晶振两端串联和并联电阻的租用

  
一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻,在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻,这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器,将输入进行反向180度输出,晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移,整个环路的相移360度,满足振荡的相位条件,同时还要求闭环增益大于等于1,晶体才正常工作。  
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈,保证放大器工作在高增益的线性区,一般在M欧级,输出端的电阻与负载电容组成网络,提供180度相移,同时起到限流的作用,防止反向器输出对晶振过驱动,损坏晶振。  
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀,这将引起频率的上升,并导致晶振的早期失效,又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。  
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?  
电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路,形成放大器,当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振,由于晶体的Q值非常高,因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去,曾经试验此电路的稳定性时,试过从100K~20M都可以正常启振,但会影响脉宽比的。  
晶体的Q值非常高, Q值是什么意思呢? 晶体的串联等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感,相当于电感的导线电阻很小很小。Q一般达到10^-4量级。  
避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较大,一般是几百K。  
串进去的电阻是用来限制振荡幅度的,并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右,主要用与微调频率和波形,并影响幅度,并进去的电阻就要看 IC   spec了,有的是用来反馈的,有的是为过EMI的对策   
可是转化为 并联等效阻抗后,Re越小,Rp就越大,这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很大很大。外面并的电阻是并到这个Rp上的,于是,降低了Rp值 -----> 增大了Re -----> 降低了Q  
精确的分析还可以知道,对频率也会有很小很小的影响。  
总结并联电阻的四大作用:  
1、配合IC内部电路组成负反馈、移相,使放大器工作在线性区; 2、限流防止谐振器被过驱;  
3、并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动; 4、电阻取值影响波形的脉宽。  
请问单片机晶震旁的2个电容有什么要求吗?  
这个是晶体的匹配电容,只有在外部所接电容为匹配电容的情况下, 振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。  
最好按照所提供的数据来,如果没有,一般是30pF左右。太小了不容易 起振。  
在某些情况下,也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率,当然 可调范围一般在10ppm量级。 串电阻是降低驱动功率,避免过激励,并电阻是为了帮助起振,串的电阻一般都是百欧姆级,并的一般都上M,很怀疑楼主这个电路是否能正常工作。

一份电路在其输出端串接了一个

22K

的电阻,在其输出端和输入端之间接了一个

10M

的电

阻,这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器,将输入进行反向

180

度输出,

晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外

180

度的相移,

整个环路的相移

360

度,

满足振

荡的相位条件,同时还要求闭环增益大于等于

1

,晶体才正常工作。

 


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