模拟电子技术基础

一、常用半导体器件

（一）基础知识

1.1本征半导体

1、概念

（1）半导体

半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料

（2）本征半导体

本征半导体：具有晶体结构的半导体

2、本征半导体的晶体结构

（1）半导体导电

半导体导电价原子导不了电，靠的是自由电子

（2）价电子

指原子核外电子中能与其他原子相互作用形成化学键的电子，为原子核外跟元素化合价有关的电子。过渡元素的价电子不仅是最外层电子，次外层电子及某些元素的倒数第三层电子也可成为价电子。价电子同时亦决定该元素的电导性能。一般来说，金属原子的价电子数越少，其活性就越高。

（3）共价键

​是化学键的一种，两个或多个原子共同使用它们的外层电子，在理想情况下达到电子饱和的状态，由此组成比较稳定的化学结构，像这样由几个相邻原子通过共用电子并与共用电子之间形成的一种强烈作用叫做共价键。其本质是原子轨道重叠后，高概率地出现在两个原子核之间的电子与两个原子核之间的电性作用。
​

 3、载流子（承载电流的粒子）怎么产生的？

（1）本征激发

当半导体的温度T>0K时，有电子从价带激发到导带去，同时价带中产生了空穴，这就是所谓的本征激发。

一般来说，半导体中的价电子不完全像绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定的能量(如光照、温升、电磁场激发等)，一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为近似自由的电子（同时产生出一个空穴），这就是本征激发。这是一种热学本征激发，所需要的平均能量就是禁带宽度。

本征激发还有其它一些形式。如果是光照使得价电子获得足够的能量、挣脱共价键而成为自由电子，这是光学本征激发（竖直跃迁）；这种本征激发所需要的平均能量要大于热学本征激发的能量——禁带宽度。如果是电场加速作用使得价电子受到高能量电子的碰撞、发生电离而成为自由电子，这是碰撞电离本征激发；这种本征激发所需要的平均能量大约为禁带宽度的1.5倍。

（2）自由电子（带电荷–q）

不被约束在某一个原子内部的电子。这种电子在受到外电场或外磁场的作用时，能够在物质中或真空中运动。如原子结合成金属晶体主要是靠原子外层的价电子和部分的内层电子。在通常情况下，某些价电子可以脱离原子，而自由地在晶体点阵中运动。这种电子就称为自由电子。

（3）空穴（带电荷+q）

在固体物理学中指共价键上流失一个电子，最后在共价键上留下空位的现象。即共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴。

 （4）激发

 4、载流子的浓度（本征半导体导电能力与载流子浓度有关）

温度上升 ——> 本征激发的速度越快

本征激发的速度越快——>本征半导体的浓度上升

温度上升 ——>本征半导体的浓度上升

浓度上升——>本征复合加快

达到一定程度本征激发和复合趋向平稳

1.2 杂质半导体

1、概念

（1）杂质半导体

本征半导体中加入少量掺杂物，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变，其电荷载流子浓度取决于杂质或其他缺陷。

2、N型半导体（负极）

（1）掺入磷（P）

掺入5价杂质元素（磷、砷）的半导体；5价杂质原子与4价硅原子结合成共价键（8个电子），那必然会多余1个“电子”无共价键束缚，形成“自由电子”，而杂质原子因带正电荷成为正离子；

（2）多子（自由电子）

温度对多子影响不大，甚至没有

（3）少子（空穴）

温度对少子影响大，非常敏感

3、P型半导体（正极）

（1）掺入硼（B）

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体

（2）多子（空穴）

温度对多子影响不大，甚至没有

（3）少子（自由电子）

温度对少子影响大，非常敏感

1.3 PN结

1、PN结的形成

（1）扩散运动概念（多子）

化学中的扩散电流是指在极谱分析中由溶液本体扩散到电极表面的金属离子所形成的电流。而溶液中离子的扩散速率有极大值，当扩散速率达到最大时所形成的电流就称为极限扩散电流。

（2）扩散运动特点

在PN结反向偏置时，少子数量很少，电容效应很少，也就可以不考虑了。在正向偏置时，P区中的电子，N区中的空穴，会伴着远离势垒区，数量逐渐减少。即离结近处，少子数量多，离结远处，少子的数量少，有一定的浓度梯度。

（3）扩散运动的作用

针对扩散电容来说，PN结反向偏置时电阻大，扩散电容小，主要为势垒电容。正向偏置时，电容大，取决于扩散电容，电阻小。频率越高，电容效应越显著。在集成电路中，一般利用PN结的势垒电容，即让PN结反偏，只是改变电压的大小，而不改变极性。

                                                 内电场 = 空间电荷区 = PN结

                                 空间电荷区变宽 ，正负离子变多，电场增强

 正负离子变多

 （4）漂移运动概念（少子）

在凝聚体物理学和电化学中，漂移电流是在施加电场下载流子定向运动产生的电流。当电场加在半导体材料上时，载流子流动产生电流。漂移速度是指漂移电流中载流子运动的平均速度。

（5）漂移运动的特点

在一个偏置的PN结中，漂移电流与偏置无关，这是因为少数载流子的数量与偏置电压无关。但由于少数载流子可以通过升温产生，漂移电流是和温度有关的。

（6）漂移运动的作用

正向电压增加时，N区将有更多的电子扩散到P区，也就是P区中的少子，电子浓度、浓度梯度增加。同理，正向电压增加时，N区中的少子---空穴的浓度、浓度梯度也要增加。相反，正向电压降低时，少子浓度就要减少。从而表现了电容的特性。

（7）对称性和不对称性

2、 PN结的单相导电性

3、PN结的电流方程 

 4、反向击穿

（1）雪崩击穿

当反向电压增大到一定是，新产生的少子（自由电子）在电场作用下加速流动，在撞出其他价电子，又产生新的 自由电子 和空穴。 如此连锁反应，使得 阻挡层（空间电荷区） 中的 载流子 的数量雪崩式地增加，1撞2，2撞4，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种 碰撞电离 导致击穿称为雪崩击穿，也称为 电子雪崩现象 。

由于电荷区的自由电荷载流子的数量急剧增加，反向饱和突然跳越

（2）齐纳击穿

条件为两边浓度很高，耗尽层变窄，