将PN结用外壳封装起来,并加上电极引线就构成了半导体二极管,简称二极管。由P区引出的电极为阳极,由N区引出的电极为阴极,常见的外形如图1.2.1所示。
一、半导体二极管的几种常见结构
二极管的几种常见结构如图1.2.2(a)~©所示,符号如图(d)所示。图(a)所示的点接触型二极管,由一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面相接形成PN结。因而结面积小,不能通过较大的电流。但其结电容较小,一般在1 pF以下,工作频率可达100 MHz以上。因此适用于高频电路和小功率整流。
图(b)所示的面接触型二极管是采用合金工艺制成的。结面积大,能够流过较大的电流,但其结电容大,因而只能在较低频率下工作,一般仅作为整流管。
图(
c
c
c) 所示的平面二极管是采用扩散法制成的。结面积较大的可用于大功率整流,结面积小的可作为脉冲数字电路中的开关管。
二、二极管的伏安特性
1、二极管与PN结伏安特性的区别
与PN结一样,二极管具有单向导电性。但是,由于二极管存在半导体体电阻和引线电阻,所以当外加正向电压时,在电流相同的情况下,二极管的端电压大于PN结上的压降;或者说,在外加正向电压相同的情况下,二极管的正向电流要小于PN结的电流;在大电流情况下,这种影响更为明显。另外,由于二极管表面漏电流的存在,使外加反向电压时的反向电流增大。
在近似分析时,仍采用PN结的电流方程式(1.1.2)、(1.1.3)来描述二极管的伏安特性。
实测二极管的伏安特性发现,只有在正向电压足够大时,正向电流才从零随端电压按指数规律增大。使二极管开始导通的临界电压称为开启电压
U
o
n
U_{on}
Uon,如图1.2.3所示。当二极管所加反向电压的数值足够大时,反向电流为
I
s
I_s
Is。反向电压太大将使二极管击穿,不同型号二极管的击穿电压差别很大,从几十伏到几千伏。
表1.2.1列出两种材料小功率二极管开启电压、正向导通电压范围、反向饱和电流的数量级。由于硅材料PN结平衡时耗尽层电势
U
h
o
U_{ho}
Uho比锗材料的大,使得硅材料的
U
o
n
U_{on}
Uon比锗材料的大。
2、温度对二极管伏安特性的影响
在环境温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线将下移(如图1.2.3虚线所示)。在室温附近,温度每升高1℃,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10℃,反向电流约增大一倍。可见,二极管的特性对温度很敏感。
三、二极管的主要参数
1、最大整流电流 I F I_F IF
I F I_F IF是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。在规定散热条件下,二极管正向平均电流若超过此值,则将因结温升过高而烧坏。
2、最高反向工作电压 U R U_R UR
U R U_R UR是二极管工作时允许外加最大的反向电压,超过此值时,二极管有可能因反向击穿而损坏。通常 U R U_R UR为击穿电压 U ( B R ) U_{(BR)} U(BR)的一半。
3、反向电流 I R I_R IR
I R I_R IR是二极管未击穿时的反向电流。 I R I_R IR愈小,二极管的单向导电性愈好, I R I_R IR对温度非常敏感。
4、最高工作频率 f M f_M fM
f
M
f_M
fM是二极管工作的上限截止频率。超过此值时,由于结电容的作用,二极管将不能很好地体现单向导电性。
应当指出,由于制造工艺所限,半导体器件参数具有分散性,同一型号管子的参数也会有很大的差距,因而手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。此外,使用时应特别注意手册上每个参数的测试条件,当使用条件与测试条件不同时,参数也会发生变化。
在实际应用中,应根据管子所用场合,按其承受的最高反向电压、最大正向平均电流、工作频率、环境温度等条件,选择满足要求的二极管。
四、二极管的等效电路
为了便于二极管电路的分析,常在一定条件下,用线性元件所构成的电路来近似模拟二极管的特性。能够模拟二极管特性的电路称为二极管的等效电路,也称为二极管的等效模型。
1、由伏安特性折线化得到的等效电路
由伏安特性折线化得到的电路如图1.2.4所示,图中粗实线为折线化的伏安特性,虚线表示实际伏安特性,下边为等效电路。图(a)所示的折线化伏安特性表明二极管导通时正向压降为零,截止时反向电流为零,称为理想二极管,用空心的二极管符号来表示。
图(b)所示的折线化伏安特性表明二极管导通时正向压降为一个常量
U
o
n
U_{on}
Uon,截止时反向电流为零。因而等效电路是理想二极管串联电压源
U
o
n
U_{on}
Uon。
图©所示的折线化伏安特性表明当二极管正向电压
U
U
U大于
U
o
n
U_{on}
Uon后其电流
I
I
I与
U
U
U成线性关系,直线斜率为
1
/
r
D
1/r_D
1/rD。二极管截止时反向电流为零。因此等效电路是理想二极管串联电压源
U
o
n
U_{on}
Uon和电阻
r
D
r_D
rD,且
r
D
=
Δ
U
/
Δ
I
r_D=\Delta U/ \Delta I
rD=ΔU/ΔI。
如图1.2.5所示,若电压源
V
V
V远大于二极管的导通电压
U
D
U_D
UD,则可以认为电阻
R
R
R上电压
U
R
U_R
UR约等于电压源电压
V
V
V,即认为二极管具有图1.2.4(a)所示特性,回路电流
I
≈
V
/
R
I\approx V/R
I≈V/R。
因为二极管导通电压的变化范围很小,所以多数情况下可以认为图1.2.5所示电路中的二极管具有图1.2.4(b)所示特性,对于硅管,可取
U
D
=
U
o
n
=
0.7
V
U_D=U_{on}=0.7 V
UD=Uon=0.7V;对于锗管,可取
U
D
=
U
o
n
=
0.2
V
U_D=U_{on}=0.2V
UD=Uon=0.2V;因而回路电流
I
=
V
−
U
o
n
R
I=\frac{V-U_{on}}{R}
I=RV−Uon。
为使计算出的回流电流
I
I
I更接近实际情况,可以选择图1.2.5所示电路中的二极管具有1.2.4(
c
c
c)所示的特性,此时回路电流
I
=
V
−
U
o
n
r
D
+
R
I=\frac{V-U_{on}}{r_D+R}
I=rD+RV−Uon。
在近似分析中,三个等效电路中以图(a)误差最大,图(
c
c
c)误差最小,图(b)应用最为普遍。
【例1.2.1】 电路如图1.2.6所示,二极管导通电压
U
D
U_D
UD约为0.7V。试分别估算开关断开和闭合时输出电压的数值。解:当开关断开时,二极管因加正向电压而导通,故输出电压
U
o
=
V
1
−
U
D
≈
(
6
−
0.7
)
V
=
5.3
V
U_o=V_1-U_D\approx(6-0.7)V=5.3V
Uo=V1−UD≈(6−0.7)V=5.3V当开关闭合时,二极管因外加反向电压而截至,故输出电压
U
o
=
V
2
=
12
V
U_o=V_2=12V
Uo=V2=12V
2、二极管的微变等效电路
当二极管外加直流正向电压时,将有一直流电流,曲线上反映该电压和电流的点为Q点,如图1.2.7(a)中所标注。若在Q点基础上外加微小变化量,则可以用以Q点为切点的直线来近似微小变化时的曲线,如图1.2.7(a)所示;即二极管等效成一个动态电阻
r
d
r_d
rd,且
r
d
=
Δ
u
D
/
Δ
i
D
r_d=\Delta u_D/\Delta i_D
rd=ΔuD/ΔiD,如图(b)所示,称之为二极管的微变等效电路。利用二极管的电流方程可以求出
r
d
r_d
rd。
1
r
d
=
Δ
i
D
Δ
u
D
≈
d
i
D
d
u
D
=
d
[
I
s
(
e
u
U
T
−
1
)
]
d
u
≈
I
s
U
T
⋅
e
u
U
T
≈
I
D
U
T
\frac{1}{r_d}=\frac{\Delta i_D}{\Delta u_D}\approx \frac{di_D}{du_D}=\frac{d[I_s(e^{\frac{u}{U_T}}-1)]}{du}\approx\frac{I_s}{U_T}\cdot e^{\frac{u}{U_T}}\approx\frac{I_D}{U_T}
rd1=ΔuDΔiD≈duDdiD=dud[Is(eUTu−1)]≈UTIs⋅eUTu≈UTID
r
d
≈
U
T
I
D
(
1.2.1
)
r_d\approx\frac{U_T}{I_D}\quad\quad\quad\quad(1.2.1)
rd≈IDUT(1.2.1)式中
I
D
I_D
ID是Q点的电流。由于二极管的正向特性为指数曲线,所以Q点愈高,
r
D
r_D
rD的数值愈小。
对于图1.2.8所示电路,在交流信号
u
i
u_i
ui幅值较小且频率较低的情况下,
u
R
u_R
uR的波形如图1.2.9所示,它是在一定的直流电压的基础上叠加上一个与
u
i
u_i
ui一样的正弦波,该正弦波的幅值决定于
r
d
r_d
rd与R的分压。图中标注的
U
D
U_D
UD是直流电压源V单独作用时二极管的正向压降,即Q点电压。
五、稳压二极管
稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管,简称稳压管。稳压管反向击穿时,在一定的电流范围内(或者说在一定的功率损耗范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性。因而广泛用于稳压电源与限幅电路之中。
1、稳压管的伏安特性
稳压管的伏安特性与普通二极管类似,如图1.2.10(a)所示,正向特性为指数曲线。当稳压管外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿,击穿区的曲线很陡,几乎平行于纵轴,表现其具有稳压特性。只要控制反向电流不超过一定值,管子就不会因过热而损坏。
稳压管的符号及等效电路如图(b)所示。在等效电路中,二极管
D
1
D_1
D1表示稳压管加正向电压与虽加反向电压但未击穿时的情况,理想二极管、电压源
U
Z
U_Z
UZ和电阻
r
d
r_d
rd的串联支路表示稳压管反向击穿时的等效电路。
2、稳压管的主要参数
(1)稳定电压
U
Z
U_Z
UZ:
U
Z
U_Z
UZ是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。由于半导体器件参数的分散性,同一型号的稳压管的
U
Z
U_Z
UZ存在一定差别。例如,型号为2CW11的稳压管的稳定电压为3.2~4.5V。但就某一只管子而言,
U
Z
U_Z
UZ应为确定值。
(2)稳定电流
I
Z
I_Z
IZ:
I
Z
I_Z
IZ是稳压管工作在稳压状态时的参考电流,电流低于此值时稳压效果变坏,甚至根本不稳压,故也常将
I
Z
I_Z
IZ记作
I
Z
m
i
n
I_{Zmin}
IZmin。
(3)额定功耗
P
Z
M
P_{ZM}
PZM:
P
Z
M
P_{ZM}
PZM等于稳压管的稳定电压
U
Z
U_Z
UZ与最大稳定电流
I
Z
M
I_{ZM}
IZM(或记作
I
Z
m
a
x
I_{Zmax}
IZmax)的乘积。稳压管的功耗超过此值时,会因结温过高而损坏。对于一只具体的稳压管,可以通过其
P
Z
M
P_{ZM}
PZM的值,求出
I
Z
M
I_{ZM}
IZM的值。
只要不超过稳压管的额定功率,电流愈大,稳压效果愈好。
(4)动态电阻
r
z
r_z
rz:
r
z
r_z
rz是稳压管工作在稳压区时,端电压变化量与其电流变化量之比,即
r
z
=
Δ
U
Z
/
Δ
I
Z
r_z=\Delta U_Z/\Delta I_Z
rz=ΔUZ/ΔIZ。
r
z
r_z
rz愈小,电流变化时
U
Z
U_Z
UZ的变化愈小,即稳压管的稳定特性愈好。对于不同型号的管子,
r
z
r_z
rz将不同,从几欧到几十欧。对于同一只管子,工作电流愈大,
r
z
r_z
rz愈小。
(5)温度系数
α
\alpha
α:
α
\alpha
α表示温度每变化1℃稳压值的变化量,即
α
=
Δ
U
Z
/
Δ
T
\alpha=\Delta U_Z/\Delta T
α=ΔUZ/ΔT。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数(属于齐纳击穿),即温度升高时稳定电压值下降;稳定电压大于7V的管子具有正温度系数(属于雪崩击穿),即温度升高时稳定电压值上升;而稳定电压在4~7V之间的管子,温度系数非常小,近似为零(齐纳击穿和雪崩击穿均有)。
由于稳压管的反向电流小于
I
Z
m
i
n
I_{Zmin}
IZmin时不稳定,大于
I
Z
m
a
x
I_{Zmax}
IZmax时会因为超过额定功耗而损坏,所以在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流,从而保证稳压管正常工作,故称这个电阻为限流电阻。只有在R取值合适时,稳压管才能安全地工作在稳压状态。
【例1.2.2】 在图1.2.11所示稳压管稳压电路中,已知稳压管的稳定电压
U
Z
=
6
V
U_Z=6V
UZ=6V,最小稳定电流
I
Z
m
i
n
=
5
m
A
I_{Zmin}=5mA
IZmin=5mA,最大稳定电流
I
Z
m
a
x
=
25
m
A
I_{Zmax}=25mA
IZmax=25mA;负载电阻
R
L
=
600
Ω
R_L=600\Omega
RL=600Ω。求解限流电阻R的取值范围。解:从图1.2.11所示电路可知,R上电流
I
R
I_R
IR等于稳压管中电流
I
D
z
I_{Dz}
IDz和负载电流
I
L
I_L
IL之和,即
I
R
=
I
D
z
+
I
L
I_R=I_{Dz}+I_L
IR=IDz+IL。其中
I
D
z
=
(
5
I_{Dz}=(5
IDz=(5 ~
25
)
m
A
25)mA
25)mA,
I
L
=
U
Z
/
R
L
=
(
6
/
600
)
A
=
0.01
A
=
10
m
A
I_L=U_Z/R_L=(6/600)A=0.01A=10mA
IL=UZ/RL=(6/600)A=0.01A=10mA,所以
I
R
=
(
15
I_R=(15
IR=(15 ~
35
)
m
A
35)mA
35)mA。
R上电压
U
R
=
U
I
−
U
Z
=
(
10
−
6
)
V
=
4
V
U_R=U_I-U_Z=(10-6)V=4V
UR=UI−UZ=(10−6)V=4V,因此
R
m
a
x
=
U
R
I
R
m
i
n
=
(
4
15
×
1
0
−
3
)
Ω
≈
227
Ω
R_{max}=\frac{U_R}{I_{Rmin}}=(\frac{4}{15\times10^{-3}})\Omega\approx227\Omega
Rmax=IRminUR=(15×10−34)Ω≈227Ω
R
m
i
n
=
U
R
I
R
m
a
x
=
(
4
35
×
1
0
−
3
)
Ω
≈
114
Ω
R_{min}= \frac{U_R}{I_{Rmax}}=(\frac{4}{35\times10^{-3}})\Omega\approx114\Omega
Rmin=IRmaxUR=(35×10−34)Ω≈114Ω限流电阻R的取值范围为114~227
Ω
\Omega
Ω。
六、其他类型二极管
1、发光二极管
发光二极管包括可见光、不可见光、激光等不同类型,最常用的为发光二极管。发光二极管的发光颜色决定于所用材料,目前有红、绿、黄、橙等色,可以制成各种形状,如长方形、圆形[如图1.2.12(a)所示]等。图1.2.12(b)所示为发光二极管的符号。
发光二极管也具有单向导电性。只有当外加的正向电压使得正向电流足够大时才能发光,它的开启电压比普通二极管的大,红色的在1.6~1.8V之间,绿色的约为2V。正向电流愈大,发光愈强。使用时,应特别注意不要超过最大功耗、最大正向电流和反向击穿电压等极限参数。
发光二极管因其驱动电压低、功耗小、寿命长、可靠性高等优点广泛用于显示电路中。
2、光电二极管
光电二极管是远红外线接收管,是一种光能与电能进行转换的器件。PN结型光电二极管充分利用PN结的光敏特性,将接收到的光的变化转换成电流的变化。它的几种常见外形如图1.2.13(a)所示,符号见图(b)。图1.2.14(a)所示为光电二极管的伏安特性。在无光照时,与普通二极管一样,具有单向导电性。外加正向电压时,电流与端电压成指数关系,见特性曲线的第一象限;外加反向电压时,反向电流称为暗电流,通常小于0.2
μ
μ
μA。
在有光照时,特性曲线下移,它们分布在第三、四象限内。在反向电压的一定范围内,即在第三象限,特性曲线是一组横轴的平行线。光电二极管在反压下受到光照而产生的电流称为光电流,光电流受入射照度的控制。照度一定时,光电二极管可等效成恒流源。照度愈大,光电流愈大,在光电流大于几十微安时,与照度成线性关系。这种特性可广泛用于遥控、报警及光电传感器中。
特性曲线在第四象限时呈光电池特性。
图(b)、(
c
c
c)、(d)分别是光电二极管工作在特性曲线的第一、三、四象限时的原理电路。图(b)所示电路与普通二极管加正向电压的情况相同。图(
c
c
c)中的电流仅决定于光电二极管受光面的入射照度,电阻R将电流的变化转换成电压的变化,
u
R
=
i
R
u_R=iR
uR=iR。图(d)中,当R一定时,入射照度愈大,
i
i
i愈大,R上获得的能量也愈大,此时光电二极管作为微型光电池。
由于光电二极管的光电流较小,所以当将其用于测量及控制等电路中时,需首先进行放大和处理。
除上述特殊二极管外,还有利用PN结势垒电容制成的变容二极管,可用于电子调谐、频率的自动控制、调频调幅、调相和滤波等电路中;利用高掺杂材料形成PN结的隧道效应制成的隧道二极管,可用于振荡、过载保护、脉冲数字电路中;利用金属与半导体之间的接触势垒而制成的肖特基二极管,因其正向导通电压小、结电容小而用于微波混频、检测,集成化数字电路等场合。
【例1.2.3】电路如图1.2.15所示,已知发光二极管的导通电压
U
D
=
1.6
V
U_D=1.6V
UD=1.6V,正向电流为5~20mA时才能发光。试问:
(1)开关处于何种位置时发光二极管可能发光?
(2)为使发光二极管发光,电路中R的取值范围为多少?解:(1)当开关断开时发光二极管有可能发光。当开关闭合时发光二极管的端电压为零,因而不可能发光。
(2)因为
I
D
m
i
n
=
5
m
A
I_{Dmin}=5mA
IDmin=5mA,
I
D
m
a
x
=
20
m
A
I_{Dmax}=20mA
IDmax=20mA,所以
R
m
a
x
=
V
−
U
D
I
D
m
i
n
=
(
6
−
1.6
5
)
k
Ω
=
0.88
k
Ω
R_{max}=\frac{V-U_D}{I_{Dmin}}=(\frac{6-1.6}{5})k\Omega=0.88k\Omega
Rmax=IDminV−UD=(56−1.6)kΩ=0.88kΩ
R
m
i
n
=
V
−
U
D
I
D
m
a
x
=
(
6
−
1.6
20
)
k
Ω
=
0.22
k
Ω
R_{min}=\frac{V-U_D}{I_{Dmax}}=(\frac{6-1.6}{20})k\Omega=0.22k\Omega
Rmin=IDmaxV−UD=(206−1.6)kΩ=0.22kΩR的取值范围为220~880
Ω
\Omega
Ω。