数据表系列（开个头，击穿电压走起）

去年的欠债，老友让谈谈数据表，还发了大红包。。。

实在是小抱歉，纸飞机APP下载，本打算过年攒几稿的，忙于杂七杂八，都没开电脑，小遗憾；如今有闲了抓紧搞起来。

这个题目多年前一位老先生系统的讲过，这次再翻出来学习，忆回当年！在此祝老先生身体康健，笑口常开！

现学现卖，献丑！秉承击穿电压第一原则，以1200V SiC MOSFET为例，相关内容巴拉巴拉如下：

击穿电压在数据表中多次出现，详如下：

1、数据表第一项（Maximum ratings ，最大额定值）第一个参数（Drain-source voltage，VDSS，漏源电压），

测试条件：结温25℃；其值1200V；每家均有；

其含义为漏源额定电压最大值为1200V。

2、漏源击穿电压（Drain-Source Breakdown Voltage，V(BR)DSS），

测试条件为：结温25℃，栅源短接，漏极电流为一定值（如1mA）；其值＞1200V；不是每家均有；

其含义为漏源击穿电压最小值为1200V。