A1SHB采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。A1SHB是一颗P沟道的MOS管
PW2301A是A1SHB芯片,低导通内阻:RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=4.5V
A1SHB的VDS = -20V, ID = -3A
A1SHB采用SPT23-3L的环保材质封装。
A1SHB采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。A1SHB是一颗P沟道的MOS管
PW2301A是A1SHB芯片,低导通内阻:RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=4.5V
A1SHB的VDS = -20V, ID = -3A
A1SHB采用SPT23-3L的环保材质封装。