书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:超临界二氧化碳清洗晶圆工艺
编号:JFKJ-21-414
作者:炬丰科技
关键词: 超临界 CO2、光刻胶剥离、NEMS、二氧化硅蚀刻
介绍
随着半导体器件不断缩小并变得更快,将需要新的材料和工艺来实现这一进步。
已经提出基于超临界 CO2 (SCCO2) 的技术用于器件制造的各个步骤,例如清洁和沉积。SCCO2 扩散迅速、粘度低、表面张力接近于气体,因此可以轻松渗透到深沟槽和通孔中。它还可以在没有图案塌陷或粘滞的情况下进行清洁。SCCO2 具有液体的溶剂化特性,因此可以溶解醇类和氟化烃等化学物质,形成均质的超临界流体溶液。
已经研究了基于 SCCO2 的工艺,因为它具有剥离光刻胶残留物的潜力(由于它与低 k 材料的兼容性&#x