eMMC介绍

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讨论到eMMC的发展历程，必须要从介绍Flash的历史开始
Flash 分为两种规格： NOR Flash 和 NAND Flash ，两者均为非易失性闪存模块。  
1988 年， Intel 首次发出 NOR flash 技术 , 彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。 NOR 类似于 DRAM,  以存储程序代码为主，可以让微处理器直接读取。因为读取速度较快，但晶片容量较低，所以多应用在通讯产品中，如手机。  
1989 年，东芝公司发表 NAND flash 结构，强调降低每比特的成本 , 更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。因为 NAND flash 的晶片容量相对于 NOR 大，更像硬盘，写入与清除资料的速度远快于 NOR ，所以当时多应用在小型机以储存资料为主。目前已广泛应用在各种存储设备上 ,  可存储代码和资料。

NAND Flash的存储单元发展:从 SLC, MLC到TLC，超越摩尔定律
SLC=Single-Level Cell,  即 1bit/cell ，读写速度快，寿命长，价格是 MLC 三倍以上，约 10 万次读写寿命。
MLC=Multi-Level Cell,  即 2bit/cell , 速度一般，寿命一般，价格一般，月 3000-10000 次读写寿命。
TLC=Triple-Level Cell, 
即 3bit/cell ，速度慢，寿命短，价格便宜，约 500 次读写寿命，技术在逐渐成长中。

摩尔定律是由英特尔（ Intel ）创始人之一戈登 · 摩尔（ Gordon Moore ）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔 18 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔 18 个月翻两倍以上。而 NAND Flash 行业的摩尔定律周期则只有 12 个月。

NAND Flash 的存储单元从最初的 SLC （  Single Layer Cell ） ,  到 2003 年开始兴起 MLC (Multi-Layer Cell),  发展至今， SLC 已经淡出主流市场，主流存储单元正在从 MLC 向 TLC （ Triple Layer Cell ）迈进。纳米制程工艺和存储单元的发展，使得同样大小的芯片有更高密度和更多的存储单元， Flash 得以在容量迅速增加的同时，还大幅降低了单位存储容量的成本。
但其弊端也轻易显现，从原来的 1bit/cell 发展到后来 3bit/cell,  计算更为复杂，出错率不免更高，读写次数和寿命也会更短。在这种情况下现有 MLC  和  TLC Flash  都需要搭配一颗高性能的控制芯片来提供 EDC 和 ECC 、平均擦写等 Flash 管理。

随着近年平板电脑和智能手机等在全球热潮来袭，嵌入式存储eMMC即营运而生
iphone ， iPAD 带动了智能手机和平板电脑行业的迅猛发展，引发了电子产品更新换代，对存储硬件提出了更高的要求。多媒体播放、高清摄像， GPS ，各色各样的应用以及外观轻薄小巧的发展趋势，要求存储硬件拥有高容量、高稳定性和高读写速度的同时，需要存储芯片在主板中占有更小的空间。然而 NAND Flash  随着纳米制程和存储技术的主流趋势发展，性能却在不断下降。可擦写寿命短，出错概率高，读写速度慢，稳定性差。嵌入式存储芯片 eMMC 就可以弥补这个市场需求和 NAND Flash 发展的缺口。
eMMC ( Embedded Multi Media Card)  采用统一的 MMC 标准接口，   把高密度 NAND Flash 以及 MMC Controller 封装在一颗 BGA 芯片中。针对 Flash 的特性，产品内部已经包含了 Flash 管理技术，包括错误探测和纠正， flash 平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。用户无需担心产品内部 flash 晶圆制程和工艺的变化。同时 eMMC 单颗芯片为主板内部节省更多的空间。
之前市场上流通的 eMMC 产品均出自国外的厂商闪迪、三星、东芝。而大陆厂商泰胜微科技今年第一个在国内推出了自有品牌 BIWIN 的 eMMC 产品，完全自主研发和封装测试，并将其产品命名为 qNAND ，已于年中推向了市场。泰胜微科技专注于嵌入式存储产品的研发和生产。拥有 11 年 Flash 的行业经验，是华南地区唯一一家拥有 12 寸晶圆封装测试工厂的民营企业。根据最新的测试结果， BIWIN 的品牌 eMMC——qNAND 在一些关键性能指标上大幅优于同类产品。作为后来者，泰胜微的表现很值得期待。