1.CMOS器件
PMOS管比NMOS管宽的原因?
PMOS管是空穴导电,NMOS管是电子导电,电子(负电荷)的迁移率约是空穴(正电荷)的2倍。所以PMOS需要更多的通道进行电子迁移,才能和NMOS管相同
cos反相器
功能:输入高电平,输出为低电平,输入低电平,输出为高电平
0-1为充电,1-0为放电过程。 ,tpHL为放电过程时间,当电阻电容越小,频率翻转更快
2.数字电路功耗
动态功耗:充电和放电
f频率,vdd电压,cl电容。升压可提高性能,但同时功耗增加,温度升高,
PMOS管比NMOS管宽的原因?
PMOS管是空穴导电,NMOS管是电子导电,电子(负电荷)的迁移率约是空穴(正电荷)的2倍。所以PMOS需要更多的通道进行电子迁移,才能和NMOS管相同
cos反相器
功能:输入高电平,输出为低电平,输入低电平,输出为高电平
0-1为充电,1-0为放电过程。 ,tpHL为放电过程时间,当电阻电容越小,频率翻转更快
动态功耗:充电和放电
f频率,vdd电压,cl电容。升压可提高性能,但同时功耗增加,温度升高,