嵌入式基础中模拟电子技术的知识点汇总

以下是关于嵌入式基础中模拟电子技术的知识点汇总：

一、半导体基础知识

1. 半导体材料特性

   • 硅、锗等半导体材料的导电特性介于导体和绝缘体之间。
   • 本征半导体、杂质半导体（N 型和 P 型）的形成及特点。

2. PN 结

   • PN 结的形成过程。
   • PN 结的单向导电性、伏安特性曲线。
   • PN 结的电容效应（势垒电容和扩散电容）。

二、半导体二极管

1. 二极管的结构和类型

   • 点接触型、面接触型、平面型二极管。
   • 普通二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管等。

2. 二极管的伏安特性

   • 正向特性、反向特性、反向击穿特性。

3. 二极管的主要参数

   • 最大整流电流、最高反向工作电压、反向电流等。

4. 二极管电路分析

   • 简单二极管电路的静态分析和动态分析。
   • 二极管在整流、限幅、钳位等电路中的应用。

三、晶体三极管

1. 三极管的结构和类型

   • NPN 型和 PNP 型三极管的结构及工作原理。
   • 三极管的电流放大作用。

2. 三极管的特性曲线

   • 输入特性曲线：描述输入电流与输入电压之间的关系。
   • 输出特性曲线：描述输出电流与输出电压之间的关系。

3. 三极管的主要参数

   • 电流放大系数（β、α）、极间反向电流、极限参数等。

4. 三极管电路分析

   • 三极管基本放大电路的静态工作点分析、动态分析（微变等效电路法）。
   • 共发射极、共集电极、共基极三种基本放大电路的特点及应用。

四、场效应管

1. 场效应管的结构和类型

   • 结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）的结构及工作原理。
   • N 沟道和 P 沟道场效应管。

2. 场效应管的特性曲线

   • 转移特性曲线：描述漏极电流与栅源电压之间的关系。
   • 输出特性曲线：描述漏极电流与漏源电压之间的关系。

3. 场效应管的主要参数

   • 开启电压、夹断电压、跨导、漏极饱和电流等。

4. 场效应管电路分析

   • 场效应管基本放大电路的静态工作点分析、动态分析。
   • 共源极、共漏极、共栅极三种基本放大电路的特点及应用。

五、集成运算放大器

1. 集成运放的组成及特点

   • 输入级、中间级、输出级、偏置电路的作用。
   • 集成运放的高增益、高输入阻抗、低输出阻抗等特点。

2. 集成运放的主要参数

   • 开环增益、输入失调电压、输入失调电流、共模抑制比等。

3. 集成运放的线性应用

   • 比例运算、加法运算、减法运算、积分运算、微分运算等。

4. 集成运放的非线性应用

   • 比较器（单限比较器、滞回比较器、双限比较器）。

六、反馈放大电路

1. 反馈的基本概念

   • 正反馈和负反馈的判断。
   • 反馈的四种组态（电压串联、电压并联、电流串联、电流并联）。

2. 反馈对放大电路性能的影响

   • 提高增益的稳定性、改变输入输出电阻、展宽频带、减小非线性失真等。

3. 深度负反馈条件下的放大倍数计算。

七、功率放大电路

1. 功率放大电路的特点和要求

   • 输出功率大、效率高、非线性失真小等。

2. 甲类、乙类、甲乙类功率放大电路的工作原理及特点。

3. 互补对称功率放大电路（OCL、OTL）。

八、信号处理与产生电路

1. 有源滤波器

   • 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器的工作原理及设计。

2. 正弦波振荡器

   • 振荡条件（幅度平衡条件和相位平衡条件）。
   • RC 正弦波振荡器、LC 正弦波振荡器的工作原理及特点。

3. 非正弦波产生电路（方波、三角波、锯齿波产生电路）。