浅谈STM32汇编程序设计_stm32主程序设计思路-CSDN博客

本文链接：https://blog.csdn.net/ii231/article/details/111880772

本文详细介绍了STM32的三种启动模式：主闪存、系统存储器和内置SRAM，重点讲解如何创建和调试纯汇编语言的STM32工程，包括工程创建、文件添加、汇编程序编写、中断向量表分析以及使用汇编实现LED闪烁的实验过程。

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STM32汇编程序设计

一、STM32的三种Boot模式简介
二、创建纯汇编语言的STM32工程
三、小结

一、STM32的三种Boot模式简介

STM32的启动方式一般以储存器的类型来区分，
如下：主闪存存储器，内部SRAM启动方式，系统储存器启动方式。

BOOT1	BOOT0	启动模式	说明
X	0	主闪存存储器	主闪存存储器被选为启动区域
0	1	系统存储器	系统存储器被选为启动区域
1	1	内置SRAM	内置SRAM被选为启动区域

1.主闪存存储器（Main Flash memory）
STM32内置的Flash，一般我们使用JTAG或者SWD模式下载程序时，就是下载到这个里面，重启后也直接从这启动程序。

2.系统存储器（System memory）
从系统存储器启动，这种模式启动的程序功能是由厂家设置的。一般来说，这种启动方式用的比较少。系统存储器是芯片内部一块特定的区域，STM32在出厂时，由ST在这个区域内部预置了一段BootLoader，也就是我们常说的ISP程序，这是一块ROM，出厂后无法修改。一般来说，我们选用这种启动模式时，是为了从串口下载程序，因为在厂家提供的BootLoader中，提供了串口下载程序的固件，可以通过这个BootLoader将程序下载到系统的Flash中。

3.内置SRAM（Embedded Memory）
内置SRAM这个模式一般用于程序调试。

三种模式的访问地址

 主闪存存储器:访问地址为0x00000000或0x08000000
 系统存储器:访问地址为0x00000000或0x1FF00000
 内置SRAM：启动时地址为0x00000000或0x20000000

中断向量表

主闪存存储器
中断向量表从Flash的起始地址（0x08000000）开始存放。同时映射到0x00000000处。向量表偏移寄存器的值为0x00000000（实际映射到0x08000000）。

内置SRAM

中断向量表还是存放在Flash中（Flash才能固化存储，SRAM只能加电才有效），只不过拷贝到SRAM的首地址0x20000000处。此时向量表偏移寄存器的值也是0x00000000（实际映射到0x20000000）。

二、创建纯汇编语言的STM32工程

1.工程创建

点击Project，选择New μvison Project
在这里插入图片描述选择芯片STM32F103RC
运行环境选择CMSIS->CORE和DEVICE->Startup
这样工程就创建成功了

2.添加文件

在sourcegroup上新建文件，选择.s文件
在这里插入图片描述现在就可以编写程序了

3.汇编程序

代码

 AREA MYDATA, DATA
	
 AREA MYCODE, CODE
	ENTRY
	EXPORT __main

__main
	MOV R0, #10
	MOV R1, #11
	MOV R2, #12
	MOV R3, #13
	;LDR R0, =func01

	BL	func01
	;LDR R1, =func02
	BL	func02
	
	BL 	func03
	LDR LR, =func01
	LDR PC, =func03
	B .
		
func01
	MOV R5, #05
	BX LR
	
func02
	MOV R6, #06
	BX