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文章平均质量分 89
lwjun
这个作者很懒,什么都没留下…
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24V600mA限流电路的Pspice仿真实例
概要由于市面上24V这种高电压的限流IC比较少见,onsemi公司有此类芯片但缺货相当严重,近期价格也高得离谱,为此设计一款基于Ti电流感应芯片的24V600mA的电源限流电路,并采用Pspice工具对整个电路进行的仿真分析,本文对整个设计与仿真过程进行详细的讲解。关键物料选型前期考虑到要对整个电路进行spice的仿真,在关键物料选型时需要考虑元器件是否具有spice模块,综合对比,最终决定在rohm及Ti公司上进行物色,大家都知道国外的元器件相对国产的他们的器件资料及仿真模型都是比较完善的。.原创 2022-03-04 16:06:26 · 3017 阅读 · 0 评论 -
USB 3.0硬件设计
USB 3.0硬件设计概述USB3.0相比2.0在硬件物理连接上有较大的改变,采用的是RX/TX全双工链路设计,由2对差分信号组成,同时向下兼容USB2.0,所以整个接口有3对差分信号,分别为USB3_RXM/USB3_RXP,USB3_TXM/USB3_TXP,USB2_DM/USB2_DP,USB3.0的传输速率可达到5Gbps,相比USB2.0 480Mbps有比较大的提供。硬件原...原创 2019-06-17 10:31:42 · 15722 阅读 · 0 评论 -
Cadence CIS 器件管理平台解决方案
CIS 器件管理平台解决方案一、 概要CIS业界应用最广泛的原理图设计工具,在Cadence公司产Allegro Design Entry CIS /Allegro PCB Design CIS L /XL / GXL都包含有CIS器件管理平台。此平台可以科学管理与积累企业的智力资源,并能提高研发团队的效率以及规范性、整合企业 ERP/PDM系统优化研发流程。下图为CIS设计流程...原创 2019-06-14 18:07:32 · 4931 阅读 · 0 评论 -
贴片电阻分类、阻值、功率、封装、尺寸
贴片电阻分类、阻值、功率、封装、尺寸(2012-02-14 18:10:04)转载▼标签:贴片电阻分类阻值功率封装尺寸分类:Electronic.Component贴片电阻简述片式固定电阻器,从Chip Fixe转载 2014-03-24 14:58:27 · 2293 阅读 · 0 评论 -
C8051F38
C8051F38发布时间:2011-4-19 9:26:22 访问次数:686C8051F38x MCU系列产品的增强模拟/混合信号功能使得开发人员能够实现高性能USB连接,而无需负担高端MCU的额外费用。基于Flash闪存的F38x器件是与Silicon Labs公司现有的C8051F34x USB MCU引脚和代码兼容的,容易移植且提供额外的I2C接口、更高性能的ADC、更转载 2014-03-30 20:26:10 · 1391 阅读 · 0 评论 -
UART和RS232/RS485的关系是什么?
UART和RS232/RS485的关系是什么? 2013-09-04 12:31:56| 分类: 计算机 | 标签:rs232 uart rs485 |举报|字号 订阅 串口通讯是电子工程师和嵌入式开发工程师面对的最基本问题,RS232则是其中最简单最常用的通讯方式。但是初学者往往搞不清有关的名词如UART和RS232或RS485之间是什么关系,因为它们经常被放到转载 2014-03-30 16:48:23 · 739 阅读 · 0 评论 -
I2C总线详细介绍
I2C总线详细介绍 |字号 订阅I2C是一种串行总线的外设接口,它采用同步方式串行接收或发送信息,两个设备在同一个时钟下工作。I2C总线只用两根线:串行数据SDA(Serial Data)、串行时钟SCL(Serial Clock)。由于I2C只有一根数据线,因此其发送信息和接收信息不能同时进行。信息的发送和接收只能分时进行。I2C串行总线转载 2013-09-02 14:35:04 · 847 阅读 · 0 评论 -
倍压整流电路
倍压整流电路的实质是电荷泵。最初由于核技术发展需要更高的电压来模拟人工核反应,于是在1932年由COCCROFT和WALTON提出了高压倍压电路,通常称为C-W倍压整流电路。倍压整流电路有多种结构,各有优缺点。常见电路如下:这三个电路都是6倍压整流电路,各有特点。我们通常称每2倍为一阶,用N表示,上述电路都是3阶,即N=3。如果希望输出电压极性不同,只要将所有的二极管反向就可以转载 2013-08-28 10:25:16 · 2215 阅读 · 0 评论 -
功率和增益的表达(dBm/ W/dB)
功率和增益的表达(dBm/ W/dB) 转载▼标签: 功率和增益 表达 dbm/ w/db dbm快速转换为w 方法 杂谈分类: 基础知识dBm和WdBm和W是一个表示功率绝对值的单位。计算公式为:dBm = 10lg(功率值/转载 2013-07-22 12:03:50 · 8031 阅读 · 1 评论 -
DDR内存 时序指南
DDR 内存 既然叫做双倍速率SDRAM(Dual date rate SDRSM),就是说是SDRAM的升级换代产品。从技术上分析,DDR SDRAM最重要的改变是在界面数据传输上,其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据,这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。那么大家就应该知道了,我们所说的DDR400,DDR333,DDR266,他们的工作频率其实仅为那些数值的一半,也就是说D转载 2013-07-15 16:32:58 · 1131 阅读 · 0 评论 -
功率场效应晶体管MOSFET
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semico转载 2013-07-11 17:40:07 · 1852 阅读 · 0 评论 -
手机的ESD防护
手机的ESD防护手机的功能越来越强大,而电路板却越来越小,集成度越来越高。手机有几个部分用于人机交互,这样就存在着人体静电放电的ESD问题。手机电路中需要进行ESD防护的部位有:SIM卡插座与CPU读卡电路、键盘电路、耳机、麦克风电路、电源接口、数据接口、USB接口、彩屏LCD驱动接口。 ESD可能会造成手机工作异常、死机,甚至损坏并引发其他的安全问题。所以在手机上市之前,我国都强行要求进转载 2013-07-11 10:01:28 · 781 阅读 · 0 评论