晶圆表面金属的清洗

引言

随着器件的集成化，对Si晶片的要求也变得更加严格，降低晶片表面的金属污染变得重要，这是因为Si晶片表面的金属污染被认为是氧化膜耐压和漏电流等电特性劣化的原因。在Si晶圆的清洗中RCA清洗被广泛使用，为了提高表面的清洁度，进行了清洗法的改良，降低使用的超纯水、药品中的污染等方面的努力。今后为了进一步提高表面清洁度，有必要比以前更多地减少工艺中的污染，但这并不是把污染金属集中起来处理，而是考虑到每个元素在液体中的行为不同，在本文中，介绍了关于Si晶圆表面金属在清洗液中的行为的最近的研究例子。

RCA洗净

除去Si晶圆表面污染的RCA清洗是由NH4OH/H2O2/H20，HF/H2 O，HCl/H2O2/H2O组合而成的。通过NH4OH/H2O2/H2O除去Si晶圆表面的有机物污染以及粒子（微粒子），通过HF除去自然氧化膜和膜中的污染，通过HGl/H2 O2/H2O除去金属污染，形成纯净的自然氧化膜。对于金属污染的除去能力，在各个液体中是不同的。酸系的清洗对Fe，Al，Zn的去除能力很高。与此相对，氨系的清洗对Ni，Cu的去除效果很高 。

晶圆表面金属污染评价法

Si晶圆表面金属污染降低到现在的1010atoms/cm2以下的背景，当然是评价技术水平的提高。在各种分析方法中，作为Si晶圆表面金属污染的评价方法，现在备受关注的有气相分解/原子吸收法（VPD/AAS）