1.2 半导体二极管

将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管，简称二极管。由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极，常见的外形如图1.2.1所示。

一、半导体二极管的几种常见结构

二极管的几种常见结构如图1.2.2(a)~©所示，符号如图(d)所示。图(a)所示的点接触型二极管，由一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面相接形成PN结。因而结面积小，不能通过较大的电流。但其结电容较小，一般在1 pF以下，工作频率可达100 MHz以上。因此适用于高频电路和小功率整流。
图(b)所示的面接触型二极管是采用合金工艺制成的。结面积大，能够流过较大的电流，但其结电容大，因而只能在较低频率下工作，一般仅作为整流管。
图($c$) 所示的平面二极管是采用扩散法制成的。结面积较大的可用于大功率整流，结面积小的可作为脉冲数字电路中的开关管。

二、二极管的伏安特性

1、二极管与PN结伏安特性的区别

与PN结一样，二极管具有单向导电性。但是，由于二极管存在半导体体电阻和引线电阻，所以当外加正向电压时，在电流相同的情况下，二极管的端电压大于PN结上的压降；或者说，在外加正向电压相同的情况下，二极管的正向电流要小于PN结的电流；在大电流情况下，这种影响更为明显。另外，由于二极管表面漏电流的存在，使外加反向电压时的反向电流增大。
在近似分析时，仍采用PN结的电流方程式(1.1.2)、(1.1.3)来描述二极管的伏安特性。
实测二极管的伏安特性发现，只有在正向电压足够大时，正向电流才从零随端电压按指数规律增大。使二极管开始导通的临界电压称为开启电压$U_{on}$，如图1.2.3所示。当二极管所加反向电压的数值足够大时，反向电流为$I_s$。反向电压太大将使二极管击穿，不同型号二极管的击穿电压差别很大，从几十伏到几千伏。
表1.2.1列出两种材料小功率二极管开启电压、正向导通电压范围、反向饱和电流的数量级。由于硅材料PN结平衡时耗尽层电势$U_{ho}$比锗材料的大，使得硅材料的$U_{on}$比锗材料的大。

2、温度对二极管伏安特性的影响

在环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移（如图1.2.3虚线所示）。在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~2.5mV；温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。可见，二极管的特性对温度很敏感。

三、二极管的主要参数

1、最大整流电流$I_F$

$I_F$是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。在规定散热条件下，二极管正向平均电流若超过此值，则将因结温升过高而烧坏。

2、最高反向工作电压$U_R$

$U_R$是二极管工作时允许外加最大的反向电压，超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。通常$U_R$为击穿电压$U_{(BR)}$的一半。

3、反向电流 $I_R$

$I_R$是二极管未击穿时的反向电流。$I_R$愈小，二极管的单向导电性愈好，$I_R$对温度非常敏感。

4、最高工作频率$f_M$

$f_M$是二极管工作的上限截止频率。超过此值时，由于结电容的作用，二极管将不能很好地体现单向导电性。
应当指出，由于制造工艺所限，半导体器件参数具有分散性，同一型号管子的参数也会有很大的差距，因而手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。此外，使用时应特别注意手册上每个参数的测试条件，当使用条件与测试条件不同时，参数也会发生变化。
在实际应用中，应根据管子所用场合，按其承受的最高反向电压、最大正向平均电流、工作频率、环境温度等条件，选择满足要求的二极管。

四、二极管的等效电路

为了便于二极管电路的分析，常在一定条件下，用线性元件所构成的电路来近似模拟二极管的特性。能够模拟二极管特性的电路称为二极管的等效电路，也称为二极管的等效模型。

1、由伏安特性折线化得到的等效电路

由伏安特性折线化得到的电路如图1.2.4所示，图中粗实线为折线化的伏安特性，虚线表示实际伏安特性，下边为等效电路。图(a)所示的折线化伏安特性表明二极管导通时正向压降为零，截止时反向电流为零，称为理想二极管，用空心的二极管符号来表示。
图(b)所示的折线化伏安特性表明二极管导通时正向压降为一个常量$U_{on}$，截止时反向电流为零。因而等效电路是理想二极管串联电压源$U_{on}$。
图©所示的折线化伏安特性表明当二极管正向电压$U$大于$U_{on}$后其电流$I$与$U$成线性关系，直线斜率为$1/r_D$。二极管截止时反向电流为零。因此等效电路是理想二极管串联电压源$U_{on}$和电阻$r_D$，且$r_D=\Delta U/\Delta I$。
如图1.2.5所示，若电压源$V$远大于二极管的导通电压$U_D$，则可以认为电阻$R$上电压$U_R$约等于电压源电压$V$，即认为二极管具有图1.2.4(a)所示特性，回路电流$I\approx V/R$。
因为二极管导通电压的变化范围很小，所以多数情况下可以认为图1.2.5所示电路中的二极管具有图1.2.4(b)所示特性，对于硅管，可取$U_D=U_{on}=0.7V$;对于锗管，可取$U_D=U_{on}=0.2V$；因而回路电流$I=\frac{V-U_{on}}{R}$。
为使计算出的回流电流$I$更接近实际情况，可以选择图1.2.5所示电路中的二极管具有1.2.4($c$)所示的特性，此时回路电流$I=\frac{V-U_{on}}{r_D+R}$。
在近似分析中，三个等效电路中以图(a)误差最大，图($c$)误差最小，图(b)应用最为普遍。
【例1.2.1】 电路如图1.2.6所示，二极管导通电压$U_D$约为0.7V。试分别估算开关断开和闭合时输出电压的数值。解：当开关断开时，二极管因加正向电压而导通，故输出电压
$$U_o=V_1-U_D\approx (6-0.7)V=5.3V$$当开关闭合时，二极管因外加反向电压而截至，故输出电压
$$U_o=V_2=12V$$

2、二极管的微变等效电路

当二极管外加直流正向电压时，将有一直流电流，曲线上反映该电压和电流的点为Q点，如图1.2.7(a)中所标注。若在Q点基础上外加微小变化量，则可以用以Q点为切点的直线来近似微小变化时的曲线，如图1.2.7(a)所示；即二极管等效成一个动态电阻$r_d$，且$r_d=\Delta u_D/\Delta i_D$，如图(b)所示，称之为二极管的微变等效电路。利用二极管的电流方程可以求出$r_d$。$$\frac{1}{r_d}=\frac{\Delta i_D}{\Delta u_D}\approx \frac{d{i}_D}{d{u}_D}=\frac{d[I_s(e^{\frac{u}{U_T}}-1)]}{du}\approx \frac{I_s}{U_T}\cdot e^{\frac{u}{U_T}}\approx \frac{I_D}{U_T}$$$$r_d\approx \frac{U_T}{I_D}(\mathrm{1.2.1})$$式中$I_D$是Q点的电流。由于二极管的正向特性为指数曲线，所以Q点愈高，$r_D$的数值愈小。
对于图1.2.8所示电路，在交流信号$u_i$幅值较小且频率较低的情况下，$u_R$的波形如图1.2.9所示，它是在一定的直流电压的基础上叠加上一个与$u_i$一样的正弦波，该正弦波的幅值决定于$r_d$与R的分压。图中标注的$U_D$是直流电压源V单独作用时二极管的正向压降，即Q点电压。

五、稳压二极管

稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。稳压管反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。因而广泛用于稳压电源与限幅电路之中。

1、稳压管的伏安特性

稳压管的伏安特性与普通二极管类似，如图1.2.10(a)所示，正向特性为指数曲线。当稳压管外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿，击穿区的曲线很陡，几乎平行于纵轴，表现其具有稳压特性。只要控制反向电流不超过一定值，管子就不会因过热而损坏。
稳压管的符号及等效电路如图(b)所示。在等效电路中，二极管$D_1$表示稳压管加正向电压与虽加反向电压但未击穿时的情况，理想二极管、电压源$U_Z$和电阻$r_d$的串联支路表示稳压管反向击穿时的等效电路。

2、稳压管的主要参数

（1）稳定电压$U_Z$：$U_Z$是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。由于半导体器件参数的分散性，同一型号的稳压管的$U_Z$存在一定差别。例如，型号为2CW11的稳压管的稳定电压为3.2~4.5V。但就某一只管子而言，$U_Z$应为确定值。
（2）稳定电流$I_Z$：$I_Z$是稳压管工作在稳压状态时的参考电流，电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，故也常将$I_Z$记作$I_{Zmin}$。
（3）额定功耗$P_{ZM}$：$P_{ZM}$等于稳压管的稳定电压$U_Z$与最大稳定电流$I_{ZM}$（或记作$I_{Zmax}$）的乘积。稳压管的功耗超过此值时，会因结温过高而损坏。对于一只具体的稳压管，可以通过其$P_{ZM}$的值，求出$I_{ZM}$的值。
只要不超过稳压管的额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。
（4）动态电阻$r_z$：$r_z$是稳压管工作在稳压区时，端电压变化量与其电流变化量之比，即$r_z=\Delta U_Z/\Delta I_Z$。$r_z$愈小，电流变化时$U_Z$的变化愈小，即稳压管的稳定特性愈好。对于不同型号的管子，$r_z$将不同，从几欧到几十欧。对于同一只管子，工作电流愈大，$r_z$愈小。
（5）温度系数$\alpha$：$\alpha$表示温度每变化1℃稳压值的变化量，即$\alpha =\Delta U_Z/\Delta T$。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数（属于齐纳击穿），即温度升高时稳定电压值下降；稳定电压大于7V的管子具有正温度系数（属于雪崩击穿），即温度升高时稳定电压值上升；而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数非常小，近似为零（齐纳击穿和雪崩击穿均有）。
由于稳压管的反向电流小于$I_{Zmin}$时不稳定，大于$I_{Zmax}$时会因为超过额定功耗而损坏，所以在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，从而保证稳压管正常工作，故称这个电阻为限流电阻。只有在R取值合适时，稳压管才能安全地工作在稳压状态。
【例1.2.2】 在图1.2.11所示稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳定电压$U_Z=6V$，最小稳定电流$I_{Zmin}=5mA$，最大稳定电流$I_{Zmax}=25mA$；负载电阻$R_L=600\Omega$。求解限流电阻R的取值范围。解：从图1.2.11所示电路可知，R上电流$I_R$等于稳压管中电流$I_{Dz}$和负载电流$I_L$之和，即$I_R=I_{Dz}+I_L$。其中$I_{Dz}=(5$ ~ $25)mA$，$I_L=U_Z/R_L=(6/600)A=0.01A=10mA$，所以$I_R=(15$ ~ $35)mA$。
R上电压$U_R=U_I-U_Z=(10-6)V=4V$，因此
$$R_{max}=\frac{U_R}{I_{Rmin}}=(\frac{4}{15\times 10^{-3}})\Omega \approx 227\Omega$$$$R_{min}=\frac{U_R}{I_{Rmax}}=(\frac{4}{35\times 10^{-3}})\Omega \approx 114\Omega$$限流电阻R的取值范围为114~227$\Omega$。

六、其他类型二极管

1、发光二极管

发光二极管包括可见光、不可见光、激光等不同类型，最常用的为发光二极管。发光二极管的发光颜色决定于所用材料，目前有红、绿、黄、橙等色，可以制成各种形状，如长方形、圆形[如图1.2.12(a)所示]等。图1.2.12(b)所示为发光二极管的符号。
发光二极管也具有单向导电性。只有当外加的正向电压使得正向电流足够大时才能发光，它的开启电压比普通二极管的大，红色的在1.6~1.8V之间，绿色的约为2V。正向电流愈大，发光愈强。使用时，应特别注意不要超过最大功耗、最大正向电流和反向击穿电压等极限参数。
发光二极管因其驱动电压低、功耗小、寿命长、可靠性高等优点广泛用于显示电路中。

2、光电二极管

光电二极管是远红外线接收管，是一种光能与电能进行转换的器件。PN结型光电二极管充分利用PN结的光敏特性，将接收到的光的变化转换成电流的变化。它的几种常见外形如图1.2.13(a)所示，符号见图(b)。图1.2.14(a)所示为光电二极管的伏安特性。在无光照时，与普通二极管一样，具有单向导电性。外加正向电压时，电流与端电压成指数关系，见特性曲线的第一象限；外加反向电压时，反向电流称为暗电流，通常小于0.2$\mu$A。
在有光照时，特性曲线下移，它们分布在第三、四象限内。在反向电压的一定范围内，即在第三象限，特性曲线是一组横轴的平行线。光电二极管在反压下受到光照而产生的电流称为光电流，光电流受入射照度的控制。照度一定时，光电二极管可等效成恒流源。照度愈大，光电流愈大，在光电流大于几十微安时，与照度成线性关系。这种特性可广泛用于遥控、报警及光电传感器中。
特性曲线在第四象限时呈光电池特性。
图(b)、($c$)、(d)分别是光电二极管工作在特性曲线的第一、三、四象限时的原理电路。图(b)所示电路与普通二极管加正向电压的情况相同。图($c$)中的电流仅决定于光电二极管受光面的入射照度，电阻R将电流的变化转换成电压的变化，$u_R=iR$。图(d)中，当R一定时，入射照度愈大，$i$愈大，R上获得的能量也愈大，此时光电二极管作为微型光电池。
由于光电二极管的光电流较小，所以当将其用于测量及控制等电路中时，需首先进行放大和处理。
除上述特殊二极管外，还有利用PN结势垒电容制成的变容二极管，可用于电子调谐、频率的自动控制、调频调幅、调相和滤波等电路中；利用高掺杂材料形成PN结的隧道效应制成的隧道二极管，可用于振荡、过载保护、脉冲数字电路中；利用金属与半导体之间的接触势垒而制成的肖特基二极管，因其正向导通电压小、结电容小而用于微波混频、检测，集成化数字电路等场合。
【例1.2.3】电路如图1.2.15所示，已知发光二极管的导通电压$U_D=1.6V$，正向电流为5~20mA时才能发光。试问：
（1）开关处于何种位置时发光二极管可能发光？
（2）为使发光二极管发光，电路中R的取值范围为多少？解：（1）当开关断开时发光二极管有可能发光。当开关闭合时发光二极管的端电压为零，因而不可能发光。
（2）因为$I_{Dmin}=5mA$，$I_{Dmax}=20mA$，所以
$$R_{max}=\frac{V-U_D}{I_{Dmin}}=(\frac{6-1.6}{5})k\Omega =0.88k\Omega$$$$R_{min}=\frac{V-U_D}{I_{Dmax}}=(\frac{6-1.6}{20})k\Omega =0.22k\Omega$$R的取值范围为220~880$\Omega$。