硬件设计
文章平均质量分 74
huleide
这个作者很懒,什么都没留下…
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电容充放电时间计算公式
设,V0 为电容上的初始电压值; V1 为电容最终可充到或放到的电压值; Vt 为t时刻电容上的电压值。则, Vt="V0"+(V1-V0)* [1-exp(-t/RC)]或, t = RC*Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]例如,电压为E的电池通过R向初值为0的电容C充电V0=0,V1=E,故充到t时刻电容上的电压为: Vt="E"*[1-exp(-t/RC)]转载 2008-12-18 14:38:00 · 4276 阅读 · 0 评论 -
堆和栈的区别
一、预备知识—程序的内存分配 一个由c/C++编译的程序占用的内存分为以下几个部分 1、栈区(stack)—> 由编译器自动分配释放,存放函数的参数值,局部变量的值等。其操作方式类似于数据结构中的栈。 2、堆区(heap)—> 一般由程序员分配释放,若程序员不释放,程序结束时可能由OS回收。注意它与数据结构中的堆是两回事,分配方式倒是类似于链表,呵呵。 3、全局区(静态区)(static)—>全局转载 2009-03-06 11:20:00 · 453 阅读 · 0 评论 -
多维数组的指针变量
一、多维数组地址的表示方法 设有整型二维数组a[3][4]如下: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 设数组a的首地址为1000,各下标变量的首地址及其值如图所示。 在前面曾经介绍过, C语言允许把一个二维数组分解为多个一维数组来处理。因此数组a可分解为三个一维数组,即a[0],a[1],a[2]。每一个一维数组又含有四个元素。例如a[0]数组,含有a[0][0]转载 2009-03-27 10:23:00 · 785 阅读 · 0 评论 -
NOR和NAND
NOR和NANDNOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,198?年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存,像转载 2010-04-20 13:54:00 · 613 阅读 · 0 评论 -
RAM 大全-DRAM, SRAM, SDRAM的关系与区别
ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要转载 2010-04-20 14:04:00 · 11727 阅读 · 0 评论 -
volatile的作用
一个定义为volatile的变量是说这变量可能会被意想不到地改变,这样,编译器就不会去假设这个变量的值了。精确地说就是,优化器在用到这个变量时必须每次都小心地重新读取这个变量的值,而不是使用保存在寄存器里的备份。下面是volatile变量的几个例子: 1). 并行设备的硬件寄存器(如:状态寄存器) 2). 一个中断服务子程序中会访问到的非自动变量(Non-automatic var转载 2010-05-13 11:26:00 · 613 阅读 · 0 评论