模拟集成：Veff过驱动电压的定义

过驱动电压Veff/Vod的解释

发现网上搜索都没这个概念，有些无语，参照老师课件和EETOP，整理下。

Veff=VGS-VTH，表示过驱动电压。
也就是说，其实过驱动电压不是一个很神秘的东西，是之前已有的概念进行延伸的，表示的是栅源电压-阈值电压。其实是一个变值，会随VGS电压变化而变化，也会受VTH的影响（体效应），其实是我们设计过程中可能会经常出现的一个名词，经常会设计一个比较固定的过驱动电压。
另外，过驱动电压也可以表示称为Vod，我觉得这个比较好，直观的表示就是over drive voltage。我们老师讲课经常用这个表示，但板书又用Veff，刚开始迷的很，不要和电压有效值搞混。

下面通过对过驱动电压Vod的变化情况，来看下NMOS的工作区：

01 VGS>VTH，且VDS<Veff：
MOS管工作在线性区（三极管区），此时的电流是

02 VGS>VTH，且VDS>Veff ( VDS>VGS-VTH ----> VGD<VTH )：
MOS管工作在饱和区，此时的电流是

如果考虑沟道长度调制效应的话是：

注意：ID描述的电流方向是从D端流向MOS管的。

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下面是PMOS的工作区描述：
01 |VGS|>|VTH|，且|VDS|<|Veff|：
PMOS工作在线性区（三极管区），此时的电流是：

02 |VGS|>|VTH|，且|VDS|>|Veff|：
PMOS工作在饱和区，此时的电流是：

如果考虑沟道长度调制的话是：