nandflash

啊，想死，第一次整体的看了一些芯片手册，发现还是挺简单的哈，不，只是看得代码为什么是这么写的了，简单我现在还不可以这么说，不过眼睛的看瞎了。tx板子真的垃圾！真的垃圾！真的垃圾。

我举一个NANDflash来说说吧！

NANDflash流程：首先把NANDflash前4k数据放到内部内存SRAM里面去，然后在SRAM（地址为0）里面初始化外部内存SDRAM（地址为0x30000000），然后把它的4k数据又拷贝到SDRAM里面。

顺便说下norflash：norflash启动直接在norflash（0地址）

 

 

 

大小：256M，数据宽度：8位，有专门的时序控制线，不占系统总线资源。成本低，擦除速度快。

非线性寻址，读操作，一次必须读一个扇区（512字节）。写操作，可按指定地址写入，写之前必须进行擦除操作。

不过我们只读4k到SDRAM上面去4k=4*1024=4096,    SDRAM的首地址0x30000000.

主要用到有命令寄存器xxCMD，地址寄存器xxADDR，状态寄存器xxSTATUS，数据寄存器xxDATA等寄存器。

勒，这些都是寄存器，后面是他所对应的地址，地址是有S3C2440芯片手册上知道的。

 

来咱先看S3C2440，直接看NANFflash的寄存器这里

看吧地址相同吧！好了现在把地址配置好了，其实这些寄存器的目的，我现在认为是为了配置——初始化设备比如NANDFlash，因为NANDflash有很多种功能呀，我们只是配置我们需要的功能，好了，开始配置。

初始化NANDfalsh

static void InitNandCfg(void)
{
    // for S3C2440

    rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<0);    
    rNFCONT = (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
        
//    Nand_Reset();    
}

这些什么意思呢，咱往下看

为什么只用到ACLS，TWRPH，TWRPH呢;  还有HCLK我知道是时钟频率NANDflash和主时钟一样是100hz，duration是什么呢，应该可以在nandflash芯片手册上可以找到，好像应该是什么持续时间的范围吧！我也不太清楚，反正我们只改我们要用的，其他的都是默认就好了，所以就不动他。所以配置寄存器就是配置他下面的东西，使用位运算，这些位是二进制表示的所以就用0/1移位。还有一个寄存器原理也是一样的。

咱们初始化好了，咱们就可以写命令和数据了，也是通过寄存器操作的，就是命令寄存器和数据寄存器，先说写命令。

#define NF_CMD(cmd)            {rNFCMD=cmd;} 

#define NF_ADDR(addr)        {rNFADDR=addr;}    
#define NF_RSTECC()            {rNFCONT|=(1<<4);}
#define NF_RDDATA()         (rNFDATA)    

/*     #define rNFCMD        (*(volatile unsigned *)0x4E000008)      //NAND Flash command    */

/*********下面是命令指令********/nandflash芯片手册上面有

#define    READCMD0    0      //Read0 model  command  == Page addr  0~127
#define    READCMD1    1      //Read1 model  command  == Page addr  128~511
#define    READCMD2    0x50   //Read2 model  command  == Page addr  512~527
#define    READCMD3    0x30   //Read3 model  for Large Page 
#define    ERASECMD0    0x60   //Block erase  command 0
#define    ERASECMD1    0xd0   //Block erase  command 1
#define    PROGCMD0    0x80   //page write   command 0
#define    PROGCMD1    0x10   //page write   command 1
#define    QUERYCMD    0x70   //query command  读状态命令
#define    RdIDCMD        0x90   //read id command
#define RESETCMD    0xFF   //reset command

#define NAND_SECTOR_SIZE_LP    2048    这个的意思是读多大的数据 2k

 

 /* 选中芯片 */
    nand_select_chip();  //先选中片选

    for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) {
      write_cmd(0); //如果是大页就要有2个cycle，小页一个cycle就好了
      write_addr(i);  //先发1stcycle 然后发地址
      write_cmd(0x30);        //然后再发2stcycle
      wait_idle();      //查询状态
      for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE_LP; j++, i++) {   可以读4k，这里我们只读2k数据
          *buf = read_data();  //最后再读数据
          buf++;

 

 

再分析一个

U32 ReadChipId(void)
{
    U32 id;
    
    NF_ChipEn();    
    NF_CMD(RdIDCMD);  //读取ID的命令
    NF_ADDR(0);  ID的地址为0吧，应该是
    while(NFIsBusy());    等待空闲
    id  = NF_RDDATA()<<8;//先读高8位
    id |= NF_RDDATA();       //然后读低8位 
    NF_ChipDs();        
    
    return id;
}