STM32 HAL库读写内部Flash

最新推荐文章于 2024-08-13 22:05:04 发布
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分类专栏： stm32 文章标签： flash
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STM32 HAL库读写内部Flash

读写内部Flash需要实现 根据输入地址给出它所在的sector，根据扇区编号获取扇区大小
步骤：1.解锁flash
2.根据地址获取需要擦除的扇区，扇区数目，配置擦除结构体，使用擦除函数
3.使用flash写函数将数据写入flash
4.锁flash

读过程：
定义指针 指向地址（需要注意的是存储数据的类型，和读取的类型一致）

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STM32使用HAL库读写内部FLASH
01-06
STM32使用HAL库读写内部FLASH 测试环境： STM32F103RB 20KBytes RAM 128KBytes FLASH 头文件： //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// ...
【HAL库】STM32F407----内部Flash的读写
MQ0522的博客
09-04 8085
【HAL库】STM32F407----内部Flash的读写
【STM32】HAL库Flash读写操作及配置
网易独家音乐人Mike Zhou的博客
01-07 4520
【STM32】HAL库Flash读写操作及配置
使用STM32F103C8T6 HAL库将数据存储在其内部Flash中
最新发布
qq_58404700的博客
08-13 911
然而，这个地址取决于你的 STM32F103C8T6 的具体 Flash 大小（通常是 64 KB，即 0x10000 字节）。STM32F1系列的Flash通常具有页（Page）和扇区（Sector）的概念，其中数据可以按页写入，但必须先擦除整个扇区才能写入新数据。如果你的数据不是从 Flash 的第一个扇区开始写入的，你需要根据你的 Flash 布局来计算正确的扇区号。但是，通常你不会使用到 Flash 的最后一个字节，因为 Flash 的编程和擦除操作需要一些空间来确保操作的正确性和安全性。
STM32G0xx HAL和LL库Flash读写擦除操作
RaphaelCeo的博客
10-11 4150
STM32G0xx HAL和LL库Flash读写擦除操作
STM32F407ZG FLASH + 定时读写FLASH计数值
Suffocatingg的博客
08-24 2792
STM32F407ZG FLASH + 定时读写FLASH计数值
stm32内部Flash读写
时时总结，常常分享
04-01 9711
文章目录1、stm32内部flash介绍2、读写驱动编写3、源码 1、stm32内部flash介绍 2、读写驱动编写 3、源码
STM32F407 Flash操作笔记
热门推荐
xiaogu0322的博客
11-21 2万+
简述STM32F4XX的闪存擦除方式分为两种：扇区擦除（最小单元16K）和整片擦除。在实际应用中，为满足重要信息的存储，需将信息存入FLASH中，针对以上两种擦除方式，扇区擦除更符合实际的需要。
STM32F103单片机HAL库例程-读写单片机内部FLASH实验.rar
03-20
2、代码使用KEIL HAL库开发，当前在STM32F103运行，如果是STM32F103其他型号芯片，依然适用，请自行更改KEIL芯片型号以及FLASH容量即可。 3、软件下载时，请注意keil选择项是jlink还是stlink。 4、技术v：349014857;...
STM32F103C8T6 读写内部FLASH.zip
03-20
总之，理解STM32F103C8T6的内部Flash读写机制，以及如何通过提供的库和工具进行操作，是嵌入式系统开发的基础技能。通过这个压缩包中的资源，开发者可以深入学习并实践这些知识，为实际项目开发打下坚实基础。
STM32 HAL库 Flash读写函数
11-04
以下是一个简单的示例，演示如何使用HAL库读写Flash： ```c #include "stm32f4xx_hal.h" void WriteToFlash(uint32_t Address, uint32_t Data) { HAL_StatusTypeDef status; /* 锁定Flash以防止中断在此期间...
STM32内部FLASH读写(HAL库)
03-13
STM32内部FLASH读写涉及到以下几个关键知识点： 1. **FLASH结构与特性**：STM32的内部FLASH通常分为多个扇区，每个扇区有不同的大小，如16KB或64KB。FLASH具有一定的擦除和编程周期限制，这意味着在一定次数的写...
stm32的HAL库函数flash无法写入的问题
m0_51482794的博客
07-22 4190
在使用HAL库中的HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)函数时发现总是没办法写入（明明写之前使用void FLASH_PageErase(uint32_t PageAddress)函数擦除了flash），查阅资料说是可能是因为固件库HAL_FLASH_Program函数有问题，建议换成寄存器直接操作，但是换成后发现仍有问题，读写入地址的数据任然是0xffffffff。以上可以猜测一下，可能是。
STM32F4读写内部FLASH【使用库函数】
weixin_33766805的博客
11-09 3137
STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片，内部FLASH有1M之多。平时写的代码，烧写完之后还有大量的剩余。有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据。因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作。 【STM32F4 内部Flash的一些信息】 STM32F407VG的内部FLASH的地址是：0x08000000，大小是0x00100000。 写FLAS...
【stm32f407】flash编程
朝气蓬勃
06-26 1万+
一．Flash介绍 不同型号的STM32F40xx/41xx，其FLASH容量也有所不同，最小的只有128K字节，最大的则达到了1024K字节。STM32F4的FLASH容量为1024K字节，如参考手册图: STM32F4的闪存模块由：主存储器、系统存储器、OPT区域和选项字节等4部分组成。主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。分为12个扇区，前4个扇区为1
STM32系列(HAL库)——内部FLASH读写实验_简约版
嵌入式创客工坊的博客
05-28 7392
在此篇文章前，写过另外一篇关于STM32内部FLash读写的文章——点击跳转。之前那篇文章的代码是移植于正点原子的，比较复杂，因为它考虑了写入字节大于1K或2K时需要换页写入的问题。但是在实际使用过程中，我们需要写入的数据常常远小于1K，因此本篇文章的代码适用于写入小量数据使用(即小于1K或2K——取决于单片机最小写入页)。 本次代码是借鉴了CubeMX固件库官方例程的代码，经过和上一篇代码结合整理，比较简约易懂。 1.关于CubeMX的配置 本次实验的选择的是STM32F103C8...
stm32读写内部Flash
weixin_47321452的博客
04-24 1603
stm32内部flash地址架构映射stm32内部flash地址架构映射因为我的stm32f407的内部flash是1M的所以块2不存在，但他的地址仍然存在，只是没有作用，这是stm32的整体框架。主存储器一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候，都是指这个主存储器区域，它是存储用户应用程序的空间，芯片型号说明中的 1M FLASH、2M FLASH 都是指这个区域的大小。
STM32 读写Flash （HAL）
qq_24426625的博客
03-31 4888
此功能每次单片机上电先读取Flash数据，然后将数据写入Flash再串口打印。 读出的数据累加再次写入Flash 这样每次关机后再上电就会继上一次的数累加，实现断电保存数据功能 uint32_t FlashData; uint32_t Flashaddr = 0x08007000; void writeFlashTest(uint32_t writeFlashaddr,uint32_t writeFlashData)//FLASH写入数据 { HAL_FLASH_Unlock();
STM32基于HAL库的读写FLASH
昊月光华的博客
09-26 9102
FLASH，也就是闪存，在stm32里通常被用来放程序代码，而剩余的空间就可以被用户手动去读和写。基于STM32F103ZET6 正点原子的大容量产品，512K的FLASH,共256页，每页2K,比起以前用过的51不知道高了多少倍。以下摘抄自正点原子团队的文档STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。
stm32hal库flash读写
05-13
STM32HAL库提供了一些函数来进行Flash的读写操作，下面是一个简单的例子： ```c #include "stm32f4xx_hal.h" #define FLASH_USER_START_ADDR ADDR_FLASH_SECTOR_6 // Flash起始地址 #define FLASH_USER_END_ADDR ADDR_FLASH_SECTOR_7 // Flash结束地址 #define FLASH_USER_SIZE (FLASH_USER_END_ADDR - FLASH_USER_START_ADDR + 1) // Flash大小 uint32_t flash_data = 0x12345678; // 待写入的数据 int main(void) { HAL_Init(); __HAL_RCC_FLASH_CLK_ENABLE(); // 使能Flash时钟 HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK; // 擦除Flash FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_6, VOLTAGE_RANGE_3); // 擦除第6扇区 // 写入Flash status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, FLASH_USER_START_ADDR, flash_data); if (status != HAL_OK) { // 写入失败 // 处理错误 } // 读取Flash uint32_t read_data = *(uint32_t*)FLASH_USER_START_ADDR; while (1) { // 循环 } } ``` 以上代码演示了如何将数据写入Flash并从Flash中读取数据。需要注意的是，Flash的写入操作需要先进行Flash扇区的擦除操作。在写入Flash时，需要使用`HAL_FLASH_Program`函数进行写入操作。而在读取Flash时，可以直接从Flash地址中读取数据。
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