前言
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正文
一、SDRAM概念
1.1 含义
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器
同步:
动态:不断刷新保证数据的可靠性(电容存储电荷)
随机:
1.2 版本
- SDR SDRAM:即常说的SDRAM,采用
单端时钟信号
,在时钟上升沿采样
- DDR SDRAM
- DDR2 SDRAM
- DDR3 SDRAM
- DDR4 SDRAM
时钟信号:差分信号(抗干扰)
采样模式:时钟上升沿和下降沿都要采样
1.3 存储阵列
SDRAM中4个区域用存储,即4个Bank
SDRAM 存储容量计算
:
- 找到芯片手册中对应的行地址、列地址的位宽,下面图中Bank的行数=13,列数=9
- 假设每个存储单元可以存16bit的数据
- 计算公式:
(2^13) * (2^9) * 16 bit * 4 Bank = 256M
bit (单位是bit)
1.4 芯片引脚
CLK:时钟
CKE:时钟使能,高电平时,CLK才起作用
RAS#:低电平有效,行选通信号
CAS#:低电平有效,列选通信号
这2个引脚共同使用A0-A12这13个引脚,分时复用
WE#:使能写操作、预充电
CS#:片选信号,屏蔽或使能所有的输入输出端口
SDRAM操作命令:CS#——CAS#——RAS#——WE#
BA[1:0]:Bank地址
A[12:0]:存储地址
DQ[15:0]:双向数据端口
1.5 操作命令
1.6 学习难点
主要体现在对控制时序要求很严格
1.6.1 由动态造成的难点
1.6.2 由随机造成的难点
行地址、列地址公用一个端口,分时复用
二、实验
2.1 初始化
时序图来自镁光数据手册
波形图来自野火视频
2.1.1指令:
指令的写入只占用一个时钟周期
SDRAM初始化需要用到下面这4个指令共同完成
parameter P_CHARGE = 4'b0010 , //预充电指令
AUTO_REF = 4'b0001 , //自动刷新指令
NOP = 4'b0111 , //空操作指令
M_REG_SET = 4'b0000 ; //模式寄存器设置指令
2.1.2 地址
init_addr = {3'd0,1'b0,2'b00,3'b011,1'b0,3'b111};
2.2 自动刷新(保证数据不丢失)
2.3 写操作(页突发)
突发模式
:不带自动充电的页突发模式
页突发的长度
: 一行包含的存储单元的个数
2.4 读操作(页突发)
突发模式
:不带自动充电的页突发模式
设置潜伏期
在初始化模块部分设置的3个潜伏期
于是在读数据部分,就需要用突发长度+3
来表示读数据的使用的周期
从SDRAM中读取的数据需要进行打拍,因为SDRAM的工作时钟和当前模块的系统时钟频率相同、相位不同
2.5 仲裁模块
优先级:自动刷新>写操作>读操作
2.6 SDRAM控制模块
2.7 FIFO控制模块
需要配置读写FIFO的IP核:FIFOIP核配置步骤