对Nand Flash的操作(S3C2440)_nand flash s3c2440-CSDN博客

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本文详细介绍了S3C2440微处理器如何操作NAND Flash，包括其工作原理、时序控制、状态判断以及通过NAND Flash控制器进行的配置。内容涵盖了NAND Flash的页、块概念，通过状态引脚RnB判断操作完成，以及NAND Flash控制器的寄存器设置，如TACLS、TWRPH0和TWRPH1。此外，还讨论了根据NAND Flash芯片时序调整控制器设置的方法，并提供了初始化函数及读写擦除操作的实现思路。

摘要由CSDN通过智能技术生成

Nand Flash的概述

nandflash主要以page（页）为单位进行读写，以block（块）为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区，main区用于正常数据的存储，spare区用于存储一些附加信息，如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。
先看下电路原理图
在这里插入图片描述
从原理图可以看出：
在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址，也传输命令：
当ALE为高电平时传输的是地址。
当CLE为高电平时传输的是命令。
当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据。

假设烧写NAND FLASH，把命令、地址、数据发给它之后，NAND FLASH肯定不可能瞬间完成烧写的，怎么判断烧写完成？
通过状态引脚RnB来判断：它为高电平表示就绪，它为低电平表示正忙。

看一下NAND的引脚：
在这里插入图片描述

根据NAND FLASH的芯片手册，一般的过程是：

发出命令
发出地址
发出数据/读数据
相应的命令字如图：

s3c2440来说，内部集成了一个NAND FLASH控制器，CPU只需操作NAND FLASH控制器，就实现对NAND FLASH的操作。

NAND Flash控制器提供了NFCONF、NFCONT、NFCMMD、NFADDR、NFDATA、NFSTAT和其他一些寄存器。
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NAND FLASH控制器的时序，是为了让NAND FLASH外设工作起来，假如外接不同的 NAND FLASH外设，那么它的操作时序可能就会不同，所以对Nand Flash控制器的设置也不同。
需要根据不同的nand flash，设置nand flash控制器。

看一下nand flash控制器时序：
在这里插入图片描述
由图可知，需要设置nand flash控制器的TACLS、TWRPH0、TWRPH1。
TACLS、TWRPH0、TWRPH1分别是NFCONF寄存器的某几位。

看一下nand flash芯片的时序：

在这里插入图片描述
分析：
依次看这3张图
图1 ，TACLS是CLE / ALE使能之后，过多久nWE使能。就对应图2中nand flash芯片的时序中的tCLS和tALS减去tWP。再看图3，tCLS、tALS、tWP最小都为12ns；也就是TACLS可以为12-12=0。