对Nand flash读操作的分析

前几天大致分析了 u-boot 针对 smdk2410 的源码，了解了启动的流程，但是对板上许多硬件的驱动过程还不太清楚。 smdk2410 源码中有针对 Nor Flash 的初始化和读取，但源码中没有对 Nand Flash 的操作，虽然针对其他型号的板子应该有 Nand 的源码，但方便起见，我查阅了 vivi 的源码，它支持从 Nand Flash 启动，自然有我需要的东西。下面我就自己的分析和总结列出来，中间当然也从 google 上得到不少前人留下的宝贵资料 : ）。

我先摘录一段对 Nor 和 Nand flash 区别的几条总结：
    NOR   flash 采用 位读写 ，因为它具有sram 的接口，有 足够的引脚 来寻址，可以很容易的存取其内部的 每一个字节 。
    NAND   flash 使用复杂的I/O 口来 串行 地存取数据。 8 个引脚 用来传送控制、地址和数据信息（复用）。NAND 的 读和写单位为512Byte 的页，擦写单位为32 页的块 。
    ●  NOR 的读速度比NAND 稍快一些。
    ●  NAND 的写入速度比NOR 快很多。  
    ●  NAND 的4ms 擦除速度远比NOR 的5s 快。
    ●  大多数写入操作需要先进行擦除操作。
    ●  NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
    在NOR 器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND 器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD) ，NAND 和NOR 器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD 。

再来看看 Nand flash 自身的特点 （部分摘自 August0703 的文章）：
     Nand Flash 的数据是以 bit 的方式保存在 memory cell 中，一般来说，一个 cell  中只能存储一个 bit 。这些 cell  以 8 个或者 16 个为单位，连成 bit line ，形成所谓的 byte(x8)/word(x16) ， 这就是 NAND Device 的位宽 。
    多个 line （多个位宽大小的数据）会再组成 Page 。我使用的 Nand flash 是三星的 K9F1208U0M ，从 datesheet 上得知，此 flash 每页 528Bytes （ 512byte 的 Main Area + 16byte 的 Spare Area) ，每 32 个 page 形成一个 Block(32*528B) 。具体一片 flash 上有多少个 Block 视需要所定。我所使用的 k9f1208U0M 具有 4096 个 block ，故总容量为 4096* （ 32*528B ） =66MB ，但是其中的 2MB （ Spaer Area ）是用来保存 ECC 校验码等额外数据的，故实际中可使用的为 64MB 。
    Nand flash 以页（ 512Byte ）为单位读写数据，而以块（ 16KB ）为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：  
    ● Column Address ：列地址，地址的低 8 位
    ● Page Address  ：页地址
    ● Block Address  ：块地址
    对于 NAND Flash 来讲，地址 和命令 只能在 I/O[7:0] 上传递，数据 宽度也是 8 位 ，这导致在读写指定地址的数据时，地址是分 4 次传递的（ 3 次右移），见后文。
    s3c2410 这个处理器之所以可以直接从 Nand flash 启动，是因为 CPU 内置了 4KB 的片内 SRAM ，手册上称作“ Steppingstone ”。板子上电复位之后， CPU 会自动将 Nand flash 的前 4KB 代码拷贝到片内 SRAM 中去执行（此过程是靠硬件实现的，见 datasheet 图 Figure 6-1. NAND Flash Controller Block Diagram ），这也是导致从 Nor 和 Nand 启动后的内存映射不同的原因。所以， vivi 的 stage1 代码 head.S 必须要小于 4KB ，其中实现基本的 CPU 初始化等工作，并且要实现把自身拷贝到 SDRAM 中，之后的 stage2 就实现复杂功能。
    关于 SDRAM 的初始化，之前分析 u-boot 时虽然涉及，但那篇没有仔细分析，我将另外归纳一篇。

下面具体看一下如何读写这块 Nand flash ：
    从 s3c2410 的 datasheet 上得知， Nand flash 的操作通过 NFCONF 、 NFCMD 、 NFADDR 、 NFDATA 、 NFSTAT 和 NFECC 这六个寄存器来完成，并且列出操作 Nand flash 的 4 个步骤：

NAND FLASH MODE CONFIGURATION 1. Set NAND flash configuration by NFCONF register . 2. Write NAND flash command onto NFCMD register . 3. Write NAND flash address onto NFADDR register . 4. Read / Write data while checking NAND flash status by NFSTAT register . R/ nB signal should be checked before read operation or after program operation.

    下面结合 vivi 源码来详细的分析具体如何操作这 6 个寄存器来完成以上 4 个步骤来完成读过程：
先要初始化 Nand flash ，紧接着复位一下：

void reset_nand( ) {     int i= 0;     NFCONF & = ~ 0x800;     /* 现在真正使用Nand flash，bit[11]要置0，与初始化时相反 */         for ( ; i< 10; i+ + ) ;     NFCMD = 0xff;     //reset command /* 复位命令。NFCMD寄存器只用到低8位（bit[7:0]）。 K9F1208U0M手册中列出了针对此块flash的各种命令，见Table 1. Command Sets。vivi/include/mtd/nand.h更直观的列出了各种命令 */     wait_idle( ) ; } /* 初始化NAND Flash */ /* NFCONF设定为0xf830，作用是使能Nand flash控制器、初始化ECC、Nand flash片选信号nFCE=1(inactive，真正使用时再让它等于0)、设置TACLS、TWRPH0、TWRPH1。 TACLS、 TWRPH0、TWRPH1这三个参数是控制Nand flash信号线CLE/ALE和写控制信号nWE的时序关系的，要参照具体的flash芯片手册来设置。我这个是K9F1208U0M ，在表“AC Timing Characteristics for Command / Address / Data Input”中可以看到： CLE setup Time = 0 ns，CLE Hold Time = 10 ns， ALE setup Time = 0 ns，ALE Hold Time = 10 ns， WE Pulse Width = 25 ns 可 以计算，即使在HCLK=100MHz的情况下，TACLS+TWRPH0+TWRPH1=6/100 uS=60 ns，也是可以满足NAND Flash K9F1208U0M的时序要求的。（此句摘自thisway.diy@163.com的文章。关于如何配置时序，以后我得好好学习一下，还自诩电子出 身，丢人啊。。。）*/ void init_nand( ) {     NFCONF = 0xf830;     reset_nand( ) ; }

    初始化 Nand flash 之后，就可以把 stage2 的 main 函数代码拷贝到 SDRAM 中去执行，当然之前已经配置好了 SDRAM 。以上工作都是在 stage1 阶段（片内 SRAM 中）完成的，之后就可以读写 Nand flash 了。
    下面分析读操作的实现，贴上 vivi/s3c2410/nand_read.c 源码：

# include < config. h> # define __REGb( x)     ( * ( volatile unsigned char * ) ( x) ) # define __REGi( x)     ( * ( volatile unsigned int * ) ( x) ) # define NF_BASE        0x4e000000 # define NFCONF        __REGi( NF_BASE + 0x0) # define NFCMD        __REGb( NF_BASE + 0x4) # define NFADDR        __REGb( NF_BASE + 0x8) # define NFDATA        __REGb( NF_BASE + 0xc) # define NFSTAT        __REGb( NF_BASE + 0x10) # define BUSY 1 inline void wait_idle( void ) {     int i; /* NFSTAT：只用到位0，0-busy，1-ready */     while ( ! ( NFSTAT & BUSY) )       for ( i= 0; i< 10; i+ + ) ; } # define NAND_SECTOR_SIZE    512            /* Nand flash是以512Byte为单位来读写的 */ # define NAND_BLOCK_MASK        ( NAND_SECTOR_SIZE - 1) /* low level nand read function */ /* 下面的读过程严格按照2410手册上的顺序 */ int nand_read_ll( unsigned char * buf, unsigned long start_addr, int size) {     int i, j;     if ( ( start_addr & NAND_BLOCK_MASK) | | ( size & NAND_BLOCK_MASK) ) {         return - 1;     /* invalid alignment */     } /* chip Enable */ /* 对应第一条：1. Set NAND flash configuration by NFCONF register. */     NFCONF & = ~ 0x800;     for ( i= 0; i< 10; i+ + ) ;     for ( i= start_addr; i < ( start_addr + size) ; ) {       /* READ0 */ /* 对应第二条：2. Write NAND flash command onto NFCMD register. */       NFCMD = 0;       /* Write Address */ /* 对应第三条：3. Write NAND flash address onto NFADDR register. *NFADDR寄存器也只用到低八位来传输，所以需要分4次来写入一个完整的32位地址，需要注意后3次的移位操作 */       NFADDR = i & 0xff;       NFADDR = ( i > > 9) & 0xff;       NFADDR = ( i > > 17) & 0xff;       NFADDR = ( i > > 25) & 0xff; /* 对应第四条：4. Read/Write data while checking NAND flash status by NFSTAT register. 一个地址对应512个字节数据。所以，由于8bit位宽的限制，每次读取8位（1个字节），共读512次得到1页512Byte数据 */       wait_idle( ) ;       for ( j= 0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j+ + , i+ + ) {         * buf = ( NFDATA & 0xff) ;         buf+ + ;       }     } /* chip Disable */ /* 读写完毕需要禁止Nand flash ，与开始相对应*/     NFCONF | = 0x800;     /* chip disable */     return 0; }

    以上是对 Nand flash 读操作的分析。总体来看，关键在于根据 CPU 和 Flash 的 datasheet 配置各寄存器和按照规定顺序进行操作。具体的配置过程是比较繁杂的，可参照 u-boot 或 vivi 中对各种硬件支持的源码来配置，可省不少事。以后若自己尝试写 bootloader ，再实践一下作为练习吧。