书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:清洗硅片两步法
编号:JFKJ-21-238
作者:炬丰科技
摘要
清洗硅片的方法是:首先将硅片浸泡在成膜溶液中,成膜溶液与脏的硅片反应,在硅片上形成一层膜,然后将硅片浸泡在膜剥离溶液中,去除膜。对于硅片,成膜溶液和脱膜溶液都可以由分别由49%重量的HF和70%重量的HNO3组成的单独的水溶液形成。
采用阶梯法清洗硅
新锯、研磨或研磨的硅片非常脏,如果后续的electronic设备制造过程要成功,就必须清洗。硅片上的污垢成分中有锭子油;硅粒子;硅粉;冷却溶液,包括湿润剂;研磨抛光砂;环氧树脂浇铸化合物;人类手指指纹,可能还有其他材料。
发明摘要
通过使用两步清洗过程,本发明克服了现有技术的晶圆清洗解决方案的上述问题。这个过程将清洗所有类型的晶圆片,并且不会显著地从重掺杂的p型晶圆片中滤出掺杂剂。这种清洗过程对任何工作损坏的表面都特别有用,但不限于工作损坏的表面。
首先,晶圆被处理成膜溶液,它与晶圆和/或污垢反应,在晶圆表面形成一层膜。硅片最好在去离子水中漂洗,然后浸入膜剥离溶液中,去除第一溶液形成的膜,使硅片保持干净。成膜溶液和脱膜溶液均可由分离的水溶液配制而成,该水溶液分别由重量为49%的HF和重量为70%的HNO3组成。