飞思卡尔 HCS12(x) memory map解说之2

接着上次的说吧。
首先问一个问题:
中断函数为什么要加:#pragma CODE_SEG __NEAR_SEG NON_BANKED 这个声明?这个声明是干什么用的?
这要还是要从FLASH分页和非分页的区别说起。
   
      下面详细说一说,FLASH里非分页和分页的使用。 要明白一点,分页是不可见的,要用的时候PPAGE参与寻址。
  
   1 FLASH里非分页工作机制
  
     FLASH一共为128K,一页是16K,那么应该有8页才是,但是实际只有6个分页。有2个非分页放在4000-7FFF,和C000-FFFF两个逻辑地址窗里。那么,当程序的寻址在64K之内(2^16=64K,16位机的寻址能力是64K)时,就不用分页了,直接使用那两个非分页的数据。实际上,3E页 3F页是可见的,其实他们就是那2个非分页的映射。因此,使用非分页FLASH,就不须设置PPAGE寄存器,直接使用逻辑地址即可。见图1。
  
      这点我们可以从以下看出:
/* non-paged FLASHs */
      ROM_4000      = READ_ONLY     0x4000 TO   0x7FFF;
      ROM_C000      = READ_ONLY     0xC000 TO   0xFEFF;
PLACEMENT
      NON_BANKED,    INTO  ROM_C000/*, ROM_4000*/;
   
    很直观地看出,把这两个可以直接使用逻辑地址的页面设为NON_BANKED, 那么中断函数放在NON_BANKED里
,就可以把函数放在64K的寻址程序段中。这么一来,进中断就方便多了,效率也高很多。这就是对本文开篇的解释。
   
    大家记住这一点,在XS128里也有类似的一招。
  
     2  FLASH里分页工作机制
   
     好了,上面是3E页 3F页是可见的分页区,还有3D 3C 3B 3A 39 38不可见的分页区。当你的程序要寻址64K以外的空间,即不是是可见的3E页 3F页时,就要涉及分页了。
   
     PPAGE是MMC模块的东西,我搞了个图片大家看看,如图2。每一页在DG128中的逻辑地址都是由PPAGE中的页号和重叠窗口内地址组成的24位绝对地址。通过设置寄存器PPAGE,可以使用全部的FLASH空间。例如:程序要将数据存入$3D页,设置PPAGE的值为$3D,那么逻辑地址范围说是$3D8000-$3DBFFF。有一点要注意:为了分页描述的完整性,可以如下理解:对于3E页 3F页有两个逻辑地址映射到物理地址。拿3E页来说,有$004000-$007FFF和$3E8000-$3EBFFF。
  
      对于程序是如何寻址,这个是内核的东西,大家可以看看CPU这个文档。
  
      通过分析,相信大家知道地址这个东西是非常有用的吧。下次说说XS128,XS128的RAM FLASH EEPROM都可以分页。更高级,更主动,编程弹性更大。

  
                                                              图1
 
                                    图 2
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