SIA471DJ-T1-GE3

最新推荐文章于 2024-11-23 22:21:45 发布

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文章标签：安全 stm32 嵌入式硬件

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_40022340/article/details/123549189

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这款MOSFET由Vishay制造，采用SC-70-6封装，适用于SMD/SMT安装。产品特性包括30V的Vds击穿电压，30.3A的Id连续漏极电流，11.5mOhms的RdsOn，以及-20V到+16V的Vgs工作电压范围。适合于增强模式操作，适用于各种电子设备的电源管理和开关应用。

摘要由CSDN通过智能技术生成

製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SC-70-6
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續漏極電流: 30.3 A
Rds On - 漏-源電阻: 11.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: 18.5 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 19.2 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 18 ns
互導 - 最小值: 40 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 95 ns
系列: SIA
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 40 ns
標準開啟延遲時間: 25 ns
每件重量: 143.050 mg