CMOS图像传感器——Stack Pixel

最新推荐文章于 2024-04-07 11:43:38 发布
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分类专栏： CMOS 图像传感器成像 文章标签： CIS pixel
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本文链接：https://blog.csdn.net/qq_21842097/article/details/127007460
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本文介绍了Sony的Stack Pixel技术，即2-Layer Transistor Pixel，该技术通过将部分晶体管独立放置于像素层，利用深互联优化了噪声控制和动态范围。Sony声称这一创新能提供更好的低光性能和图像质量。尽管存在制程和设计挑战，但Sony已有多款产品应用此技术，未来可能成为Sony在移动端像素小型化的竞争优势。
摘要由CSDN通过智能技术生成

        在之间CMOS图像传感器架构的演变一文中

CMOS图像传感器架构的演变_沧海一升的博客-CSDN博客CMOS图像传感器架构的演变https://blog.csdn.net/qq_21842097/article/details/125438789        在像素并行架构中有提到堆叠像素电路扩展，本文对索尼提出的双层晶体管技术进行介绍。

        Sony大法的Stack Pixel （官方名称为2-Layer Transistor Pixel，双层晶体管像素）作为其宣传的主打技术，在去年的IEDM会议上，首次公开了一些技术细节以及开发状态。基于此技术的Sony CIS产品也在如火如荼的开发中。

        根据索尼官网的介绍，其主要原理为将4T-APS像

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CMOS图像传感器——Stack Pixel（2）
沧海一升的博客
09-26 710
对索尼的2-Layer Transistor Pixel技术的新进展进行了介绍。
CMOS图像传感器和Stack Pixel在计算机视觉中的应用
IpyVariable的博客
09-21 92
与传统的CCD（电荷耦合器件）图像传感器相比，CMOS图像传感器具有更低的功耗、更高的集成度和更好的噪声性能。传统的CMOS图像传感器在每个像素上只有一个光感器，而Stack Pixel通过在每个像素上堆叠多个光感器来实现更高的灵敏度和动态范围。Stack Pixel技术在图像质量和动态范围方面的改进使其在高动态范围成像和低光条件下的图像采集中具有优势。CMOS图像传感器是一种常用的图像采集设备，而Stack Pixel则是一种改进的图像传感器设计。本文将探讨这两个概念，并展示它们在计算机视觉中的应用。
初学整理（一）CMOS图像传感器（CMOS image sensor, CIS）基本介绍
WANGCHONGCH的博客
07-04 2万+
初学整理（一）CMOS图像传感器（CMOS image sensor, CIS）基本介绍CCD与CMOSCIS的基本结构与工作模式 CCD与CMOS 常用的图像传感器有电感耦合器件（Coupled Charge Device, CCD）与互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）图像传感器。工作原理：半导体的光生伏特效应（内光电效应）。 CCD的像素单元为多个MOS电容（下图）。 当MOS电容的栅压大于电容的阈值电压时，半导体内产生的
pixel-stack:将 RGBRGBA 缓冲区合成为表示图像的更大缓冲区的接口
06-26
像素堆栈 将 RGB/RGBA 缓冲区合成为表示图像的更大缓冲区的接口。 如何使用 var PixelStack = require ( 'pixel-stack' ) ; var stack = new PixelStack ; stack . fill ( [ 0 , 0 , 0 ] ) ; stack . push ( [ 255 , 255 , 255 , 255 , 255 , 255 ] , 0 , 0 , 2 , 1 ) ; stack . push ( [ 255 , 255 , 255 , 255 , 255 , 255 ] , 0 , 1 , 2 , 1 ) ; stack . buffer ( ) ; 应用程序接口 PixelStack(数字宽度、数字高度、字符串类型) type可以是'rgb'或'rgba' 。 默认为rgb 。 PixelStack#push(
css rems,css - using rems with a pixel fallback - Stack Overflow
weixin_39789094的博客
08-03 382
I'm working on mobile first framework. The project has a broad range of requirements, with a mass of browsers and devices over various locations to cater for.One of my key locations to target is India...
CMOS图像传感器基础
u011995183的博客
04-07 1万+
一、概述 图像传感器是把光学图像信息转换成电信号的器件。图像传感器是随着电视技术在20世纪30年代发展起来的，早期图像传感器技术的最重要贡献在于建立了扫描（Scan）的概念，用扫描的方法把二维空间平面上的光电信息离散成行（Line）和帧（Frame），然后按空间顺序读出形成在一维时间轴上变化的电信号。这个一维的电信号经过存储和传输，再用扫描的方式还原重建二维平面图像。扫描概念一直被沿用至今。 1968-1969年就有论文设想在硅光电二极管上集成晶体管有源器件实现有源像素，然后用常规的电子电路方式转换读出
Canon CMOS图像传感器应用和选型
最新发布
Super_smartIC的博客
04-07 1199
在佳能的机器视觉/监控的产品系列中，1900万像素全局快门CMOS影像传感器LI5030SA是一款具有低照度成像特性和高动态范围的全局快门传感器，这款产品根据不同功能可分为LI5030SAC（彩色）、LI5030SAM（黑白）、LI5030SAI（彩色+近红外）和LI5030SAN（无微透镜阵列或滤色器）四种类型，非常适合需要高灵敏度、高图像质量、高速信号读出的应用领域，如显微镜观察相机、光学显微镜相机、交通监控等。像素尺寸是指每个像素点的尺寸，在有限的感光元件尺寸下，更小的像素点尺寸意味图像分辨率更高。
图像传感器你知道多少
08-20
在深入了解图像传感器之前，首先要明确其基本功能——光电转换。本文将围绕图像传感器的关键参数、技术工艺以及不同类型的图像传感器进行详细介绍。 首先，图像传感器主要由几个部分构成：感光区域（Pixel Array）...
图像传感器参数知多少
08-20
本文主要探讨图像传感器的关键参数和技术工艺，包括像素、单像素尺寸、芯片尺寸，以及前照式（FSI）、背照式（BSI）和堆栈式（Stack）三种技术。 首先，像素是衡量图像传感器分辨率的重要指标，它代表感光区域内...
晶体管——结构、工作原理、放大原理、伏安特性、主要参数
weixin_49284870的博客
11-22 3万+
晶体管（transistor），是一种把输入电流进行放大的半导体元器件。 晶体管的结构由三极、三区、两个结组成 晶体管的放大原理 晶体管能实现放大，必须从内部结构和外部偏置条件来保证。 晶体管放大的内部条件 集电区：面积最大；收集载流子 基区：最薄，掺杂浓度最低；传送和控制载流子 发射区：掺杂浓度最高；发射载流子 晶体管放大的外部条件 发射结正偏，集电结反偏 晶体管内部载流子的运动规律 参数定义 结论 外部条件：发射结正偏、集电结反偏 电流分配关系 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特
4T-PPD-APS光子辐射响应特性分析
02-04
分析了含有4个晶体管的钳位光电二极管有源像素传感器（4T-PPD-APS）的结构特点以及γ射线光子在像元内的能量沉积过程。通过建立传感器像元及像素阵列仿真计算模型，并结合γ射线辐射响应实验，对有源像素传感器（APS）在不同光子能量及不同放射性水平条件下的响应特性进行了研究。研究结果表明：γ光子在光电二极管空间电荷区内沉积能量并形成扩散光电流是APS发生光子响应现象的根本原因；像素值的平均值随剂量率的增大呈先增大后趋于饱和的趋势；当典型事件区域内出现多个峰值时，像素值的统计值不能准确反映辐射场放射性水平。
CMOS 图像传感器简介（1）：像素结构
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Struggler的专栏
08-12 6万+
　　随着工艺的发展，CMOS图像传感器的性能已经赶上或超越CCD，再加上CMOS图像传感器在工艺上能很大程度与传统CMOS芯片兼容，它已经成为相机的主流传感器类型。由于只能硬件的迅猛发展，很多应用场景都将碰到CMOS传感器，因此本文从基础出发，介绍CMOS图像传感器的像素结构。 1.图像传感器整体架构 　　CMOS图像传感器本质是一块芯片，主要包括：感光区阵列（Bayer阵列，或叫像素阵列）、...
CMOS图像传感器——像素设计基础
沧海一升的博客
05-05 6798
对CIS像素设计的基础进行介绍。
CMOS图像传感器——概述
沧海一升的博客
06-07 6632
CMOS图像传感器基本介绍
理解 CMOS IMAGE Sensor
m0_37904746的博客
07-06 9025
内容转载于知乎。 文章作者 刘斯宁是一位Camera技术大佬，做相机图像相关技术的，有兴趣可以关注一下。 前言摄像机用来成像的感光元件叫做image sensor或imager。CMOS Image Sensor (CIS) 最早是美国喷气推进实验室（Jet Propulsion Laboratory, JPL）的一个研究项目，Dr. Eric Fossum 是业界公认的CIS技术发明人。1992年，Dr. Eric R. Fossum 在美国加州Pasadena(帕萨迪纳)的喷气推进实验室工作，负责NAS
索尼的双层晶体管像素堆叠式CIS
BarryWag的博客
03-21 921
主要从“双层晶体管像素堆叠”和“BSCs（Buried Sublocal Connections）”两个方面，在0.6um像素中提高满阱容量（FWC）和降低噪声。
CMOS图像传感器基础知识总结：一
qq_41897352的博客
05-13 7302
一、Sensor的硬件结构 每个像素的结构 每个像素点的最上方有个微透镜，增加透光量。有镜头就有CRA的问题，超出一定角度的光线无法被收集，需要和镜头进行匹配。 像素的结构 sensor的纵向结构 光透过电路会发生反射，造成每个像素点之间的干扰。背照式的结构（感光层在电路的上方）不会受到电路的影响。 sensor的纵向结构 CFA(color filter array) 每个像素点上覆盖有一种颜色的滤光片，从而去感知每种颜色的亮度。 滤光片CFA Bayer格式：绿色分量为总像素数的一半，红色蓝
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