《炬丰科技-半导体工艺》通过深紫外光刻胶进行化学渗透

最新推荐文章于 2024-09-23 20:05:28 发布

jfkj2021

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本文链接：https://blog.csdn.net/jfkj2021/article/details/122167246

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本文详细探讨了在半导体工艺中，深紫外光刻胶如何影响化学渗透，尤其是在门氧化物区域的定义。通过讨论湿蚀刻与光刻的结合，指出抗蚀剂下栅氧化物可能因化学物质渗透导致降解，分析了湿蚀刻剂对聚合物性能的影响，并通过实验验证了不同频率和浓度下HF对二氧化硅层的蚀刻效果。研究还揭示了自由体积与抗蚀剂保护性能的关系，对于理解湿蚀刻对先进半导体制造的影响至关重要。

摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：通过深紫外光刻胶进行化学渗透
编号：JFKJ-21-1324
作者：华林科纳

由于光光刻和湿蚀刻的结合，门氧化物区域现在仍然被定义。实际上，后者优于等离子体蚀刻，以避免任何晶体管沟道粗糙度和可靠性退化。在这种软掩模图案形成过程中，抗蚀剂下的栅氧化物可以通过两种不同的机制降解：一种是PR（光抗蚀剂）/栅氧化物界面的横向湿蚀刻渗透，要么是化学物质向同一界面的垂直扩散，扩散动力学和表征已经被提出了。本文讨论了高频基化学物质通过抗蚀剂渗透的门氧化物降解的更深入了解

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当湿的蚀刻剂通过抗蚀剂完全扩散并开始降解底层时，就会发生这种情况，最具挑战性的任务是检测这种退化。图1显示了暴露于液体HF后的抗水泡,这些水泡只有在扫描电镜暴露下才会出现,这可能是由于抗蚀性肿胀,红外测量已经确定，在聚合物内的高频扩散过程中，抗蚀剂的核心性质没有被改变。然而，一些组件，如增塑剂，电荷，在接触高频时可以扩散。此外，如果湿蚀刻剂由于聚合物链的松弛而渗透聚合物，聚合物将失去其力学性能,扫描电镜可能会在局部带来足够的能量来膨胀抗蚀剂，装饰抗蚀剂下的退化层区域。