集成电路
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理工男
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2.6.6 行为语句的可综合性
类别 语句 可综合性 过程语句 initial × always √ 赋值语句 持续赋值 assign √ 过程赋值 =、<= √ 条件语句 if-else 、case √ 循环语句 for √ forever、repeat、while × 编译指示语句 `define √ `inclule × `ifdef、`else 、`endif √ ...原创 2022-01-13 16:38:43 · 246 阅读 · 0 评论 -
集成电路基础知识笔记-器件-MOS管跨导及电阻做负载的共源级放大器
VCCS的量纲时电导g****思考题■在MOS管跨导的三个不同表达式中,为何有时候跨导与过驱动电压成正比,有时候成反比呢?当W/L为定值时,跨导gm与过驱动电压Vov成正比,此时电流Id是改变的。当电流Id为定值时,跨导gm与过驱动电压Vov成反比,此时W/L是改变的。■如何提高一个MOS管的跨导?通过改变W...原创 2020-05-03 16:26:31 · 5720 阅读 · 0 评论 -
集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应
思考题:■亚值区间时,MOS管的IV特性呈指数特性,类似与BJT管。请问此时的Mos管能替代BJT管工作吗?亚阈值区间的电压范围很小(?)■随着L的不断减小,为何电路设计难度不断增加?然而,随着MOs管尺寸进一步变小,导致了MOS管更强的电场。一阶模型不再准确,带来二阶效应的影响。例如,夹断区的漏电流随着源漏电...原创 2020-05-03 15:51:28 · 4871 阅读 · 0 评论 -
集成电路基础知识-器件-MOS结构&VI特性
以反相器为例,+代表浓度较高,为了使PMOS和NMOS的衬底反偏,将P阱接GND,将N阱接Vdd。沟道夹断:进入饱和区■当Vds更大时,靠近漏极的反型层开始出现夹断。思考题:■当MOS管的栅源电压Vgs低于阈值电压时MOS管会完全关断吗?不会完全夹断,会工作在亚阈区,电阻斜坡式增加。■耗尽层和反型层的区别是什么...原创 2020-05-03 15:25:59 · 5348 阅读 · 0 评论