假定现在有一个产品,需要保存一些参数,参数的个数并不多,总共为10个字节,用EEPROM来保存就可以满足需求,我们选用了容量为256字节的 EEPROM,如果我们不做过多考虑,很有可能就是直接将这10个字节从EEPROM的首地址开始保存,每次改写也是直接修改这部分内容,这样我们最多可 以保存参数10万次。只要我们做一点简单处理,就可以将保存参数的次数成倍增加,来看看我们应该如何实现。
直接保存的最简方法:
地址 0x00 0x01 0x02 ... 0x09
内容 data1 data2 data3 ... data10
改进的保存方法:
处理方法是将256字节按16字节大小分成16等份,按后面格式存储参数
地址 0x10*n +0x00 +0x01 +0x02 ... +0x09 +0x0A +0x0B +0x0C +0x0D +0x0E +0x0F
内容 flag data1 data2 ... data9 data10 保留1 保留2 保留3 保留4 check_sum
check_sum=(flag+data1+data2+...+data10+保留1+...+保留4 )&0xFF
flag为0xA5表示当前16个字节为正在使用的记录,为其它值表示当前16字节已经丢弃
读取参数的时候先从地址0x10*n+0x00读flag,如果为0xA5表明当前记录为正在使用中,读出全部内容,并按前面公式进行校验,如果校验出 错,则当前参数不可靠,直接使用默认参数,并将当前区域的flag改写为0,同时在地址0x10*(n+1)位置开始将默认参数写入,地址0x10* (n+1)写入内容为0xA5。如果所有区域都没有发现有效记录,在地址0写入默认参数。
每次需要更改参数设定时,先将当前记录位置的flag改为0,然后再下一条记录位置写入新的参数,这个顺序可以做出适当改进,比如对写入时断电等意外情况 做出考虑,从而得到更可靠的写入结果,不过就按此方法也都可以满足应用需求。
再来对比一下两种方法,最简方法只能保存10万次,改进的方法理论上增加了16倍,达到160万次,如果预估最简方法产品是3年内绝对不会出错,现在就增 加到了48年,一个电子产品使用超过3年还是有可能,但用48年的可能性就非常之小,可以视同为0。对于FLASH芯片也是同样道理,这里就不重复举例说 明,在应用中也应该做出同样的处理。