基于MTD的NANDFLASH设备驱动底层实现原理分析(三)

非常的说：我突然发现在写这些关于NAND驱动的文章的时候，原来我一直是在改写别人的博客。。。。。其实这并不要紧的,我也觉得这不仅仅是一种比较好的学习方法了，为什么呢,因为当我在看他的博客的时候，我明白了一点,然后当我自己要写的时候。。对这个东东又进一步了解一点了。。呵呵Copy也分档次了

五、硬件时序到软件代码的演变过程对nand_base.c部分代码的分析

该文件位于</linux2.6.35/dricer/mtd/nand/nand_base.c>

还是把那个读NAND的硬件时序图给贴上,如下图：

①：此阶段，是读命令第一个周期，发送的命令为0x00。
②：此阶段，依次发送列地址，关于这些行地址，列地址等是如何计算出来的，后面的内容
会有详细解释。
③：此阶段是发送对应的行地址
④：此阶段是发送读命令第二周期 2nd cycle所对应的命令，0x30
⑤：此阶段是等待时间，等待 Nand Flash硬件上准备好对应的数据，以便后续读出。
⑥：此阶段，就是一点点地把所需要的数据读出来。
MTD 读取数据的入口是 nand_read，然后调用 nand_do_read_ops，此函数主体如下：

static int nand_do_read_ops(struct mtd_info *mtd, loff_t from,
struct mtd_oob_ops *ops)
{
/***此处省略部分代码**/

。。。。。。。。。。。。。。

while(1) {
/******省略****/

.。。。。。。。。。。。。。。。

if (likely(sndcmd)) {/*#define NAND_CMD_READ0 0*/

/*1)***读取数据前肯定要先发送对应的读页命令******/

chip->cmdfunc(mtd, NAND_CMD_READ0, 0x00, page);
sndcmd = 0;
}

/* Now read the page into the buffer */
if (unlikely(ops->mode == MTD_OOB_RAW))
ret = chip->ecc.read_page_raw(mtd, chip,
bufpoi, page);
else if (!aligned && NAND_SUBPAGE_READ(chip) && !oob)
ret = chip->ecc.read_subpage(mtd, chip, col, bytes, bufpoi);
else

/******执行到这里read_page函数读取对应的数据了******/

ret = chip->ecc.read_page(mtd, chip, bufpoi,
page);
if (ret < 0)
break;

/* Transfer not aligned data */
if (!aligned) {
if (!NAND_SUBPAGE_READ(chip) && !oob)
chip->pagebuf = realpage;
memcpy(buf, chip->buffers->databuf + col, bytes);
}

buf += bytes;
。。。。。。。。。。。。。。。。。。

if (mtd->ecc_stats.failed - stats.failed)
return -EBADMSG;

return mtd->ecc_stats.corrected - stats.corrected ? -EUCLEAN : 0;
}

上面这些代码都不需要我们去实现的,使用MTD层的自定义代码就行。。。

nand_command_lp的分析

static void nand_command_lp(struct mtd_info *mtd, unsigned int command,
int column, int page_addr)
{
register struct nand_chip *chip = mtd->priv;

/* Emulate NAND_CMD_READOOB */
if (command == NAND_CMD_READOOB) {
column += mtd->writesize;
command = NAND_CMD_READ0;
}

/* Command latch cycle */

/* 此处就是就是发送读命令的第一个周期1st Cycle的命令，即0x00，对应着上述步骤中的① */

chip->cmd_ctrl(mtd, command & 0xff,
NAND_NCE | NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE);

if (column != -1 || page_addr != -1) {
int ctrl = NAND_CTRL_CHANGE | NAND_NCE | NAND_ALE;

/* Serially input address */
if (column != -1) {
/* Adjust columns for 16 bit buswidth */
if (chip->options & NAND_BUSWIDTH_16)
column >>= 1;

/* 发送两个column列地址，对应着上述步骤中的② */

chip->cmd_ctrl(mtd, column, ctrl);/*发送列地址1*/
ctrl &= ~NAND_CTRL_CHANGE;
chip->cmd_ctrl(mtd, column >> 8, ctrl);/*发送列地址2*/
}
if (page_addr != -1) {

/* 接下来是发送三个Row，行地址，对应着上述步骤中的② */

chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr, ctrl);/*发送行地址1*/
chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr >> 8,/*发送行地址2*/
NAND_NCE | NAND_ALE);
/* One more address cycle for devices > 128MiB */
if (chip->chipsize > (128 << 20))
chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr >> 16,/*发送行地址3*/
NAND_NCE | NAND_ALE);
}
}
chip->cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_NONE, NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE);

/*
* program and erase have their own busy handlers
* status, sequential in, and deplete1 need no delay
*/
switch (command) {
。。。。。。。。。。。。。
return;
/***复位**/
case NAND_CMD_RESET:
if (chip->dev_ready)
break;
udelay(chip->chip_delay);
chip->cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_STATUS,
NAND_NCE | NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE);
chip->cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_NONE,
NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE);
while (!(chip->read_byte(mtd) & NAND_STATUS_READY)) ;
return;
/*读忙信号*/
case NAND_CMD_RNDOUT:
/* No ready / busy check necessary */
chip->cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_RNDOUTSTART,
NAND_NCE | NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE);
chip->cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_NONE,
NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE);
return;
/* 接下来发送读命令的第二个周期2nd Cycle的命令，即0x30，对应着上述步骤
中的④ */
case NAND_CMD_READ0:
chip->cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_READSTART,
NAND_NCE | NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE);
chip->cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_NONE,
NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE);

/* This applies to read commands */
default:
/*
* If we don't have access to the busy pin, we apply the given
* command delay
*/
if (!chip->dev_ready) {
udelay(chip->chip_delay);
return;
}
}

/* Apply this short delay always to ensure that we do wait tWB in
* any case on any machine. */

/* 此处是对应着④中的tWB的等待时间*/

ndelay(100);
/* 接下来就是要等待一定的时间，使得Nand Flash硬件上准备好数据，以供你之
后读取，即对应着步骤⑤ */
nand_wait_ready(mtd);
}

还有一个步骤没有实现那就是步骤⑥了一点一点的把数据读出来

nand_read_page_hwecc分析

static int nand_read_page_hwecc(struct mtd_info *mtd, struct nand_chip *chip,
uint8_t *buf, int page)
{
。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
for (i = 0; eccsteps; eccsteps--, i += eccbytes, p += eccsize) {
chip->ecc.hwctl(mtd, NAND_ECC_READ);

/**这个最重要了这才是真正的从NAND的缓冲区中把数据给读出来****/

chip->read_buf(mtd, p, eccsize);
chip->ecc.calculate(mtd, p, &ecc_calc[i]);
}

。。。。。。。。。。
return 0;
}

上面的 read_buf，就是真正的去读取数据的函数了，由于不同的Nand Flash controller 控制器所实现的方式不同，所以这个函数必须在你的 Nand Flash驱动中实现，即MTD 层，能帮我们实现的都实现了，不能实现的，那肯定是我们自己的事情了。。。接下来的工作是什么?MTD原始设备和硬件驱动层的交互了.这个才是我们要去真正实现的。。