MOSFET驱动电路（EG2104）选型及PCB设计要点

已于 2024-06-17 10:03:22 修改
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于 2024-06-05 21:54:27 首次发布
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一.驱动电路

EG2104驱动芯片带SD脚，防止上电自启动，SD直连单片机，上电初始化为低电平，先输出pwm，再把SD置高即可（SD为1时驱动芯片才工作）

自举电容：通俗来说就是上管的s级不像下管的s级一样是GND若想使上管导通，Vgs>Vth，栅极就得在s级上把电压抬高从而导通（最好选1206封装的NP0和C0G电容）

R1栅极电阻：因为驱动的走线会有很强的寄生电感，GS之间有一个寄生电容Cgs，所以他们会形成一个LC谐振电路，输入pwm的上升沿会形成振铃，我们串联一个电阻可以降低其Q值，使之迅速衰减。

R2为gs并联电阻：可作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电，防止主电路上电但没驱动信号时，mos管误导通，甚至击穿mos管，起保护作用，通常选取10K~

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此段可以忽略从着手设计电路到现在还没有收到某创的板子（最终版）大概整了有一个月多，一共打了四个板子，最开始用的IR2104，IR2184。。。，实在是又贵又难用，国产仿造的三块一个，进口的十三四一个，最开始不太懂，自举电容用的电解，上桥臂输出最大值12V最小值8V的方波，下桥臂纯粹没有输出，后来找资料换成10微法的钽电容，依然是这样，后来还整了一个进口的，没卵用。
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而Lk是驱动回路的感抗，一般包含mos管引脚的感抗，PCB走线的感抗，驱动芯片引脚的感抗等，其精确的数值往往难以确定，但数量级一般在几十nH左右。图4给出的改进电路1是在驱动电阻上反并联了一个二极管，当mos关断时，关断电流就会流经二极管Doff，这样mos管gs的电压就为二极管的导通压降，一般为0.7V，远小于mos的门槛电压（一般为2.5V以上），有效地避免了mos的误开通。那么考虑一定的裕量，取驱动电阻为10欧姆时是合适的，而将驱动电阻取得太大（比如50欧姆以上），从损耗的角度来讲，肯定是不合适的。
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如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。如果您是原创作者，发现我们的内容涉及您的版权作品，请联系我们，我们将按照您的要求进行调整或删除。源IC直接驱动是最简单的驱动方式，使用时需要查阅电源IC的数据手册，确定其能够提供的最大驱动峰值电流。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。
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