【TC3xx芯片】TC3xx芯片RAM的错误检测

最新推荐文章于 2024-09-22 08:58:50 发布
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分类专栏： AUTOSAR精进之路 文章标签： TC3xx RAM ECC SMU Alarm AUTOSAR
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本文链接：https://blog.csdn.net/qq_36056498/article/details/137204977
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本文详细介绍了TC3xx芯片的RAM错误检测，包括RAM类型、监控由MTU模块实现、各种RAM监控事件、如何开启监控、记录监控信息、故障注入测试以及软硬件监控架构。通过MTU和SMU，系统能检测和处理ECC错误、地址错误等，确保系统安全运行。
摘要由CSDN通过智能技术生成
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【TC3xx芯片】TC3xx芯片PFlash的ECC校验问题补充
qq_36056498的博客
11-02 290
TC3xx芯片PFlash的ECC校验问题补充
TC3xx MTU概述(2)
认真搞搞汽车MCU
05-06 1465
上篇TC3xx MTU概述(1)-CSDN博客我们讲解了MTU基本功能和MBIST基本概念，接下来我们继续讲解MTU如何配置NDT算法。
TC3xx MTU概述(1)
认真搞搞汽车MCU
05-06 1168
因为在ISO26262中，SRAM的Cell故障被认为是潜伏故障，而在一次驾驶循环内至少得有一次测试用于覆盖潜伏故障，所以使用者有权决定在MCU启动、APP运行和下电这三个阶段任意时刻进行MBIST，因此这种非破坏性测试(NDT)是最为友好。执行MBIST期间，每次发生读访问，SRAM自身的ECC机制会计算此次读出数据的校验码，并检查该校验码是否与存入该数据时计算的校验码一致。值得注意的是，SSH寄存器只能通过MTU->SSH这样的路径进行访问，因此在访问效率上会比直接通过SPB访问寄存器要慢一些。
[DRAM Test]DRAM内存测试、内存故障定位、内存维修工具大汇总
2401_82550753的博客
09-22 3191
目录 1、《HCI MemTest, RunMemtestPro》 2、《MEMTEST64》 3、AIDA64稳定性测试 4、《MEMTEST86》与《MEMTEST86+》 5、Windows Memory Diagnostic Tool(微软内存诊断工具) 6、《RAM STRESS TEST》 7、《AMT64和AMT128》 8、《DocMemory》 9、《RAMFIX V110516B》 10、《Smart RAM Detect 1.1》 11、《Memtest Jac
AURIX™ TC3xx UCB 介绍
2301_76563067的博客
06-07 3639
带密码的UCB:即使UCB confirm了，依然可以通过输入正确的密码，再去擦写这个UCB不带密码的UCB：如果把这个UCB的confirmation code配成confirmed，那这个UCB就再也不能被修改了Wrong State: original 和copy同时被擦掉芯片锁死： contain an uncorrectable ECC error as following description, 避免在操作这个UCB的时候突掉电，或者是没有擦除这个UCB就写入新的值。
TC377 - MTU MBIST之内存自动初始化+无创测试
舊梦的博客
11-28 1750
1）存储器测试单（MTU）控制和监控AURIX™TC3xx系列微控制器中各种内部存储器的测试、初始化和数据完整性检查功能。2）无创测试（NDT）是由内存内置自测试（MBIST）执行的，以验证同一SRAM内存的内容。内存内置自测试（MBIST）是一个MTU特性，它能够验证内部sram的完整性。3）为了测试错误的场景，此实例提供了在内存中注入一个比特错误的可能性。
英飞凌Aurix2G TC3xx 芯片内核详解（三）——TriCore异常处理机制（Trap）
king110108的专栏
05-28 1233
本文主要介绍Infineon Aurix2G TC3XX系列芯片内核异常处理机制
英飞凌TC3xx系列GTM系统介绍
initiallizer的博客
01-25 5064
英飞凌TC3xx是英飞凌AURIX 2G系列单片机，该系列单片机是32位微控制器，具有多个TriCore CPU、程序及数据存储器、总线、中断系统、DMA及功能强大的外围设备，本篇对GTM模块进行系统概述
【TC3xx芯片】TC3xx芯片电源管理系统PMS详解
qq_36056498的博客
01-13 3795
TC3xx芯片电源管理系统PMS详解
【TC3xx芯片】如何监控TC3xx芯片PFlash的ECC错误
qq_36056498的博客
03-23 1479
如何监控TC3xx芯片PFlash的ECC错误
【TC3xx芯片】TC3xx芯片的GTM模块详解
qq_36056498的博客
01-04 4905
TC3xx芯片的GTM模块详解
基于MBD开发手册的《Application Modeling Guideline：辅助驾驶系统中的数学模型设计与应用》,Application Modeling Guideline 文档57页 基于
01-17
基于MBD开发手册的《Application Modeling Guideline：辅助驾驶系统中的数学模型设计与应用》,Application Modeling Guideline 文档57页 基于MBD开发手册包含： 1. MBD概述：文档可能会介绍MBD的基本概念，解释为什么它在辅助驾驶系统开发中至关重要。 MBD允许工程师使用数学模型来描述系统行为，这有助于早期发现问题，减少硬件原型制作的需求。 2. 工具选择：在辅助驾驶开发中，常用的MBD工具有MATLAB Simulink、MathWorks的Simulink Design Verifier、Vector的CANoe等。 文档可能涵盖这些工具的特点和适用场景，帮助开发者选择合适的工具。 3. 模型设计：MBD的核心是模型设计，文档会详细说明如何创建和组织模型结构，包括输入 输出接口定义、状态机设计、算法实现等。 对于辅助驾驶系统，这可能涉及到视觉处理、传感器融合、路径规划、决策制定等多个模块。 4. 仿真与验证：MBD工具支持动态仿真，开发者可以运行模型以验证其功能。 文档会介绍如何设置仿真条件，进行时序分析，以及如
springboot学生答题练习在线平台.zip
01-17
springboot学生答题练习在线平台，含有完整的源码和报告文档
动力电池用导热硅胶材料研制及性能研究.pdf
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输电线路单相接地故障测距：不同短路时刻与位置对双端测距法的影响分析,输电线路单相接地测距 搭建如图1所示的35kV输电网模型，输电侧发电机出口电压10.5kV经过升压变压器变至38.5kV，受电侧经降压变压器降压至6.6kV。输电线路全长100km，架空线路线路正负序参数为：，，，，，。经过计算可得行波线模速度：。通过故障模块设置A相不同短路时刻与过渡电阻发生单相接地，并根据双端行波测距原理进行故障测距，每次设置故障发生点距离首端距离分别为20km、40km、60km、80km，模型仿真步长为秒。 (1)短路时刻对故障测距的影响 分别设置A相电压正峰值、负峰值、过零值以及任意时刻发生单相接地，对应时刻分别为0.0467s、0.0567s、0.0517s和0.0490s，仿真及计算结果入表2-1所示： 由表1可以看出，在使用双端测距方法时，短路时刻对测量结果无影响，只需两侧时钟保持高度同步计时即可。 (2)过渡电阻对故障测距的影响 分别设置A相在任意时刻(0.049s)发生单接地，接地电阻分别为0Ω、10Ω、100Ω、1000Ω，仿真及计算结果入表2所示： 由表2和图4可知，在使用双端
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