内存的工作原里（二）

三、技术篇

    1.DDR 、 DDR Ⅱ 技术

    DDR 技术

    DDR SDRAM 是双倍数据速率（ Double Data Rate ） SDRAM 的缩写。从名称上可以看出，这种内存在技术上，与 SDRAM 有着密不可分的关系。事实上， DDR 内存就是 SDRAM 内存的加强版。 DDR 运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与 CPU 完全同步； DDR 使用了 DLL(Delay Locked Loop ，延时锁定回路提供一个数据滤波信号 ) 技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每 16 次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。 DDL 本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，理论上使用原来的工作的频率可以产生 2 倍的带宽。同速率的 DDR 内存与 SDR 内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为 133MHZ DDR="266MHZ" SDR 。从外形体积上 DDR 与 SDRAM 相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。 DDR 内存采用的是支持 2.5V 电压的 SSTL2 标准，而不是 SDRAM 使用的 3.3V 电压的 LVTTL 标准。但是 DDR 存在自身的局限性 —DDR 只是在 SDRAM 基础上作简单改良，并行技术与生俱来的易受干扰特性并没有得到丝毫改善，尤其随着工作频率的提高和数据传输速度加快，总线间的信号干扰将造成系统不稳定的灾难性后果；反过来，信号干扰也制约着内存频率的提升 —— 当发展到 DDR400 规范时，芯片核心的工作频率达到 200MHz ，这个数字已经非常接近 DDR 的速度极限，只有那些品质优秀的颗粒才能够稳定工作于 200MHz 之上，所以 DDR Ⅱ 标准就成了一种进一步提高内存速度的解决方法。

    DDR  Ⅱ 技术

    DDR Ⅱ 相对于 DDR 有三大技术革新， 4 位预取（ DDR 是 2 位）、 Posted CAS 、整合终结器（ ODT ）、 FBGA/CSP 封装。要解释预取的概念，我们必须从内存的频率说起。大家通常说的 “ 内存频率 ” 其实是一个笼统的说法，内存频率实际上应细分为数据频率、时钟频率和 DRAM 核心频率三种。数据频率指的是内存模组与系统交换数据的频率；时钟频率则是指内存与系统协调一致的频率；而 DRAM 核心频率指的是 DRAM 内部组件的工作频率，它只与内存自身有关而不受任何外部因素影响。对 SDRAM 来说，这三者在数字上是完全等同的，也就是数据频率 = 时钟频率 = 核心频率；而 DDR 技术却不是如此，它要在一个时钟周期内传输两次数据，数据频率就等于时钟频率的两倍，但核心频率还是与时钟频率相等。由于数据传输频率翻倍（传输的数据量也翻倍），而内部核心的频率并没有改变，这意味着 DDR 芯片核心必须在一个周期中供给双倍的数据量才行，实现这一任务的就是所谓的两位预取（ 2bit Prefect ）技术； DDR Ⅱ 采用的 4 位预取。这项技术的原理是将 DRAM 存储矩阵的位宽增加一（两）倍，这样在一个时钟周期内就可以传输双（四）倍的数据，这些数据接着被转化为宽度为 1/2 （ 1 ／ 4 ）的两道数据流、分别从每个时钟周期的上升沿和下降沿传送出去。 Posted CAS ： DDR Ⅱ 通过引入 “Posted CAS” 功能来解决带宽利用变低的问题，所谓 Posted CAS ，指的是将 CAS （读 / 写命令）提前几个周期、直接插到 RAS 信号后面的一个时钟周期，这样 CAS 命令可以在随后的几个周期内都能保持有效，但读 / 写操作并没有因此提前、总的延迟时间没有改变。这样做的好处在于可以彻底避免信号冲突、提高内存使用效率，但它只有在读写极其频繁的环境下得到体现，若是普通应用， Posted CAS 功能反而会增加读取延迟、令系统性能下降，因此我们可以根据需要、通过 BIOS 将 Posted CAS 功能开启或关闭（关闭状态下 DDR Ⅱ 的工作模式就与 DDR 完全相同）。    芯片整合终结器，提高了内存工作的稳定性，增强的内存的兼容性。 FBGA 封装和 CSP 封装，封装虽然无法直接决定内存的性能，但它对内存的稳定工作至关重要。  FBGA 封装是 DDR Ⅱ 的官方选择， FBGA 属于 BGA 体系（ Ball Grid Array ，球栅阵列封装），前面已经讲过了。 CSP 封装最大的特点在于封装面积与芯片面积异常接近，两者比值仅有 1.14 ： 1 ，它也是目前最接近 1 ： 1 理想状况的芯片封装技术。这样在同样一条模组中就可以容纳下更多数量的内存芯片，有利于提升模组的总容量。  

    2. 双通道内存控制器技术

    所谓双通道 DDR ，简单来说，就是芯片组可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据。这两个相互独立工作的内存通道是依附于两个独立并行工作的，位宽为 64-bit 的内存控制器下，因此使普通的 DDR 内存可以达到 128-bit 的位宽，如果是 DDR333 的话，双通道技术可以使其达到 DDR667 的效果，内存带宽陡增一倍。双通道 DDR 有两个 64bit 内存控制器，双 64bit 内存体系所提供的带宽等同于一个 128bit 内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作。例如，当控制器 B 准备进行下一次存取内存的时候，控制器  A 就在读 / 写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补 “ 天性 ” 可以让有效等待时间缩减 50% ，双通道技术使内存的带宽翻了一翻。双通道 DDR 的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用三条不同构造、容量、速度的 DIMM 内存条，此时双通道 DDR 简单地调整到最低的密度来实现 128bit 带宽，允许不同密度 / 等待时间特性的 DIMM 内存条可以可靠地共同运作。双通道 DDR 技术带来的性能提升是明显的， DDR266 能够提供 2.1GB/s 的带宽，而双通道 DDR266 则能提供 4.2GB/s 的带宽。以此类推，双通道 DDR333 和 DDR400 能够达到 5.4GB/s 和 6.4GB/s 。

    3.CPU 集成内存控制器技术

    这是 AMD 公司提高 CPU 与内存性能的一项技术，这项技术是一种将北桥的内存控制器集成到 CPU 的一种技术，这种技术的使用使得原来， CPU －北桥－内存三方传输数据的过程直接简化成 CPU 与内存之间的单项传输技术，并且降低了它的延迟潜伏期，提高了内存工作效率。这么做得的目的是为了解放系统的北桥，众所周知，显卡也是通过北桥向 CPU 传输数据的，虽然说早在 GeForce256 时代就有了 GPU 的说法，但是随着现在游戏的进步，画面的华丽，不少数据还是需要 CPU 来做辅助处理的。这些数据传输到 CPU 必然要经过系统的北桥，由于 AMD64 系统将内存控制集成到主般中来了，所以压力减小的北桥便可以更好地为显卡服务。另外，缺少了中间环节，内存和 CPU 之间的数据交换显得更为流畅。但是这项技术也有缺点，当新的内存技术出现时，必须要更换 CPU 才能支持。这在无形间增加了成本。

    4. 其他技术

    A.ECC 内存

    全称 Error Checkingand Correcting 。它也是在原来的数据位上外加位来实现的。如 8 位数据，则需 1 位用于 Parity 检验， 5 位用于 ECC ，这额外的 5 位是用来重建错误的数据的。当数据的位数增加一倍， Parity 也增加一倍，而 ECC 只需增加一位，当数据为 64 位时所用的 ECC 和 Parity 位数相同 ( 都为。在那些 Parity 只能检测到错误的地方， ECC 可以纠正绝大多数错误。若工作正常时，你不会发觉你的数据出过错，只有经过内存的纠错后，计算机的操作指令才可以继续执行。当然在纠错时系统的性能有着明显降低，不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的， ECC 内存的价格比普通内存要昂贵许多。

    B. （ Un ） Buffered Memory  内存

    （ Un ） Buffered Memory ，（不）带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。