynix,micon,Samsung,Toshiba和Fujitsu等。2006年NAND将占据59%的闪存市场份额,NOR的市场份额将下降到41%。而到2009年时,NAND的市场份额将上升到65%,NOR的市场份额将进一步下滑到35%。Nand 主要应用:Compacflash,Secure Digi-tal,Sm转载 2009-02-04 20:07:00 · 667 阅读 · 0 评论 -
__stdcall,__cdecl,_declspec,__fastcall的区别
DWORD WINAPI ThreadProc(LPVOID lpParameter); 不解为什么要用WINAPI宏定义,查了后发现下面的定义。于是乎需要区别__stdcall 和 __cdecl两者的区别:#define CALLBACK __stdcall#define WINAPI __stdcall#define WINAPIV __cdecl#define转载 2009-11-25 19:14:00 · 1103 阅读 · 0 评论