L6386ED013TR栅极驱动器原装现货PDF数据手册引脚图参数规格书

描述

L6386 E是一款高压栅极驱动器，采用BCD™“离线”技术制造，能够同时驱动一个高端和一个低端功率MOSFET或IGBT器件。高边（浮动）部分能够在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出可以分别独立吸收和提供650 mA和400 mA，并且可以同时驱动为高，以驱动不对称半桥配置。

L 6386 E器件提供两个输入引脚、两个输出引脚和一个使能引脚（SD），并保证输出与输入同相切换。逻辑输入是CMOS/TTL兼容，以简化与控制设备的接口。

L6386E集成了一个比较器（反相输入内部参考为0.5 V），可用于保护器件免受过流等故障事件的影响。DIAG输出是一个诊断引脚，由比较器驱动，用于向控制器件发出故障事件发生的信号。

自举二极管集成在驱动器中，实现了更紧凑、更可靠的解决方案。

L6386E器件在两种电源电压（VCC和V靴子）上都具有UVLO保护功能，确保更好地保护电源线免受电压降的影响。

该设备可在DIP-14管和SO-14管，磁带和卷轴包装选项。

所有功能

• 高达600 V的高压轨

• dV/dt抗扰度± 50 V/nsec（全温度范围）

• 驱动器电流能力：

  • 400 mA电源

  • 650 mA吸电流

• 开关时间50/30 nsec上升/下降（1 nF负载）

• CMOS/TTL施密特触发器输入，具有迟滞和下拉功能

• 上、下驱动部分欠压锁定

• 集成自举二极管

• 输出与输入同相

• 规格书参数：

  产品种类: 栅极驱动器

  RoHS:

  产品: Half-Bridge Drivers

  类型: High-Side, Low-Side

  安装风格: SMD/SMT

  封装 / 箱体: SOIC-14

  激励器数量: 2 Driver

  输出端数量: 1 Output

  输出电流: 650 mA

  电源电压-最小: - 300 mV

  电源电压-最大: 17 V

  上升时间: 50 ns

  下降时间: 30 ns

  最小工作温度: - 45 C

  最大工作温度: + 125 C

  系列: L6386E

  逻辑类型: CMOS, TTL

  湿度敏感性: Yes

  工作电源电流: 320 uA

  工作电源电压: 15 V

  Pd-功率耗散: 750 mW

  产品类型: Gate Drivers

  工厂包装数量：2500

  子类别: PMIC - Power Management ICs

  技术: Si

  单位重量: 259.200 mg

  引脚图：

•