打工人眼中的PN结

 一、半导体元素

        在讲PN结之前，需要先了解一下半导体常用的一些元素：Si硅、Ga镓、N氮、C碳、Ge锗等处于+4价附近的元素，那就先从Si硅讲起吧。

图1.化学元素周期表

图2.硅原子内部

1.Si元素

+4价的Si，从外层电子来看，有4个自由电子，这4个自由电子处于半稳定状态（最外层8个自由电子才达到稳定状态），有可以移动的空间，它需要与其他的Si原子去共享这4个自由电子，形成共价键，这个过程也就是本征激发（Intrisic Excitation）。 温度越高，本征激发出来的自由载流子就越多。

intrinsic a.内部的 excitation 刺激

图3.本征激发

PN结最重要的两个元素：P掺杂的3价Al铝和N掺杂的5价P磷。为了更好的解释PN结的工作原理，我作为一名打工人，将用两个团队撮合成一个大团队这么一个例子来进行生动且有点抽象的比喻。

2.P掺杂

P（Postive）掺杂：Al与Si相比，最外层电子少了一个，少了电子的这一个位置就是空穴（Hole），Al原子就相当于一个积极的团队，由于团队里面需要3个人（自由电子）干4个人的活，这3个人就得时不时切换团队里面的个人工作，而这个团队叫做P队；

图4.铝原子内部

3.N掺杂

N（Negative）掺杂：P与Si相比，最外层电子多了一个，而这个电子就称为自由电子（Free Electron），P原子就相当于看起来效率没那么高的一个团队，5个人干4个人的活，这个团队叫做N区。

这个时候，出现了一个大领导，想要把这两个团队撮合一下,让N区的一个闲人（自由电子）到P区干活，能否让（P区和N区一起合理地运转）PN结正常工作，就得看领导有没有大智慧了。

图5.PN结

由于两个团队本身的运转也算得上是稳定的，两个团队原本就有一个小领导（自身的质子能束缚住外层电子，自身是呈现电中性），如果N区多出来的自由电子转移到P区的空穴（这就是扩散运动），两极之间就会产生耗尽区（Depletion Region），相当于N区失去自由电子和P区失去空穴的区域产生电场，这个电场就称为势垒区（Barrier Potential），如图7所示。

图6.PN结之间形成耗尽层

图7.PN结耗尽层的电场分布

二、PN结工作原理

1.正向导通/正向偏置

外部施加一个与势垒区相反而且幅值比它大的电压，让N区能有源源不断的闲人（自由电子）定向地往P区的空余岗位（空穴）上送，这就是正向偏置（Foreward Based）。

所施加的外部电场电压称为正向偏置电压（硅0.7V，锗0.3V）。

2.反向截止/反向偏置

外部施加一个与势垒区电压相同方向的电压，相当于把P区本来就很忙的人还要去N区干活，N区的人就更闲了，导致两区无法正常运转，这就是反向偏置。但是也会有少量载流子流过PN结，就好比N区的闲人闲不住了自发跑到P区干活（漂移运动）。

按理来说，PN结是可以承受一定的反向电压，但是施加的反向电压过大，会导致反向电流突然增大，以下按击穿机理的不同进行讨论：

3.雪崩击穿

外加的反向电压增加，耗尽层的电场强度增加，本身的自由电子势能增加，撞击破坏了原子和原子之间的共价键，导致耗尽层中的Si原子自由电子和空穴成倍大量增加，这个过程叫做雪崩击穿。

4.齐纳击穿

与雪崩击穿不一样的是，在高浓度掺杂的耗尽层，只需要一定（不大）的反向电场，就可以破坏原子和原子之间的共价键，产生大量的电子-空穴对，造成流过PN结电流增大的现象。

5.热击穿

反向电流和反向电压的乘积大于耗散功率，导致PN结过热被烧坏，这就是热击穿。

6.势垒电容

外部施加电场，电场强度变化，耗尽层的宽度也会发生变化，这就相当于一个电容，称之为势垒电容（barrier capacitance）。

7.扩散电容

由于高掺杂的载流子（电子）向低浓度的掺杂区扩散，两极之间产生的电场效应称之为扩散电容。