DRAM的刷新操作及突发传输模式

ⅰ.DRAM的刷新操作

ⅱ.突发传输模式

ⅰ.DRAM的刷新操作

⑴.刷新操作：

按行来执行内部的读操作。

由刷新计数器产生行地址，选择当前要刷新的行，读出方式刷新，刷新一行所需时间就是一个存储周期。

⑵.刷新周期：

从对整个存储器刷新结束时起，到对整个DRAM全部刷新一遍为止时间间隔。

⑶.刷新信号周期：

相邻两行位元之间刷新的时间间隔单元。

⑷.刷新间隔时间：

DRAM允许的最大信息保持时间一般为64ms 。

⑸.刷新行数：单个芯片的单个矩阵的行数。 对于内部包含多个存储矩阵的芯片，各个矩阵的同一行是被同时刷新的。对于多个芯片连接构成的DRAM，DRAM控制器将选中所有芯片的同一行来进行逐行刷新。

⑹.刷新原因:

①.DRAM的读操作是破坏性的。

②.读操作会使电容器上的电荷流失。

⑺.刷新方式:

①.集中式刷新:

集中刷新是在规定的⼀个刷新周期内，对全部存储单元集中⼀段时间逐⾏进⾏刷新，此刻必须停⽌读/写操作。

死时间:由于在刷新的过程中不允许读/写操作，故称这段时间为"死时间"或访存"死区"。

补充:为什么刷新与存取不能并⾏？

因为内存就⼀套地址译码和