AUTOSAR存储服务之FEE换页策略介绍

概述

如下图是AUTOSAR Memory Stack的架构图，对于Memory Stack的介绍请参考AUTOSAR MemoryStack详细介绍_钢琴上的汽车软件的博客-CSDN博客

随着现在MCU携带的内置flash空间越来越大，从成本节省以及方便使用等方面考虑，在产品设计和开发过程中常用Flash EEPROM Emulation技术，故名思意就是使用flash来模拟EEPROM的存储特性，最重要的是达到如EEPROM一样的几十万乃至百万次的擦写次数。本文主要介绍Memory Stack中Flash EEPROM Emulation（FEE）的相关技术和换页策略，在介绍之前我们需要弄清楚一些基本概念。

Flash和EEPROM的对比

FEE是用flash模拟EEPROM，那么两者有什么区别，我们从以下几个角度来简单对比。实际使用中，需要根据两者的特点和应用的需求进行选择。

比较方式	Flash	EEPROM
擦写次数	较少，可达十万次	较多，可达百万次
擦写方式	写之前需要擦除，以多个页组成的物理扇区进行擦除