JFET压控电阻的线性补偿
以下内容出自《振荡电路的设计与应用》,使用JFET作为压控电阻实现振荡电路的AGC稳幅,加反馈改善Rds的原理是什么,经过不断的思考以及查阅资料,终于弄明白了其中的道理。欢迎批评指正。
2SK30A是一只N沟道的JFET,理想情况下,在可变电阻区,Rds只受到控制电压Vgs的控制,理论上(a)图就够了。
但是,当Rds上加入大振幅交流信号时,情况又有了微妙的变化:
随着Vds的增大,漏极的沟道变窄(G和D之间的PN结变厚),因此电阻随之变大,因此想要在ΔVds比较大时保持良好的Rds特性必须采取措施。
如图(b)所示,加入反馈电阻R3和0.1u的隔直电容:
当Rds上得电流变大时,Vds变大,导致Rds变大,因此吧Vds馈给栅极,使得栅极电压往正方向偏移,这样就可以减小Rds。这样就实现了稳定和改善Rds线性度的目的。
那反馈量到底多大合适呢?
根据网上查阅到内容《大动态范围高线性JFET压控电阻》
对于单独的JFET管子在可变电阻区有:
理论上,如果把公式中的Vgs替换成Vds和Vgs的平均值就可以消去二次项,我们回过头看看图(b),反馈的设置正是这种方式。
不加反馈和加反馈的Rds控制效果对比,在教材中已经列举如下:
控制电压Vgs = -1.5V,在漏源之间注入1kHz,100uA的交流电流,观察通过Vds的波形来评价Rds的线性程度,左边为没加反馈的效果,右边为加入反馈的效果。