本文来自《炬丰科技-半导体工艺》，探讨了使用BCl3/Cl2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀氮化镓(GaN)光栅的过程，重点关注了刻蚀气体比例和压强对刻蚀速率、侧壁粗糙度和陡直度的影响。实验表明，这些参数的变化显著影响刻蚀效果。
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：GaN光栅的干法刻蚀工艺
编号：JFKJ-21-310
作者：炬丰科技
摘要
研究了基于 BCl3 /Cl2 电感耦合等离子体( ICP) 刻蚀对氮化镓基分布式反馈激光器中光栅的刻蚀，详细研究了刻蚀气体 BCl3 /Cl2 流量比和压强对刻蚀台面侧壁的粗糙度、陡直度以及刻蚀速率的影响，发现以 SiO2 作为硬掩膜，刻蚀速率、台面侧壁粗糙度以及陡直度随着刻蚀气体 BCl3 /Cl2 流量比以及压强变化有着显著变化。
关 键 词: 氮化镓; 分布式反馈; 光栅; 电感耦合等离子体刻蚀; BCl3 /Cl2
引 言
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