
韩国中央大学Sung Kyu Park、 韩国成均馆大学Jong-Woong Kim和Yong-Hoon Kim团队,在《Nature Communications》上发布了一篇题为“Full integration of highly stretchable inorganic transistors and circuits within molecular-tailored elastic substrates on a large scale”的论文。论文内容如下:
一、 摘要
高形状因子电子产品(high-form-factor electronics)的出现导致了对完全可拉伸性的无机薄膜器件和电路进行高密度集成的需求。然而,无机材料的固有刚度和脆性阻碍了它们在自由形态电子产品中的应用。在这里,作者通过基于光刻的自下而上方法展示了高度集成的对应变不敏感的可拉伸金属氧化物晶体管和电路(442个晶体管/cm(2)

韩国研究团队在Nature Communications发表论文,介绍了在大面积弹性基底上实现高密度、高度可拉伸的无机晶体管和集成电路的技术。通过光刻自下而上方法,他们制造了具有优异应变弹性的晶体管阵列,即使在50%的拉伸应变下也能保持稳定性能。该工作解决了传统可拉伸电子材料性能和稳定性的挑战,为未来自由形态电子应用开辟了道路。
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