jfl558604的博客

原创 orcad16.6 中 画线路图移动器件无法直接与线相连？警告跳开

转载 用示波器测量I2C进行时序图、波形等分析

从图中可知，纵向一格是200mV，则SDA和SCL的电平大概就是350mV；横向一格是25us，10个时钟周期大概用了4格，即4x25us=100us，平均每个时钟周期是10us，可算出传输频率为1/10us=100,000/s，即100k bps。在SDA和SCL脚测量，却只能找到些凌乱的波形，没有预期的效果。后来把从设备接上，两边写好代码，互相有了响应，这才在示波器上看到波形。另外，对于读从设备内容，基本流程是主设备先往从设备写一个命令，然后再输出读取命令，然后才由从设备发送数据。

转载 RC串联延时电路电容充电时间计算

已知单片机的VCC和电阻端VCC相同为5V，单片机Reset管脚低电平复位、高电平时单片机运行，该管脚输入电压VH为3.5V，电路中电阻取10K，现在需要计算电容大小。某单片机在系统上电时需要延时100ms，以确保电源稳定后开始运行，用上述RC串联电路，将Vout接到单片机Reset管脚。原文：https://blog.csdn.net/Naisu_kun/article/details/81060600/根据系统设计意图，可能需要计算R和C的取值，或是在确定RC的情况下计算Vout的上升时间。

转载 钜大锂电池并联串联知识详解 并联串联注意事项18650

此外，大尺寸的电池也不适合做成专用电池所需要的外形规格。根据并联理论，干路电流等于各支路电流之和，因此，已经组合为电池组的n节并联锂电池要达到与单节电池相同的充电效率，充电电流应为n个锂电池电流之和，在欧姆定律：I=U/R的公式下，这个设计是合理的。锂电池并联后会有一个充电保护芯片对锂电池进行充电保护，锂电池生产厂家在制作并联锂电池时已经充分考虑了锂电池并联后的变化特点，也是按照上述要求进行电流设计和电芯选择的，所以，使用者需要按照并联锂电池的说明按部就班地进行充电，避免不正确的充电对电池可能造成的损害。

转载 HDR sensor 技术 -- DCG 简介(

具体原理可以详见上述文章，这里只给出简单总结。

转载 电动变焦镜头的控制 MS41908M与AN41908A完全兼容

电动变焦镜头的驱动控制器：参考代码MS41xx (其MS41908M与AN41908A完全兼容)VD_FZ：Focus zoom sync. signal input (调焦变焦同步信号输入,马达控制开始信号VD_IS: Iris video sync. signal input (光圈控制图像同步信号输入,光圈控制开始信号PLS1: Pulse 1 output (脉冲1 输出)PLS2: Pulse 2 output (脉冲2 输出)

转载 关于mipi数据的一些评估计算

主要限制在两个方面，第一个是mipi协议的限定，D-PHY为mipi协议中的物理传输层，规定每lane最大传输数据量为1.5 Gbps，就是每秒传输1.5G的bit，该值为理论值，实际可能就1.0Gbps；第二个方面是平台的数据处理能力，该平台最大VFE时钟为266MHZ，则该平台每lane能处理数据量为 266M * (raw图一像素bit数) / lane num ，对应驱动op_pixel_clk属性值。链接：https://www.jianshu.com/p/18e054600b7a。

转载 镜头解像力-CSDN博客

以1/2.8传感器为参考计算， imx222 像素尺寸2.8um，靶面尺寸 宽：1920*2.8um=5.376mm，高：1200*2.8um=3.36mm。1Mp镜头 1280*720 解像力：720/(2*3.36mm) = 107 lp/mm。1.3Mp镜头 1280*960 解像力：960/(2*3.36mm) = 143 lp/mm。2Mp镜头 1920*1080 解像力：1080/(2*3.36mm) = 160 lp/mm。3. 常用传感器支持的镜头最大解像力。

转载 一款在线电路仿真小工具——Circuit Simulator

Circuit Simulator ”是一个免费的在线电路仿真工具，可以模拟门电路、运算放大器、555、单稳态等多种功能，动态显示模拟效果和电流方向，并显示波形和分析状态。“Circuit Simulator ” 可以在浏览器上直接打开，无需安装，也不用在浏览器中安装任何插件。其中有一点比较好，仿真的电路可以导出URL链接，然后分享给别人，交流起来就很方便。

转载 Orcad Captue原理图更改后同步更新到Allegro PCB

1、打开原理图，点击选中下打开的DSN文件，点击Tools中的Create Netlist，点击确定，创建成功后，output下输出的就是三个网表文件。如果对于已经画好的PCB，后期发现需要更改原理图的某个部分，原理图更改后，怎么同步更新到PCB中，而不变动原来已经布好局、布好线的的PCB呢？原文：https://blog.csdn.net/wang_ze_ping/article/details/120571849。版权声明：本文为作者原创文章，转载请附上博文链接！作者：wang_ze_ping。

转载 测量sensor mipi信号

原文：https://blog.csdn.net/qq_41104250/article/details/131206116。版权声明：本文为作者原创文章，转载请附上博文链接！作者：Bruce_Done。

转载 sony芯片 camera pcb layout注意事项

c) 参考层：MIPI信号线下方一定要有参考层（推荐用地层），且一定要保证参考层的连续性（即在MIPI信号线下方的参考层不能被分割或有间隙，不能被其它走线截断），最好是有一整片的地层，如果做不到，至少要保证MIPI信号线下方的参考层比MIPI信号线每边要宽4W以上（W即MIPI信号走线宽度）。f) 远离干扰：MIPI线对之间要保持至少2W以上的间距，MIPI信号线应远离其它高速信号（并行数据线、时钟线等），至少保持3W以上的距离且绝不能平行走线。4.3 模拟，数字去耦电容不应靠的太近。

转载 SPI协议详解(Standard SPI、Dual SPI和Queued SPI)

(1)通常我们说的SPI就是Standard SPI，有4根信号线，分别为CLK、CS、MOSI和MISO，也就是上面介绍的SPI协议；(2)Dual SPI：只是针对SPI Flash而言，不是针对所有SPI外设。对于SPI Flash，全双工并不常用，因此扩展了mosi和miso的用法，让它们工作在半双工，用以加倍数据传输。

转载 精通DDR3 PCB设计

原文：https://blog.csdn.net/huangbinvip/article/details/105473768。版权声明：本文为作者原创文章，转载请附上博文链接！作者：huangbinvip。

转载 从IIC实测波形入手，搞懂IIC通信

通过真实的IIC波形分析，对IIC通信逻辑有没有更加直观的认识呢？原创不易，觉得有用请多多关注支持~作者：码农爱学习来源：CSDN原文：https://blog.csdn.net/hbsyaaa/article/details/107450835版权声明：本文为作者原创文章，转载请附上博文链接！

转载 电源防反接电路设计

无论是N沟道还是P沟道，一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或GND，否则就无法实现开关功能了。所以，N沟道D极接输入，S极接输出或GNDP沟道S极接输入，D极接输出因为通过寄生二极管直接导通，S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。隔离作用：也就是防反接，相当于一个二极管。使用二极管，导通时会有压降，会损失一些电压。而使用MOS管做隔离，在正向导通时，在G极加合适的电压，可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时，几乎不产生压降。

转载 全志 Tina Linux LCD显示屏调试指南 支持MIPI DSI RGB LVDS I8080 SPI等接口V853

编写目的本文档将介绍sunxi 平台Display Engine 模块中LCD 的调试方法。LCD 调试方法，调试手段。LCD 驱动编写。lcd0 节点下各个属性的解释。典型LCD 接口配置。适用范围：sunxi 平台DE1.0/DE2.0 中LCD屏幕参数设置。表2-1: LCD 相关术语术语解释说明SUNXIAllwinner 一系列SoC 硬件平台LCDLiquid Crystal Display, 液晶显示器MIPIDSI。

转载 索尼 Sensor 基本概念，及曝光相关的计算

V_Blank：是指场消隐或称垂直消隐，如下帧结构示意图所示，假定曝光起始位置在图像的左上角，曝光完成一帧图像后，曝光位置要从图像的右下角返回左上角，开始新一帧的曝光，这一段时间间隔称为V_Blank。H_Blank：是指行消隐或称水平消隐，如下帧结构示意图所示，假定曝光起始位置在图像的左上角，对于逐行曝光的 sensor 来说，曝光从第一个像素开始，依次曝光直至这行的最后一个像素曝光结束，--- 积分时间是指曝光一帧所用的行数，那这一帧的绝对曝光时间就等于，曝光所用行数乘以曝光一行所用的时间。

转载 相机帧率和曝光时间的关系

从图3中，我们可读出的信息为，1H=52.1482useconds，和我们通过图2计算出来horizontal Scanning的时间一致，而在一帧图像中，需要扫描1252H，其中Effective Pixels为1220H，即1帧图像中，Effective Pixels Read out的时间为1220*52.1482 =63620.804us =63.620804ms，一个VD信号，所用的时间为：1252*52.1482=67793.5464us =67.7935464ms。

转载 Sensor曝光基础知识

通过imx415学习sensor基础知识。

转载 display驱动的选择与确定

硬件环境：STM32F429I-DISCOVERY软件环境：Keil MDK v5.26说明：假设已经写好了裸机的LCD驱动程序且能正常显示信息。

转载 LDO的原理以及重要指标

LDO的负载电流或输入输出电压差降增加时 ，会迅速导致功耗的增加，在选择LDO的封装时必须考虑到这一因素，确保其可以承担这一功耗。它与输出端的电容值，电容的ESR，LDO控制环路的增益带宽以及负载电流变化的大小和速率有关。LDO的 PSRR数据是用来量化LDO对不同频率的输入电源纹波的抑制能力的，它反映了LDO不受噪声和电压波动、保持输出电压稳定的能力。在一些对噪声敏感的电路中，如ADC，DAC，Camera sensor模拟电压等，必须选择LDO，而且是高PSRR的LDO，而不是DCDC。

转载 【Camera专题】OV8856预览或者拍照时 瞬间闪屏

原文：https://blog.csdn.net/justXiaoSha/article/details/100174216。我们调试效果的同事，在调试效果时，需要固定gain，line，fl_line值，这里的vert_offset=8，就是fl_line和line的差值！通过观察fl_line和line的关系，我们发现，版权声明：本文为作者原创文章，转载请附上博文链接！这样子能达到效果调试的要求，也不会带来闪屏问题。fl_line和line始终差8，于是。这个差8是怎么来的呢？作者：c枫_撸码的日子。

转载 【Camera专题】Qcom-你应该掌握的Camera调试技巧2

系列文章【Camera专题】Qcom-你应该掌握的Camera调试技巧1【Camera专题】Qcom-你应该掌握的Camera调试技巧2增加性能日志：Tag：[KPI_CAMERA]日志打印：kernel/arch/arm/boot/dts/qcom/msm8909.dtsiI2C资料：80-NU767-1，参考68-69页举个例子：i2c速率（I2C_FS_CLK ）：400kI2C_CLK：24M占空比改成：50%I2C_FS_CLK = I2C_CLK/(fs_div+hs_d

转载 【Camera专题】Sprd-Camera帧率fps的计算及拍照闪红问题的解决

我们不能简单粗暴的让skip_num = 1，否则会造成相机启动时，AWB调整会明显感觉到慢一些，事实上dcam_u_raw_aem_skip_num函数在相机启动的时候或者拍照的时候都会调用。camera启动时，判断当前是黄光环境（根据色温），此时预览界面偏红，经过AWB(自动白平衡)算法调整，就会变白一些。事实上还是有些成就感，毕竟，一来面对的是新平台，另外特别是第二个问题，展讯拖了几个月都没有解决办法。在初始化的时候，往dummy_line写(0x05,0x0c),(0x06,0x25);

转载 【Camera专题】Qcom-高通OTP编程调试指南-上

关于高通OTP编程的知识，网上少得可怜，官方文档又没有那么清晰，于是就来一篇干货吧！OTP编程完全指南分上、下2篇。上：主要讲OTP的知识和调试流程。下：主要讲OTP的源码。1.OTP的基本概念2.OTP的作用3.OTP的调试流程。

转载 【Camera专题】I2C不通或地址读错总结

最近遇到一个比较奇葩的问题：我们kernel层加了后摄的otp后，会出现某些机器概率性前摄ID读错问题，otp读出来的数据也全是0。dtsi文件关于otp的修改···//id读错//otp读错···分析：i2c通信时ok的，但是就是读错了，肯定是读到某个地址的值了，所以id没读对，移除dtsi后摄的otp修改，就能读对。可以确认的是加了后摄的otp导致的。需要注意的是，otp是烧录在sensor。

转载 你应该了解的Camera HW-硬件知识

Raw Sensor输出的Data格式为Raw，图像的效果处理使用BB端的ISP，BB端接收Raw data后进行一系列的图像处理（OB，Shading，AWB，Gamma，EE，ANR等），效果方面由BB端控制，需要针对不同的模组进行效果调试，Raw sensor是目前的主流，数据量比YUV Sensor小（RAW10 格式的sensor 1个pixel 10个bit）使用平台ISP处理，能支持较大的size。1.你要点亮Camera，你得知道你用的是什么接口的，是MIPI的还是Parallel的？

转载 【Camera专题】概率性读不到id~二

(转载请删除括号里的内容)上一篇文章总结了很多读不到id的经验，本文在讲一些比较细的点子，可能你从未考虑到的！平台：qcom-429上篇文章也讲过这个顺序的影响，是前后id的读取顺序和otp的加载顺序不一致，导致概率性读不到id的。但是最近调试429新平台时，高通在点亮gc8034时，也遇到概率性读不到id的情况。后来和他们沟通，是两个上电相互影响了。按照高通的意思是，ov8856先上电，会影响到gc8034的上电，导致gc8034读不到id！换一下顺序就可以了。平台：8909。

转载 瑞芯微 | 摄像头ov13850移植笔记

品牌：Omnivision型号：CMK-OV13850接口：MIPI像素：1320WOV13850彩色图像传感器是一款低电压、高性能1/3.06英寸1320万像素CMOS图像传感器，使用OmniBSI+?技术提供了单-1320万像素（4224×3136)摄像头的功能。通过串行摄像头控制总线（SCCB)接口的控制，它提供了全帧、下采样、开窗的10位MIPI图像。

转载 Camera 驱动 读取摄像头ID失败问题、低温下Camera打开花屏或者读不到id、概率性读取不到id

如MTK平台的，它在这个文件里实现：mt6737_65_a_n_mp1\kernel-3.18\drivers\misc\mediatek\imgsensor\src\mt6735\camera_hw\kd_camera_hw.c。前后id的读取顺序和otp的加载顺序不一致，导致概率性读不到id的，高通在点亮gc8034时，也遇到概率性读不到id的情况。standby脚拉高->reset脚拉高->设置mclk为24M->io拉高->avdd拉高->dvdd拉高，下 电时相应的脚没有被拉低！

转载 Camera驱动 花屏、分屏、卡屏，黑屏问题分析

为啥全尺寸3264x2448（800w）输出，这路供电可以固定到1.4V，使用小尺寸1632x1224(200w)输出时，DVDD在1.2V到1.4V直接不停的跳。不同厂家的sensor，对时序的要求不一样，像OV5675对三路上电的时序就没有严格的要求，gc8034相对来说要严格一下。可以看到，在使用小尺寸1632x1224(200w)输出时，DVDD在1.2V到1.4V直接不停的跳，导致供电电压不稳定，如果芯片不是很好，也可能带来莫名其妙的bug，图像异常，黑屏等，存在这样的隐患。

转载 8位 16位 32位等几种DDR3或LPDDR3的PCB设计总结

从网上下载了瑞芯微的不同IC约束进行分析，综合对比发现其比全志的约束要严。全志优点是在进行布线时余量较大，一般只要将所有DDR3的地址线按照菊花链。要求：在此阶段进行等长调整，主要是为CPU至对称过孔阵列之间的线长调整。标准流程6：DDR3（8位或16位）所有布线复制到其他芯片，并将所有芯片的地址线过孔。线的分叉等长提出了很高的要求。要求：此阶段将CPU的引脚按照对称过孔阵列的排布，对称的拉出（暂不调整等长）。2.所有地址线分支线和时钟分叉等长，以保证足够的建立和保持时间正确采样。

转载 图像--摄像头数据输出格式与传输接口

封装的裸芯片是芯片主体和I/O端子在晶体上方，在焊接时将此裸芯片用导电/导热胶粘接在PCB上（Die bond），凝固后，用Wire Bonder 机将金属丝(Al或Au)在超声、热压的作用下，分别连接在芯片的I/O端子焊区和PCB相对应的焊盘上，测试合格后，再封上树脂胶。上的DSP 进行处理，MTK 自带的 DSP 一般包含 ISP、JPEG encoder、和 DSP 控。RESET为复位管脚，一般管脚为低，camera处于硬复位状态，其各个IO恢复到出厂默认状态；模组把原始的数字信号传给 BB。

转载 I2C协议靠这16张图彻底搞懂

本文主要介绍I2C的入门基础知识，从I2C协议的硬件层，协议层进行了简单介绍；作者能力有限，难免存在错误和纰漏，请大佬不吝赐教。作者：小麦大叔来源：CSDN原文：https://great.blog.csdn.net/article/details/109188507版权声明：本文为作者原创文章，转载请附上博文链接！CSDN,CNBLOG博客文章一键转载插件。

转载 UART协议快速扫盲

文章目录。

转载 SPI协议详解

综上几种情况，下图总结了所有时钟配置组合，并突出显示了实际采样数据的时刻；其中黑色线为采样数据的时刻；蓝色线为SCK时钟信号；具体如下图所示；

转载 驱动工程师面试题汇编

解决方法：(会使图片变的模糊.模糊的原因是因为使用的镜头的mtf数值太小,模组整体高度太低造成的.要彻底解决这个问题,只有更换更好的镜头才行.)修改gamma:60 7A2c60 7B C60 7C 1960 7D 2860 7E 4060 7F 4b60 80 5660 81 6060 82 6760 83 7060 84 7a60 85 8960 86 9560 87 AF60 88 C860 89 DF解决方法：增加gain:60 142e ９）预览低亮度拍照

转载 Serial Nor Flash

1、Nor flash的read和write（program）的操作都要比Nand flash的操作要简单，对Nor flash的读写操作可以做到byte级别。2、Nor flash本身还有很多其他操作，本文没有涉及到，需要查看其datasheet。作者：网始如芯来源：CSDN原文：https://blog.csdn.net/impossible1224/article/details/80997714版权声明：本文为作者原创文章，转载请附上博文链接！

转载 ESD防护选型思路里的内容

即Ipp峰值电流和Vc钳位电压，Ipp是越大越好，说明TVS过流能力强，同一型号下Ipp相同时，Vc越小越好，说明钳位性好，而且Vc要小于被保护电路能承受的安全电压。这个值一般略大于被保护信号的电压，比如信号电压在2.5V左右，那么Vrwm可选择3V-3.5V即可。原文：https://blog.csdn.net/JingZhe_HengJing/article/details/124408135。这个值一般是pf级别的，我们知道电容会降低信号速度，因此对于高速的信号，结电容要尽量小。