jfl558604的博客

从图中可知，纵向一格是200mV，则SDA和SCL的电平大概就是350mV；横向一格是25us，10个时钟周期大概用了4格，即4x25us=100us，平均每个时钟周期是10us，可算出传输频率为1/10us=100,000/s，即100k bps。在SDA和SCL脚测量，却只能找到些凌乱的波形，没有预期的效果。后来把从设备接上，两边写好代码，互相有了响应，这才在示波器上看到波形。另外，对于读从设备内容，基本流程是主设备先往从设备写一个命令，然后再输出读取命令，然后才由从设备发送数据。

已知单片机的VCC和电阻端VCC相同为5V，单片机Reset管脚低电平复位、高电平时单片机运行，该管脚输入电压VH为3.5V，电路中电阻取10K，现在需要计算电容大小。某单片机在系统上电时需要延时100ms，以确保电源稳定后开始运行，用上述RC串联电路，将Vout接到单片机Reset管脚。原文：https://blog.csdn.net/Naisu_kun/article/details/81060600/根据系统设计意图，可能需要计算R和C的取值，或是在确定RC的情况下计算Vout的上升时间。

此外，大尺寸的电池也不适合做成专用电池所需要的外形规格。根据并联理论，干路电流等于各支路电流之和，因此，已经组合为电池组的n节并联锂电池要达到与单节电池相同的充电效率，充电电流应为n个锂电池电流之和，在欧姆定律：I=U/R的公式下，这个设计是合理的。锂电池并联后会有一个充电保护芯片对锂电池进行充电保护，锂电池生产厂家在制作并联锂电池时已经充分考虑了锂电池并联后的变化特点，也是按照上述要求进行电流设计和电芯选择的，所以，使用者需要按照并联锂电池的说明按部就班地进行充电，避免不正确的充电对电池可能造成的损害。

具体原理可以详见上述文章，这里只给出简单总结。

电动变焦镜头的驱动控制器：参考代码MS41xx (其MS41908M与AN41908A完全兼容)VD_FZ：Focus zoom sync. signal input (调焦变焦同步信号输入,马达控制开始信号VD_IS: Iris video sync. signal input (光圈控制图像同步信号输入,光圈控制开始信号PLS1: Pulse 1 output (脉冲1 输出)PLS2: Pulse 2 output (脉冲2 输出)

主要限制在两个方面，第一个是mipi协议的限定，D-PHY为mipi协议中的物理传输层，规定每lane最大传输数据量为1.5 Gbps，就是每秒传输1.5G的bit，该值为理论值，实际可能就1.0Gbps；第二个方面是平台的数据处理能力，该平台最大VFE时钟为266MHZ，则该平台每lane能处理数据量为 266M * (raw图一像素bit数) / lane num ，对应驱动op_pixel_clk属性值。链接：https://www.jianshu.com/p/18e054600b7a。

以1/2.8传感器为参考计算， imx222 像素尺寸2.8um，靶面尺寸 宽：1920*2.8um=5.376mm，高：1200*2.8um=3.36mm。1Mp镜头 1280*720 解像力：720/(2*3.36mm) = 107 lp/mm。1.3Mp镜头 1280*960 解像力：960/(2*3.36mm) = 143 lp/mm。2Mp镜头 1920*1080 解像力：1080/(2*3.36mm) = 160 lp/mm。3. 常用传感器支持的镜头最大解像力。

Circuit Simulator ”是一个免费的在线电路仿真工具，可以模拟门电路、运算放大器、555、单稳态等多种功能，动态显示模拟效果和电流方向，并显示波形和分析状态。“Circuit Simulator ” 可以在浏览器上直接打开，无需安装，也不用在浏览器中安装任何插件。其中有一点比较好，仿真的电路可以导出URL链接，然后分享给别人，交流起来就很方便。

1、打开原理图，点击选中下打开的DSN文件，点击Tools中的Create Netlist，点击确定，创建成功后，output下输出的就是三个网表文件。如果对于已经画好的PCB，后期发现需要更改原理图的某个部分，原理图更改后，怎么同步更新到PCB中，而不变动原来已经布好局、布好线的的PCB呢？原文：https://blog.csdn.net/wang_ze_ping/article/details/120571849。版权声明：本文为作者原创文章，转载请附上博文链接！作者：wang_ze_ping。

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c) 参考层：MIPI信号线下方一定要有参考层（推荐用地层），且一定要保证参考层的连续性（即在MIPI信号线下方的参考层不能被分割或有间隙，不能被其它走线截断），最好是有一整片的地层，如果做不到，至少要保证MIPI信号线下方的参考层比MIPI信号线每边要宽4W以上（W即MIPI信号走线宽度）。f) 远离干扰：MIPI线对之间要保持至少2W以上的间距，MIPI信号线应远离其它高速信号（并行数据线、时钟线等），至少保持3W以上的距离且绝不能平行走线。4.3 模拟，数字去耦电容不应靠的太近。

(1)通常我们说的SPI就是Standard SPI，有4根信号线，分别为CLK、CS、MOSI和MISO，也就是上面介绍的SPI协议；(2)Dual SPI：只是针对SPI Flash而言，不是针对所有SPI外设。对于SPI Flash，全双工并不常用，因此扩展了mosi和miso的用法，让它们工作在半双工，用以加倍数据传输。

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通过真实的IIC波形分析，对IIC通信逻辑有没有更加直观的认识呢？原创不易，觉得有用请多多关注支持~作者：码农爱学习来源：CSDN原文：https://blog.csdn.net/hbsyaaa/article/details/107450835版权声明：本文为作者原创文章，转载请附上博文链接！

无论是N沟道还是P沟道，一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或GND，否则就无法实现开关功能了。所以，N沟道D极接输入，S极接输出或GNDP沟道S极接输入，D极接输出因为通过寄生二极管直接导通，S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。隔离作用：也就是防反接，相当于一个二极管。使用二极管，导通时会有压降，会损失一些电压。而使用MOS管做隔离，在正向导通时，在G极加合适的电压，可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时，几乎不产生压降。

编写目的本文档将介绍sunxi 平台Display Engine 模块中LCD 的调试方法。LCD 调试方法，调试手段。LCD 驱动编写。lcd0 节点下各个属性的解释。典型LCD 接口配置。适用范围：sunxi 平台DE1.0/DE2.0 中LCD屏幕参数设置。表2-1: LCD 相关术语术语解释说明SUNXIAllwinner 一系列SoC 硬件平台LCDLiquid Crystal Display, 液晶显示器MIPIDSI。

V_Blank：是指场消隐或称垂直消隐，如下帧结构示意图所示，假定曝光起始位置在图像的左上角，曝光完成一帧图像后，曝光位置要从图像的右下角返回左上角，开始新一帧的曝光，这一段时间间隔称为V_Blank。H_Blank：是指行消隐或称水平消隐，如下帧结构示意图所示，假定曝光起始位置在图像的左上角，对于逐行曝光的 sensor 来说，曝光从第一个像素开始，依次曝光直至这行的最后一个像素曝光结束，--- 积分时间是指曝光一帧所用的行数，那这一帧的绝对曝光时间就等于，曝光所用行数乘以曝光一行所用的时间。

从图3中，我们可读出的信息为，1H=52.1482useconds，和我们通过图2计算出来horizontal Scanning的时间一致，而在一帧图像中，需要扫描1252H，其中Effective Pixels为1220H，即1帧图像中，Effective Pixels Read out的时间为1220*52.1482 =63620.804us =63.620804ms，一个VD信号，所用的时间为：1252*52.1482=67793.5464us =67.7935464ms。

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