模拟电路-半导体器件

  1. 目前常用的半导体器件分为mos器件和bipolar器件,bipolar器件一般用于功率稍大的电路中,具有体积大、功耗大,能控制的电流大等特点,一般而言,目前的主流电路元器件均采用mos器件。
  2. 世界上的物质按照导电性和物体内部可自由移动的电子数量可以分为导体、半导体和绝缘体,物质的导电性能决定于原子结构,导体一般为低价元素,最外层电子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子,在外电场的作用下产生定向移动,形成电流,因此,在元素周期表中,低价元素如Li、Na、K等金属外层的电子很容易挣脱原子核对他的束缚,形成自由电子,自由电子在外电场的作用下定向移动形成电流。高价元素的原子核对外层电子的束缚力较强,如惰性气体或高分子物质橡胶等,最外层的电子很难挣脱原子核的束缚形成自由电子,所以导电性很差,称为了绝缘体。
  3. 本征半导体为本来特征的半导体,即未掺杂的半导体。
  4. 常用的半导体材料硅、锗等四价元素,最外层的电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧,因而导电性能介于导体和绝缘体之间。当掺入正三价或正五价的元素时,形成掺杂后的半导体,导电性能会增加,随着掺杂浓度的变化,导电性能也会变化,且在光照等外界条件的作用下,导电性能还会有明显变化,利用这种特性,可以将本征半导体掺杂后制成各种电子元器件。
  5. 本征半导体的晶体结构是在空间按照点阵排列的,称为晶格。我们把围绕原子核运动的最外层的电子称为价电子,由于相邻原子间的距离很小,相邻原子的最外层电子(价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动,而且出现在相邻原子所属的轨道上,称为共用电子,这样形成了共价键。
  6. 晶体中共价键具有很强的结合力,常温下极少数价电子由于热运动获得足够能量挣脱原子核束缚形成自由电子这种现象称为本征激发,此时,在共价键中留下一个位置,称为空穴。自由电子带负电,原子核失去一个电子而带正电。当外加定向电场时,自由电子定向移动,原子核朝相反方向定向移动。形成自由电子电流和原子核电流(空穴电流),而此时本征半导体内部的电流是两个电流之和。
  7. 本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电,这是本征半导体导电的特殊性质。
  8. 复合现象:自由电子在运动过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,使两者同时消失。在一定温度下,本征激发(热激发)所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子与空穴对数目相等,达到动态平衡。在一定温度下,本征半导体中载流子的浓度是一定的(空穴浓度+电子浓度),并且自由电子与空穴的浓度相等。当环境温度升高时,热运动加剧,挣脱共价键束缚的自由电子增多,空穴也随着增多,载流子的浓度会升高,则导电能力增强。反之,若环境温度降低,则载流子的浓度降低,导电能力减弱。
    本征半导体载流子的浓度是环境温度的函数,半导体物理表示,本征半导体载流子的浓度为:
    在这里插入图片描述
    nicm n_i 自由电子浓度(cm)
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